DDR内存带宽计算：

带宽=内存核心频率*内存总线位数（位宽）*倍增系数

其中DDR三种频率区别：

存储单元核心频率，又叫物理频率；

时钟频率=存储单元核心频率的2^（n-1）倍；

标称频率又叫有效数据传输频率=存储单元核心频率的2^n倍；

 

举个例子，DDR3，其内存依次从存储单元预读取8Bit数据，

一般内存名称上标注的数字就是标称频率，DDR 400，DDR2 800,DDR3 1600,DDR4 3200

其存储单元核心频率都是200M，根据一次性预读取的数据的位数来决定数据传输的有效频率。

SDRAM-DDR时代开始后，数据总线位宽：64bit；双通道技术：可获得64*2=128bit的位宽；

 

我们数电学过，内存容量=字数*字长=2^地址线
* 数据线，

例如：地址线12根，表示2^12个内存单元；

数据线16根，每根数据线每次只能传输一位，即2B=2*8bit,表示内存单元大小，一个内存单元常用字节为单位。

DDR存储容量：某个DSP支持15位行地址线，10位列地址线，16位数据线，3位BanK地址，存储容量=2^(10+15)*16*2^3=4Gb=512MB。

ROM与RAM的区别

此处须提一提ROM与RAM的区别。

RAM：Random Acess Memory，内存随机存储器，读写速率远快于ROM，对于电脑手机的配置起着决定性作用，内存越大，配置就会越好。很多程序是临时运行程序，存放在内存中，一旦掉电或关机，程序信息就完全清空了，因此，我们俗称的内存
Ram是用来临时存储一些信息的，不能长久保存。

常见应用：SDARM-DDR（手机内存4G>2G>1G）、SDRAM（内存的开始）、SRAM（静态存储器，贵，读写速度最快）；

 

DDR是RAM的一种，掉电后丢失信息，俗称动态缓存，用于临时存储一些资源，如传感器抓取的大量图像资源用于后续继续处理应用的，一般2G~4GB.

 

 

ROM：Read Only Memory：只读存储器，顾名思义，智能读出信息，不能写入信息，计算机掉电后，其内部的信息将会保存，不会被修改，保存的信息一般为固定的系统软件、配置文件和图片音乐等。俗称外部存储器（16GB、32GB、64GB、128GB等）。

常见应用：

FLASH——一种闪存，结合EPROM与E2PROM达到的，属于E2PROM的改进产品，特点容量较大，按块（Block）擦写，区块的大小跟厂家规格类似，擦写寿命有限估计上万次（像监控产品一般都有128MB-Flash）。

常特指Nand Flash即缓存（还有NOR
Flash），掉电后内部存储文件不丢失，一般用来存储软件程序（用于设备版本更新的），128MB=1Gbit=1024Gb/8=128MB.

应用：擦写少、数据量大的场合。

 

EMMC——NAND FLASH+控制管理单元（主要管理坏块，分配块资源），常用于存储预处理后的图像等资源，外存大小大致：16GB、32GB、64GB、128GB等。优势：外部存储器容量大，EMMC集成FLASH与controller，解决独立FLASH的兼容性与管理问题。

 

EPROM/E2PROM:特殊的闪存，容量较小，按字节（Byte）擦写，读写速度相对很慢，但稳定性好优于FLASH，价格便宜，且可擦写次数高（百万次），属于低端产品。

         掉电后，数据不丢失，以Byte为最小单位，常用于存储启动uboot或一些配置信息等，适合反复擦写的场合，但也有寿命要求。（在专用设备上擦除已有的信息，重新编程）。

 

 

拓展：外部存储器还有SD卡，TF卡，U盘，硬盘等，SD卡与TF卡本质没多大区别，

SD卡比TF卡大，有写保护（一个Block用于开关），TF卡没有；

SD卡应用于大一些的电子设备，电脑相机等，TF卡多应用与手机登便携式小型设备。

TF接入适配器（adapter）可转成SD卡，但SD卡不能转成TF卡。