日志
【浪拓电子】高浪涌电流（120A）放电管BS4200N-D-F
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浪拓电子提供各种半导体保护管过压瞬态抑制装置，专为满足电信和数据网络设备的要求而设计。
BS4200N-D-F系列适用于对负载值敏感的应用环境。 通常，高速连接需要较低的电容值。 微电容装置的电容值比标准N-C产品低40%。
该系列产品可进行表面贴装，使设备能够符合全球法规标准。
特征和优势:
n 低电压过冲
n 低通态电压
n 在限定范围内经受多次浪涌后，浪涌能力不会衰减
n 浪涌超过额定值时会发生短路故障
n 低电容
适用于全球各种标准:
n ITU K.20/21基本级别
n GR 1089 建筑物内部标准*
n IEC 61000-4-5*
n YD/T 1082
n YD/T 993
n YD/T 950
电性参数：
实例电路：
浪拓电子半导体保护管不仅涉及传统SMA、SMB、SMC封装，同时推出了SMB-F（平角）、SMB-T（二合一）SMC-T（二合一）封装。SMB-F拥有和SMB的兼容焊盘，但是产品厚度2.0mm；SMB-T和SMC-T采用SMB和SMC同等的体积实现了两路防护，布板用同样的空间可以实现原两个SMB或SMC 的功能。陶瓷封装大功率TSS芯片更是实现了高密封性可靠性要求。
