pmos开关引起的的电压跌落问题如何分析?

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huarana|  楼主 | 2018-7-27 10:58 | 显示全部楼层 |阅读模式
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如图所示,有一款产品采用锂离子电池供电、通过一个pmos加上物理开关作为整机开关。
mos管后端是一个dcdc升压ic 。

设备开机以后pmos导通,后端加电 。   单片机控制dcdc的EN脚使能升压,当使能升压dc的瞬间造成MOS管输出脚电压跌落

单片机复位。(电压跌落约1.5V)

测试1  :导线短路mos管,电压跌落约0.25V ,工作正常。
测试2:用几十毫欧电阻替代mos管,电压跌落0.25V,工作正常。

现怀疑是mos管的米勒效应造成不能快速给后端提供电流。
但是弥勒效应好像是mos开通瞬间才有的现象,现在我们mos一直开通,仅仅后面dc打开瞬间造成跌落。
尝试给mos管GS并联电容,并无改善。

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xmar| | 2018-7-27 11:45 | 显示全部楼层
很可能是Vbat电压太低,导致PMOS管的Vgs太小,PMOS的导通电阻Ron变大,开启升压芯片时负载电流大,所以造成PMOS管输出脚电压跌落。

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CatKing| | 2018-7-27 12:02 | 显示全部楼层
AO3407是适用于VGS=-10V的,电流只有3.5A@70C
你确定这些参数适合你的电路?

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huarana|  楼主 | 2018-7-27 13:07 | 显示全部楼层
CatKing 发表于 2018-7-27 12:02
AO3407是适用于VGS=-10V的,电流只有3.5A@70C
你确定这些参数适合你的电路?

换过几款mos管收效甚微。  你有没有什么合适的型号推荐?   能达到3V左右导通的。    我测过SI4435  ,AO3415。。都不行

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huarana|  楼主 | 2018-7-27 13:07 | 显示全部楼层
xmar 发表于 2018-7-27 11:45
很可能是Vbat电压太低,导致PMOS管的Vgs太小,PMOS的导通电阻Ron变大,开启升压芯片时负载电流大,所以造成 ...

测试出现跌落的时候输入电压为3V。  可调电压源。

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一周一天班| | 2018-7-27 13:24 | 显示全部楼层
本帖最后由 一周一天班 于 2018-7-27 13:27 编辑

mos管脚对吗?

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xmar| | 2018-7-27 13:40 | 显示全部楼层
huarana 发表于 2018-7-27 13:07
测试出现跌落的时候输入电压为3V。  可调电压源。

3V电压低了。

AO3407改为PNP三极管S8550. 开关S2串联1K电阻。

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huarana|  楼主 | 2018-7-27 14:14 | 显示全部楼层
xmar 发表于 2018-7-27 13:40
3V电压低了。

AO3407改为PNP三极管S8550. 开关S2串联1K电阻。

又测了一下,改成开通电压更低的AO3415A后 跌落基本达到可接受范围。 只有0.3V。

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tty1| | 2018-7-31 15:21 | 显示全部楼层
huarana 发表于 2018-7-27 14:14
又测了一下,改成开通电压更低的AO3415A后 跌落基本达到可接受范围。 只有0.3V。 ...

AO3407导通电压高,DC-DC开通瞬间工作在放大状态。AO3415A导通电压低,DC-DC是否开通都工作在开关状态。

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