打印

请教PMOS管为什么会DS极击穿

[复制链接]
7761|61
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
跳转到指定楼层
楼主
chest20090909|  楼主 | 2018-4-9 12:44 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
沙发
chunyang| | 2018-4-9 16:57 | 只看该作者
只能说输入存在瞬态过压,要么加压敏保护,要么提高管子耐压。不过,还得注意是否为过流烧毁短路。

使用特权

评论回复
板凳
xch| | 2018-4-9 17:57 | 只看该作者
0.6A ?  电阻负载? 没有电容?

使用特权

评论回复
地板
lyjian| | 2018-4-9 22:34 | 只看该作者
怎么看,Q4都是多余的

使用特权

评论回复
5
sdggg| | 2018-4-9 22:47 | 只看该作者
Q4做开关?为什么不是防接反用?击穿情况是接通电后还是接通电时击穿?

使用特权

评论回复
6
qwertwuyu| | 2018-4-9 23:13 | 只看该作者
sdggg 发表于 2018-4-9 22:47
Q4做开关?为什么不是防接反用?击穿情况是接通电后还是接通电时击穿?

Q4 就是开关啊,另外查了下mos管手册,SD耐压40V,电流持续6.4A。不该有问题啊

使用特权

评论回复
7
qwertwuyu| | 2018-4-9 23:14 | 只看该作者
lyjian 发表于 2018-4-9 22:34
怎么看,Q4都是多余的

Q4 就是开关啊,另外查了下mos管手册,SD耐压40V,电流持续6.4A。不该有问题啊。楼主怎么说多余?探讨下

使用特权

评论回复
8
一事无成就是我| | 2018-4-10 08:42 | 只看该作者
没啥探讨的,在DG之间接个小电容就解决问题了,猪你成功

使用特权

评论回复
9
chest20090909|  楼主 | 2018-4-10 08:47 | 只看该作者
xch 发表于 2018-4-9 17:57
0.6A ?  电阻负载? 没有电容?

VCC是供电给后级电路,后级电路的电源部分有LDO稳压芯片,输入输出有电解电容

使用特权

评论回复
10
chest20090909|  楼主 | 2018-4-10 08:50 | 只看该作者
lyjian 发表于 2018-4-9 22:34
怎么看,Q4都是多余的

因为没有机械电源开关,电源插头插入瞬间会有火花,想用Q4消火花,但好像没用

使用特权

评论回复
11
chest20090909|  楼主 | 2018-4-10 08:51 | 只看该作者
sdggg 发表于 2018-4-9 22:47
Q4做开关?为什么不是防接反用?击穿情况是接通电后还是接通电时击穿?

Q3是做开关,用来做单键电源开关

使用特权

评论回复
12
chest20090909|  楼主 | 2018-4-10 08:53 | 只看该作者
一事无成就是我 发表于 2018-4-10 08:42
没啥探讨的,在DG之间接个小电容就解决问题了,猪你成功

是在Q3的DG间接吗,一般用多少容值的电容呢

使用特权

评论回复
13
xch| | 2018-4-10 08:56 | 只看该作者
chest20090909 发表于 2018-4-10 08:47
VCC是供电给后级电路,后级电路的电源部分有LDO稳压芯片,输入输出有电解电容 ...

开关切换时瞬间功率损耗太大就烧了.热击穿,不是耐压问题

使用特权

评论回复
14
chest20090909|  楼主 | 2018-4-10 08:59 | 只看该作者
xch 发表于 2018-4-10 08:56
开关切换时瞬间功率损耗太大就烧了.热击穿,不是耐压问题

应该怎么减少瞬间功率损耗呢

使用特权

评论回复
15
gx_huang| | 2018-4-10 09:08 | 只看该作者
Q4只是一个PMOS的防反接电路,如果后面电容较大,或者输入电压较高,容易过流击穿,或者过压击穿。
请注意,输入啥器件都没有,插拔时浪涌很大的,容易过压的。输入应该加TVS、电容,滤除尖峰电压。
如果不考虑功耗,用肖特基二极管代替Q4,成本更低,更可靠。
别说6.4A的MOS管,30A的也一样会烧掉,要看单次浪涌的能量的。

使用特权

评论回复
16
lanseshuijing| | 2018-4-10 09:08 | 只看该作者
应该是瞬态过压造成,应该出现在导通或者关断的瞬间

使用特权

评论回复
17
chest20090909|  楼主 | 2018-4-10 09:13 | 只看该作者
本帖最后由 chest20090909 于 2018-4-10 09:19 编辑
gx_huang 发表于 2018-4-10 09:08
Q4只是一个PMOS的防反接电路,如果后面电容较大,或者输入电压较高,容易过流击穿,或者过压击穿。
请注意 ...

后面准备在电源输入加个TVS管,加一个元件(TVS管)会不会多一层失效因素
Q4没有击穿,击穿的是Q3

使用特权

评论回复
18
xch| | 2018-4-10 09:36 | 只看该作者
chest20090909 发表于 2018-4-10 08:59
应该怎么减少瞬间功率损耗呢

你把D,S管件对调.  并联个二极管,正极接VIN.

使用特权

评论回复
19
xch| | 2018-4-10 09:38 | 只看该作者
chest20090909 发表于 2018-4-10 08:59
应该怎么减少瞬间功率损耗呢

Q3 没事?

使用特权

评论回复
20
chest20090909|  楼主 | 2018-4-10 09:38 | 只看该作者
再详细报告下,最开始试的时候XL1509输入滤波电容C2用的470uF,一上电Q3的DS就击穿。把C2改成100uF不会一上电就击穿Q3,但还有小几率击穿Q3

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

121

主题

632

帖子

4

粉丝