高阻状态

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| 2018-7-11 18:25 | 显示全部楼层
为啥也不用MEGA16了?呵呵
| 2018-7-11 18:28 | 显示全部楼层


是啊,82G516的I/O的状态时可以通过程序来设置成推挽,上拉,输入等状态,基本和M16的I/O差不多
| 2018-7-11 18:30 | 显示全部楼层

MPC82G516 的I/O口,默认是标准的8051 I/O口模式,工作在准双向,复位后输出为1,弱上拉。
| 2018-7-11 18:32 | 显示全部楼层
对,但是复位期间的状态应该是和普通51一样,是弱上拉,也就是高电平。
| 2018-7-11 18:34 | 显示全部楼层
改用复位后I/O口可设定为默认开漏模式的51芯片,这样I/O口控制的外设就不会动作,电路外围也不需要加个什么非门,也不用改什么外围电路了。
| 2018-7-11 18:37 | 显示全部楼层
我觉得MPC82G516的P0口设计时有点小问题。

上电复位时,
P0M0 端口P0 模式寄存器0,复位值=0000,0000B
P0M1 端口P0 模式寄存器1,复位值=0000,0000B
 楼主 | 2018-7-11 18:38 | 显示全部楼层
不是很理解
| 2018-7-11 18:56 | 显示全部楼层
即上电复位默认P0口为准双向端口,和传统的51单片机P0口上电复位默认P0口为开漏输出,不兼容!
| 2018-7-11 18:58 | 显示全部楼层

对,
否则,MPC82G516的P0口可满足你设计的要求。
| 2018-7-11 19:00 | 显示全部楼层
复位后的确是上拉~
| 2018-7-11 19:03 | 显示全部楼层
这个复位后上拉,是比较烦人,51改了这么久,也不做点改进。
| 2018-7-11 19:05 | 显示全部楼层

I/O是用来驱动8个三极管,看来非要加个IC不行了。
| 2018-7-11 19:07 | 显示全部楼层

改成低电平驱动可以吗?
| 2018-7-11 19:09 | 显示全部楼层
可改用复位后I/O口可设定为默认开漏模式的51芯片,这样I/O口控制的外设就不会动作,电路外围也不需要加个什么非门,也不用改什么外围电路了。
| 2018-7-11 19:11 | 显示全部楼层
这类复位后I/O口可设定为默认开漏模式的51芯片,很常规很通用的,在中国的用量也挺广挺多的,网上去搜一下,就能找到。
| 2018-7-11 19:14 | 显示全部楼层
可以用低推的方法来解决这个问题,而且灌电流要比驱动电流要大很多.
| 2018-7-11 19:16 | 显示全部楼层

Megawin(笙泉)单片机比其他51单片机最占优势的地方在于仿EEPROM容量可以划分较大,对某些需要较大EEPROM存储数据的应用,可以省去外接EEPROM, 简化结构,降低成本。
| 2018-7-11 19:18 | 显示全部楼层

M16复位期间I/O口是高阻状态 : 是否按住复位鍵不放.
否則應該會立即執行主程序的
| 2018-7-11 19:20 | 显示全部楼层

GPIO型需要加下拉电阻来确保初始化状态。
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