三极管的深度饱和

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戈卫东| | 2017-12-2 21:51 | 显示全部楼层
没有标准。你可以自己定

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小和尚520|  楼主 | 2017-12-2 22:17 | 显示全部楼层
本帖最后由 小和尚520 于 2017-12-4 12:39 编辑
戈卫东 发表于 2017-12-2 21:51
没有标准。你可以自己定

pnp饱和时,cb极是正偏,若限制Vcb小于0.3V,
是否就可以防止进入深度饱和?

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戈卫东| | 2017-12-3 10:57 | 显示全部楼层
小和尚520 发表于 2017-12-2 22:17
pnp饱和时,cb极是正偏,若限制Vcb小于0.3V,
是否就可以防止进入深度饱和? ...

没有这种规定。

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xiaxingxing| | 2017-12-3 11:04 | 显示全部楼层
1、Ic的大小不随Ib的增大而增大,即不随Ib*放大倍数的增大而增大;2、RC*Ic很接近电源电压VCC。

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HWM| | 2017-12-3 11:35 | 显示全部楼层
to LZ:

三极管饱和有明确界定,这可以从三极管的特性曲线得知。若想追究其“源头”,那么得看器件原理类的书籍(譬如《半导体器件物理》)。

“深度饱和”,意味着“深入”到了饱和区内,其已经远离临界饱和。

“深度”在工程上有其明确的意义,这里举个例子——深度负反馈,意指反馈环路增益远大于1,而远大于1在数量级上表示至少大一个数量级。

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Jack315| | 2017-12-3 12:32 | 显示全部楼层
用一个图来说明下饱和深度的含义:
饱和深度.jpg

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戈卫东| | 2017-12-3 12:51 | 显示全部楼层
HWM 发表于 2017-12-3 11:35
to LZ:

三极管饱和有明确界定,这可以从三极管的特性曲线得知。若想追究其“源头”,那么得看器件原理类 ...

现在的教授都这德行?
模糊的描述你已经不能理解?
自己说“明确的定义”,然而举出的例子依然是模糊的。

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king5555 + 1 先敎他搞懂肖特基型三极管,他说是防止深度饱和。我说沒有深度!
雪山飞狐D| | 2017-12-3 17:53 | 显示全部楼层
本帖最后由 雪山飞狐D 于 2017-12-3 17:55 编辑

    就是那个三极管线性区,线性度的问题,具体数值未查,我这里举个例子,没有具体查权威定义,比如偏离线性1%,可以认为饱和,5%可以认为深度饱和

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小和尚520|  楼主 | 2017-12-3 23:15 | 显示全部楼层

但是为何有些应用在bc极加上肖特基来防止深度饱和的?

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cliffboy| | 2017-12-4 11:26 | 显示全部楼层
深度饱和?深度这个概念无法量化啊

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h286288986| | 2017-12-4 15:24 | 显示全部楼层
不同厂家,不同材料,不同应用,不同功率的管子分别对待,大致VCE<0.7V以下,ib与Icde关系不太固定。

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零点飞越| | 2017-12-4 18:58 | 显示全部楼层
术语 总则 GB/T4587 ,具体到某个晶体管,请参见该晶体管的数据手册。GB/T4587 GBT 4587-1994 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管.rar (2.88 MB)

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零点飞越| | 2017-12-4 19:19 | 显示全部楼层
本帖最后由 零点飞越 于 2017-12-4 19:39 编辑

这个标准中有饱和电压的限定,没有关于电流的限定。对于深度饱和是未定义的。以13005为例 ,看vce(sat)条文,对应标准中的“是在这样的”。

vce(sat).png


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caijie001| | 2017-12-4 23:32 | 显示全部楼层
小白不懂帮顶

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