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[整流与稳压]

BUCK中肖特基二极管的作用

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HWM| | 2017-8-17 17:23 | 显示全部楼层
应该是防止Q1深度饱和的。

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steelen| | 2017-8-17 17:33 | 显示全部楼层
防止Q1深度饱和

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小营七郎| | 2017-8-17 17:36 | 显示全部楼层
HWM 发表于 2017-8-17 17:23
应该是防止Q1深度饱和的。

请问下什么叫 ”深度饱和” 呀?

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戈卫东| | 2017-8-17 20:13 | 显示全部楼层
小营七郎 发表于 2017-8-17 17:36
请问下什么叫 ”深度饱和” 呀?

你需要找本模电书翻翻。。。。。

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Wattle_He| | 2017-8-17 23:42 | 显示全部楼层
小营七郎 发表于 2017-8-17 17:36
请问下什么叫 ”深度饱和” 呀?

你需要上课好好听讲……

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kissn123|  楼主 | 2017-8-18 09:08 | 显示全部楼层
HWM 发表于 2017-8-17 17:23
应该是防止Q1深度饱和的。

防止深度饱和,那这是为了提高Q1的 截止速度吗?

或者是缩短Q1的关断时间?

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kissn123|  楼主 | 2017-8-18 09:09 | 显示全部楼层
戈卫东 发表于 2017-8-17 20:13
你需要找本模电书翻翻。。。。。

模电书中又讲 D1 D2在这里的作用的?
那一章节?我现在需要一个理论上的解释

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Jack315| | 2017-8-18 10:02 | 显示全部楼层
本帖最后由 Jack315 于 2017-8-18 10:05 编辑

参考 三极管的共发射极特性曲线 图 1-30:



一般三极管用做开关时,工作在截止区和饱和区。
在给定 VCC 和 PWM 电压的情况下,导通时

基极电流由 R1 确定:
Ib = (Vpwm - Vbe) / R1
Vbe = 0.65 ~ 0.70 V

集电极电流由 R2 确定:
Ic = (Vcc - Vce) / R2
Vce = 0.3 ~0.4 V

设计时,如果
1) Ic > hfe × Ib —— 放大区
2) Ic = hfe × Ib —— 在放大区与饱和区的交界处
3) Ic < hfe × Ib —— 饱和区

如果 Ic << hft × Ib,则三极管进入深度饱和区。
由于三极管退出(深度)饱和区需要一定的时间,
因而降低了开关速度。

BC 极之间加了二极管后(正极接在 R1 前面),导通时
Vce = Vpwm - Vf
Vf 为二极管导通电压 (0.5~0.6 V)
Vce = 3.3 - 0.5 = 2.8 V
此时,三极管工作在放大区,
防止了三极管进入饱和区,提高了开关速度。

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威爆全场| | 2017-8-18 10:31 | 显示全部楼层
Jack315 发表于 2017-8-18 10:02
参考 三极管的共发射极特性曲线 图 1-30:

这位兄弟的分析我觉得就不怎么对了,Vce=Vpwm-Vf?电阻R1不用考虑压降了?

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lihui567| | 2017-8-18 10:52 | 显示全部楼层
楼上讲解的哦很详细

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lihui567| | 2017-8-18 10:56 | 显示全部楼层
king5555 发表于 2017-8-18 08:00
防止Q1饱和,但沒深度。

如果Vce = Vbe - Vf这样算的话,VCE电压也很低啊,也就是饱和了

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Jack315| | 2017-8-18 11:23 | 显示全部楼层
本帖最后由 Jack315 于 2017-8-18 11:27 编辑
威爆全场 发表于 2017-8-18 10:31
这位兄弟的分析我觉得就不怎么对了,Vce=Vpwm-Vf?电阻R1不用考虑压降了?

注意: BC 极之间加了二极管后(正极接在 R1 前面)……
按 LZ 的图是另外一个故事。
结合 Q2 的工作情况,情况略微复杂一点,
未能做一个定性的理论分析。
是否能按设想的那样工作,恐另当别论。

通过仿真或实验才能明白真实的情况。
或有另外的作用也未尝可知。
有兴趣的朋友继续。

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威爆全场| | 2017-8-18 11:35 | 显示全部楼层
Jack315 发表于 2017-8-18 11:23
注意: BC 极之间加了二极管后(正极接在 R1 前面)……
按 LZ 的图是另外一个故事。
结合 Q2 的工作情况 ...

我觉得LZ的那个电路图中的二极管主要是给MOS管栅源极提供一个快速的充电过程,毕竟R2的阻值必定比R1的阻值大很多。

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gx_huang| | 2017-8-18 11:43 | 显示全部楼层
加一个肖特基二极管就够了,加2个真浪费。

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kissn123|  楼主 | 2017-8-18 11:48 | 显示全部楼层
威爆全场 发表于 2017-8-18 11:35
我觉得LZ的那个电路图中的二极管主要是给MOS管栅源极提供一个快速的充电过程,毕竟R2的阻值必定比R1的阻 ...

这样解释显然不对
首先PWM的电压是3.3v  VCC是5v
其次Q1导通时,二极管D1.D2才会导通,当PWM为低时 Q1  才截止

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威爆全场| | 2017-8-18 12:00 | 显示全部楼层
kissn123 发表于 2017-8-18 11:48
这样解释显然不对
首先PWM的电压是3.3v  VCC是5v
其次Q1导通时,二极管D1.D2才会导通,当PWM为低时 Q1   ...

MOS管是电压控制电压的器件,这个是P沟道增强型的MOS,当MOS管导通时,栅极电压为Vce,也就是低电压,那Cgs电压是否为5-Vce?要MOS截至,那门极电压是不是要5V?这个截至电压哪里来的?也就是Cgs的电压是如何为0V的?

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kissn123|  楼主 | 2017-8-18 15:54 | 显示全部楼层
本帖最后由 kissn123 于 2017-8-18 17:15 编辑
威爆全场 发表于 2017-8-18 12:00
MOS管是电压控制电压的器件,这个是P沟道增强型的MOS,当MOS管导通时,栅极电压为Vce,也就是低电压,那C ...

你的解释明显是错误的,我这里有关于 这个二极管用法的解释,是防止饱和的,目的是提高三极管的关断速度。
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lhkjg 打赏了 1.00 元 2017-08-18

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lhkjg 2017-8-18 23:58 回复TA
虽然自问自答了,感觉精神可嘉,特此打赏一下,虽然电路对我本人没有什么用至少暂时没有用。 
Jack315| | 2017-8-18 16:54 | 显示全部楼层
费了半天码字,却原来是考题

貌似考试还不及格

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kissn123 + 1 很给力!
Wattle_He| | 2017-8-20 19:17 | 显示全部楼层
kissn123 发表于 2017-8-18 09:09
模电书中又讲 D1 D2在这里的作用的?
那一章节?我现在需要一个理论上的解释 ...

我回复的哪楼看不见吗?模电不讲深度饱和?

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