[MCU新闻] 【520新唐听我讲】+新唐单片机N76E003使用心得

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 楼主 | 2018-5-22 22:43 | 显示全部楼层 |阅读模式
        N76E003为新唐高速1T 8051 单片机系列产品,提供18 KB Flash ROM、可配置Data Flash与高容量1 KB SRAM,支持2.4V 至 5.5V宽工作电压与-40℃至105℃工作温度,并具备高抗干扰能力 7KV ESD/4KV EFT。
       N76E003 在20 pin封装下提供高达18根I/O脚位;周边包含双串口、SPI、I2C、6通道PWM输出;内建优于同类产品之 < 2% 误差之高16 MHz RC晶振与高分辨率8通道12位ADC;并具备自我唤醒、欠压检测等功能;提供TSSOP20 (4mm*6.5mm) 与QFN20 (3mm*3mm) 小封装,兼具高性能与设计弹性。
      广泛应用 :数字电压表头、气体检测器、采集器、充电器、美容仪器、小家电、门禁系统/警报器、温度传感设备、蓝牙音箱、电动车表头、等。
关键特性 :
内核(core)
- 1T 8051微处理器
- 工作频率可达 16 MHz
- 工作电压: 2.4V 至 5.5V
- 工作温度: -40℃ 至 105℃
内存(memory)
- 18 KB应用程序 Flash
- 内嵌1 KB SRAM
- 可配置的 Data Flash
- 支持在线系统更新:
ISP(In-System Programming)
ICP(In-Circuit Programming)
IAP(In-Application Programming)
脉波宽度调变(PWM)
- 6通道PWM输出
- 带死区产生器
模拟转数字转换器(ADC)
- 12位8通道ADC
- 每秒转换速率可达500 kSPS
通信接口(connectivity)
- 二组UART,可达115200 bps
- 一组SPI,可达8 MHz
- 一组 I2C,可达 400 kHz
时钟控制(clock control)
-内置< 2% 误差16 MHz 高精度RC晶振
-内置低速省电10 kHz RC晶振


 楼主 | 2018-5-22 22:50 | 显示全部楼层
N76E003的中文规格书在I/O端口结构及工作模式里面介绍了四种准双向,其中就包括了开漏与推换,他们两者之间有什么区别呢?
我们先看在实际中遇到的问题及回答。
最近发现N76E003的IO开漏接的上拉会被IO又拉低,怎么会这么惨?是这个芯片本身的问题吗?

现象描述: MCU电压3V,VCC电压4V。 VCC通过4.7K电阻接入IO口,IO口设置开漏。 输出1 (非0即1),此时IO口电压3.45V左右, 输出0,电压0V正常。
开漏端口不彻底?造成的影响是,控制PMOS时,有0.5V压差,造成无法关断。 请各位大咖指教。

开漏和推挽区别在于:
开漏,输出端相当于三极管的集电极,要得到高电平状态需要上拉电阻才行。 适合于做电流型的驱动,其吸收电流的能力相对强(一般20ma)。
推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件。
开漏电路就是指以MOSFET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。
推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止。
开漏模式开漏输出配置关闭所有内部上拉,当端口锁定为逻辑0时,仅打开驱动端口的下拉晶体管。当端口锁存为逻辑1时,它就和输入模式一样。通常用于I2C输出线上,开漏引脚需要加一个外部上拉电阻,典型连一个电阻到VDD。 用户需要注意的是,开漏模式输出逻辑1的时候,应该由外部设备或电阻提供一个确定的电平。悬浮的引脚在掉电状态下会引起漏电。
| 2018-5-22 23:21 | 显示全部楼层
我一般都是用准双向。
| 2018-5-23 22:24 | 显示全部楼层
IO没遇到过什么问题。
| 2018-5-23 22:24 | 显示全部楼层
可能你使用的不对。
| 2018-5-24 15:56 | 显示全部楼层
GPIO的模式要选择对。
| 2018-5-24 18:53 | 显示全部楼层
IO的几种模式要用对。
| 2018-5-25 23:07 | 显示全部楼层
开漏的用法用错了吧。
| 2018-5-25 23:07 | 显示全部楼层
你可以输入,输出,不知道你用开漏是要干啥。
| 2018-5-25 23:20 | 显示全部楼层
GPIO的模式好几个,最难的是开漏,因为这个概念不好理解,我一般不用这个模式。
 楼主 | 2018-5-27 16:30 | 显示全部楼层
各种模式有各种模式的使用方法和用途,比如在I2C上或者其他总线上面需要不控制的时候是OC,那就得使用开漏了,,,

| 2018-5-27 19:44 | 显示全部楼层
antusheng 发表于 2018-5-22 23:21
我一般都是用准双向。

请问N79E815A,p0.1直接给后面的场效应管DTU2N60提供pwm波。想要pwm为100k输出,然后怎么配置串口输出?求大神解答
| 2018-7-12 14:55 | 显示全部楼层
哪位大神知道怎么配置使用外部晶振啊,实际操作发现外部时钟输入稳定寄存器一直为1,不能由内部时钟切换到外部时钟,谢谢!
| 2018-7-15 20:00 | 显示全部楼层
总结的全面。
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