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[电路/定理]

mos管的栅极电荷

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楼主
953565250|  楼主 | 2015-10-16 13:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管, 栅极电荷, 电流, 驱动电流, 电压

栅极电荷QG是使栅极电压从0升到10V所需的栅极电荷，它可以表示为驱动电流值与开通时间之积。

这句话的意思是 栅极电荷是越小越好吗？驱动电流要选多大合适？

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沙发
HWM| | 2015-10-16 13:43 | 只看该作者
这句话的意思是 栅极电荷是越小越好吗？驱动电流要选多大合适？

要求速度，那么自然是“栅极电荷”（其实指电容）越小越好。至于需要多大电流，要看那个电容的大小和所需速度（时间），这个在《电路》类书籍中有。

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板凳
953565250|  楼主 | 2015-10-16 14:08 | 只看该作者
所以mos管的“开”时间可以近似看成电容Vgs和Vgd充满的时间？

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地板
皈依| | 2015-10-16 14:23 | 只看该作者
时间不会你想定就能定的 是根据工艺决定的

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5楼
maychang| | 2015-10-16 14:52 | 只看该作者
953565250 发表于 2015-10-16 14:08
所以mos管的“开”时间可以近似看成电容Vgs和Vgd充满的时间？

不仅是Vgs和Vgd，实际应用中还有一个电容，称为密勒电容。这个电容，是漏极电压变化对门极充电的影响。

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6楼
coody| | 2015-10-17 22:14 | 只看该作者
栅极电压上升率并不是越快越好，要根据具体的管子和具体的要求。
假设栅极总等效电容为0.01uF（有的大功率管就有这么大），要求0.1us由0V上升到10V，则驱动电流需要1A，这就是为什么一些开关电源芯片的驱动能力要达到1A或以上的原因（比如3842）。

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