[技术]

MOSFET的反向恢复

[复制链接]
3786|65
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
pmp| | 2016-2-21 20:19 | 显示全部楼层
反向恢复行为通常采用双脉冲测试方法进行评估

使用特权

评论回复
i1mcu| | 2016-2-21 20:20 | 显示全部楼层
如果它的反向恢复时间”trr”太长,就可能无法获得内在拓扑提供的效率优势

使用特权

评论回复
cehuafan| | 2016-2-21 20:21 | 显示全部楼层
反向恢复时间(trr)非常重要。

使用特权

评论回复
uptown| | 2016-2-21 20:22 | 显示全部楼层
即使在开关损耗最小的谐振拓扑中,MOSFET的寄生二极管也作用重大

使用特权

评论回复
i1mcu| | 2016-2-21 20:22 | 显示全部楼层
高速开关配置高速Trr

使用特权

评论回复
pmp| | 2016-2-21 20:23 | 显示全部楼层
功率耗损也会随之变化

使用特权

评论回复
i1mcu| | 2016-2-21 20:23 | 显示全部楼层
沟槽FET具有更加出色的反向恢复性能

使用特权

评论回复
i1mcu| | 2016-2-21 20:25 | 显示全部楼层

trr 越短,损耗越小。

使用特权

评论回复
uptown| | 2016-2-21 20:26 | 显示全部楼层
,影响功率MOSFET的安全工作 。

使用特权

评论回复
cehuafan| | 2016-2-21 20:28 | 显示全部楼层
由于di/dt直接影响了反向恢复电流IRR的大小

使用特权

评论回复
i1mcu| | 2016-2-21 20:28 | 显示全部楼层
不能忽视其反向恢复特性对系统的影响

使用特权

评论回复
pmp| | 2016-2-21 20:28 | 显示全部楼层
控制合适的开关速度来控制反向恢复时

使用特权

评论回复
pmp| | 2016-2-21 20:41 | 显示全部楼层
马达控制应用?

使用特权

评论回复
i1mcu| | 2016-2-21 20:42 | 显示全部楼层
反向恢复时间就是正向导通时PN结存储的电荷耗尽所需要的时间。

使用特权

评论回复
i1mcu| | 2016-2-21 20:43 | 显示全部楼层
快恢复的最主要特点是它的反向恢复时间

使用特权

评论回复
pmp| | 2016-2-21 20:43 | 显示全部楼层
过选择具有较软恢复系数的MOSFET来进行设计

使用特权

评论回复
i1mcu| | 2016-2-21 20:43 | 显示全部楼层
电流通过零点由正向转换成反向,再由反向转换到规定值的时间间隔。

使用特权

评论回复
cehuafan| | 2016-2-21 20:44 | 显示全部楼层
它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。

使用特权

评论回复
i1mcu| | 2016-2-21 20:45 | 显示全部楼层
超快恢复二极管甚至能达到几十纳秒。

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

5

主题

4248

帖子

3

粉丝