GD32F1x0 32kB以后FLASH的执行效率问题

2017-4-21 22:11

130 150系列64kB闪存，170 190系列最高128kB闪存，都是前32kB闪存0等待，32kB以后闪存手册是这么写的：
A long delay when fetch 32K ~ 64K bytes date from flash
A long delay when fetch 32K ~ 128K bytes date from flash
这个“A long delay”实在是太含糊了，有没有定量的数据？官方有没有推荐占据了芯片一般以上的这些闪存实际中应该如何应用？

2017-4-22 08:36

用它的最高频率访问QSPI-Flash，16BIT半字要4时钟，32BIT字要8时钟（连续访问最快速度），加上指令和地址和其他时序需求，那么半字大约10个时钟，字大约15时钟。。。。。。。。。。我瞎猜的。

2017-4-22 16:36

我也一直找不到答案。。。

2017-4-23 19:53

戈卫东发表于 2017-4-22 08:36
用它的最高频率访问QSPI-Flash，16BIT半字要4时钟，32BIT字要8时钟（连续访问最快速度），加上指令和地址和 ...

它是一次性加载1K，这个延时得上千个周期了。如果跳出了这1k，又得重新加载1K

2017-4-23 19:56

desertsailor 发表于 2017-4-23 19:53
它是一次性加载1K，这个延时得上千个周期了。如果跳出了这1k，又得重新加载1K ...

要是这样那简直就不能用。。。。。

2017-4-23 19:57

戈卫东发表于 2017-4-23 19:56
要是这样那简直就不能用。。。。。

所以说，32K以后的是**肋，没法用。

2017-4-23 21:28

desertsailor 发表于 2017-4-23 19:57
所以说，32K以后的是**肋，没法用。

那真是没啥意思了，还不如直接标32kB呢

2017-4-25 14:50

F450的就标注了代码区和数据区的flash，代码区就是可执行0等待的flash区，数据区执行指令的时候要等待很长时间，但是可以存放数据。

2017-4-25 16:02

whtwhtw 发表于 2017-4-25 14:50
F450的就标注了代码区和数据区的flash，代码区就是可执行0等待的flash区，数据区执行指令的时候要等待很 ...

这样分开标能好一些，STC的51单片机类似，只是数据FLASH他们叫做EEPROM，一般只用来存放一些数据。

2017-4-25 16:58

这个GD，要回写FLASH时，比STM32慢太多了，有的项目就没法用（掉电回写FLASH的量比较多）

2017-4-27 22:28

flash的读写擦除的相对要慢一点的

2017-4-29 16:07

代码区跟数据区是不一样的。。

2017-4-30 12:01

这方面的问题的我没怎注意的

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