[电路/定理]

MOSFET N /P 控制作电源开关有什么区别?

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coody| | 2019-11-18 10:36 | 显示全部楼层
选MOSFET N 也可以的,但是你得提供一个更高的栅压才行,比如10V。

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lyzjhzdz|  楼主 | 2019-11-18 12:49 | 显示全部楼层
king5555 发表于 2019-11-18 08:24
选MOS N这种源极跟随的不行,不信去问別人。

谢谢,为什么?按原理好像也讲的通,GS>0.7v MOSFET 导通,2.5V 电压到达S极,是这样理解吗?

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lyzjhzdz|  楼主 | 2019-11-18 12:51 | 显示全部楼层
本帖最后由 lyzjhzdz 于 2019-11-18 12:53 编辑
coody 发表于 2019-11-18 10:36
选MOSFET N 也可以的,但是你得提供一个更高的栅压才行,比如10V。

这个MOSFET N 的Vgs (th)=0.7v    范围是正负20V,Vce 最大是30V,你说的栅压大于10V ,不理解?

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叶春勇| | 2019-11-18 12:52 | 显示全部楼层
lyzjhzdz 发表于 2019-11-18 12:49
谢谢,为什么?按原理好像也讲的通,GS>0.7v MOSFET 导通,2.5V 电压到达S极,是这样理解吗? ...

假设2.5Vout有负载,电阻上会产生电压。导致vgs又不导通,最后mos在导通与不导通之间找个一个平衡。就是个电压跟随器

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lyzjhzdz|  楼主 | 2019-11-18 12:57 | 显示全部楼层
叶春勇 发表于 2019-11-18 12:52
假设2.5Vout有负载,电阻上会产生电压。导致vgs又不导通,最后mos在导通与不导通之间找个一个平衡。就是 ...

奥,有点明白了,当外部负载有降压,导致VGS电压不确定了。

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叶春勇| | 2019-11-18 13:05 | 显示全部楼层
lyzjhzdz 发表于 2019-11-18 12:57
奥,有点明白了,当外部负载有降压,导致VGS电压不确定了。

是的,这个是负反馈电路,理论比较复杂。你可以百度 共漏放大电路,跟共集放大器类似。

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lyzjhzdz|  楼主 | 2019-11-18 13:17 | 显示全部楼层
叶春勇 发表于 2019-11-18 13:05
是的,这个是负反馈电路,理论比较复杂。你可以百度 共漏放大电路,跟共集放大器类似。 ...

叶老师,谢谢!

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fzyuan| | 2019-11-18 14:32 | 显示全部楼层
如果“2.5Vcontrol1”这个口子的电平是5V的,那就可以采用N沟道的MOSFET开关“2.5V”到“2.5VOUT1”的通路。
VBZ3400完全处于“开”“关”状态,哪来的什么“跟随器”!
只要VBZ3400的VGSon远小于 2.5Vcontrol1 - 2.5V 就可以了。

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fzyuan| | 2019-11-18 14:36 | 显示全部楼层
本帖最后由 fzyuan 于 2019-11-18 15:13 编辑

上一帖有些失误,还有个条件:“2.5Vcontrol1”后面的两个1k电阻只能剩一个,需要去掉竖着的那一个。

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tianxj01| | 2019-11-18 14:53 | 显示全部楼层
NMOS,首先你的假定就很难成立,最起码,栅极电压必须有1V左右,才可能正常导通,而且,低电阻导通,则一般必须为4.5V(那种23封装的比如AO3400)。那么现在你栅极最大供电如果就是2.5V,当输出有电压时候,则源极电压会抬升,该电压同时减去了实际栅极电压。所以,MOS管根本不能良好导通,由于栅极电压至少大于1V,这VDS肯定会有固定压降>1V。这就是不能简单的选择用N管做这样开关的道理。
当然当负载是Vcc---MOS管漏极时候,则我们就完全可以直接用2.5V去推定栅极,虽然没到最理想开通电压,至少可以保证最基本的开通了。

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pleee| | 2019-11-18 15:29 | 显示全部楼层
NMOS多用于高压侧驱动,但是G极需要提供比D极更高的电压。PMOS多用于低压侧驱动,但是同系列的PMOS价格以及导通内阻都要比NMOS高,因此发热量也稍微大一点。

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debug_shen| | 2019-11-18 15:48 | 显示全部楼层
pleee 发表于 2019-11-18 15:29
NMOS多用于高压侧驱动,但是G极需要提供比D极更高的电压。PMOS多用于低压侧驱动,但是同系列的PMOS价格以及 ...

看错了,sorry

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coody| | 2019-11-20 14:35 | 显示全部楼层
lyzjhzdz 发表于 2019-11-18 12:51
这个MOSFET N 的Vgs (th)=0.7v    范围是正负20V,Vce 最大是30V,你说的栅压大于10V ,不理解? ...

这个MOSFET N 的Vgs (th)=0.7v,那是开始导通,并不是完全导通。
你要控制2.5V电压,那么,假如Vgs=5V,那你就要一个7.5V的电压做栅压,S极是2.5V。

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