使用特权
HWM 发表于 2017-8-17 17:23 应该是防止Q1深度饱和的。
小营七郎 发表于 2017-8-17 17:36 请问下什么叫 ”深度饱和” 呀?
戈卫东 发表于 2017-8-17 20:13 你需要找本模电书翻翻。。。。。
Jack315 发表于 2017-8-18 10:02 参考 三极管的共发射极特性曲线 图 1-30:
king5555 发表于 2017-8-18 08:00 防止Q1饱和,但沒深度。
威爆全场 发表于 2017-8-18 10:31 这位兄弟的分析我觉得就不怎么对了,Vce=Vpwm-Vf?电阻R1不用考虑压降了?
Jack315 发表于 2017-8-18 11:23 注意: BC 极之间加了二极管后(正极接在 R1 前面)…… 按 LZ 的图是另外一个故事。 结合 Q2 的工作情况 ...
威爆全场 发表于 2017-8-18 11:35 我觉得LZ的那个电路图中的二极管主要是给MOS管栅源极提供一个快速的充电过程,毕竟R2的阻值必定比R1的阻 ...
kissn123 发表于 2017-8-18 11:48 这样解释显然不对 首先PWM的电压是3.3v VCC是5v 其次Q1导通时,二极管D1.D2才会导通,当PWM为低时 Q1 ...
威爆全场 发表于 2017-8-18 12:00 MOS管是电压控制电压的器件,这个是P沟道增强型的MOS,当MOS管导通时,栅极电压为Vce,也就是低电压,那C ...
lhkjg 打赏了 1.00 元 2017-08-18
kissn123 发表于 2017-8-18 09:09 模电书中又讲 D1 D2在这里的作用的? 那一章节?我现在需要一个理论上的解释 ...
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