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带有半导体二极管电路的分析方法

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山东电子小菜鸟|  楼主 | 2018-9-22 17:26 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 山东电子小菜鸟 于 2018-9-22 17:32 编辑

.半导体的基础知识
1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。
  *P型半导体:   在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
  *N型半导体:   在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。

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山东电子小菜鸟|  楼主 | 2018-9-22 17:27 | 显示全部楼层
6. 杂质半导体的特性
 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
 *体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
 *转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结
   * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。
   * PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。

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山东电子小菜鸟|  楼主 | 2018-9-22 17:30 | 显示全部楼层
8. PN结的伏安特性
2345截图20180922172908.png

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山东电子小菜鸟|  楼主 | 2018-9-22 17:30 | 显示全部楼层
二. 半导体二极管
   *单向导电性------正向导通,反向截止。
   *二极管伏安特性----同PN结。
   *正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。
   *死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。

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山东电子小菜鸟|  楼主 | 2018-9-22 17:32 | 显示全部楼层
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:
  若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);
   若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。

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山东电子小菜鸟|  楼主 | 2018-9-22 17:34 | 显示全部楼层
2345截图20180922173354.png

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山东电子小菜鸟|  楼主 | 2018-9-22 17:35 | 显示全部楼层
2345截图20180922173452.png

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山东电子小菜鸟|  楼主 | 2018-9-22 17:35 | 显示全部楼层
稳压二极管及其稳压电路
*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区,所以稳压二极管在电路中要反向连接。


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山东电子小菜鸟|  楼主 | 2018-9-22 17:36 | 显示全部楼层
2345截图20180922173610.png

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