用EEPROM模块碰到问题这么解决

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楼主

ni_labview| 初级工程师

楼主 | 2009-5-21 16:22 | 只看该作者回帖奖励

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EEPROM, TE, flash, ST, WRITE

涉及到EEPROM模块存储数据应用时，在24，27等系列PSOC中由于RAM只有256字节限制，建议不用此模块，因为此模块占用RAM空间大（堆栈占用），容易出错。用flashblock.h下面的函数，很省空间，而且效果不错。
用时要别忘了注意不同系列的这个函数block ID区别。

例如24系列如下：

typedef struct
{
   BYTE           bARG_BlockId;           // block ID
   BYTE  *        pARG_FlashBuffer;       // flash buffer pointer - 2 bytes
   CHAR           cARG_Temperature;       // die Temperature, -40 to 100
   BYTE           bDATA_PWErase;          // Temporary storage (reserved)
   BYTE           bDATA_PWProgram;        // Temporary storage (reserved)
   BYTE           bDATA_PWMultiplier;     // Temporary storage (reserved)
}
FLASH_WRITE_STRUCT;

extern BYTE bFlashWriteBlock( FLASH_WRITE_STRUCT * pFlashWriteData );

29系列如下：
// FlashWrite argument/data structure
typedef struct
{
   WORD           wARG_BlockId;           // block ID
   BYTE  *        pARG_FlashBuffer;       // flash buffer pointer - 2 bytes
   CHAR           cARG_Temperature;       // die Temperature, -40 to 100
   BYTE           bDATA_PWErase;          // Temporary storage (reserved)
   BYTE           bDATA_PWProgram;        // Temporary storage (reserved)
   BYTE           bDATA_PWMultiplier;     // Temporary storage (reserved)
}
FLASH_WRITE_STRUCT;

extern BYTE bFlashWriteBlock( FLASH_WRITE_STRUCT * pFlashWriteData );   // Class 3 function

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