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TTL与 COMS的区别(自己整理)

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zhangchuan@123|  楼主 | 2016-9-18 17:11 | 显示全部楼层 |阅读模式
TTL和CMOS的区别
TTL和COMS电平比较:
(一)TTL高电平3.6~5V,低电平0V~2.4V
CMOS电平Vcc可达到12V
TTL电路不使用的输入端悬空为高电平
另外,CMOS集成电路电源电压可以在较大范围内变化,因而对电源的要求不像TTL集成电路那样严格。
(二)TTL电平是5V,CMOS电平一般是12V。
因为TTL电路电源电压是5V,CMOS电路电源电压一般是12V。
5V的电平不能触发CMOS电路,12V的电平会损坏TTL电路,因此不能互相兼容匹配。
(三)TTL电平标准
输出 L: <0.8V ; H:>2.4V。
输入 L: <1.2V ; H:>2.0V
TTL器件输出低电平要小于0.8V,高电平要大于2.4V。输入,低于1.2V就认为是0,高于2.0就认为是1。
CMOS电平:
输出 L: <0.1*Vcc ; H:>0.9*Vcc。
输入 L: <0.3*Vcc ; H:>0.7*Vcc.
TTL和COMS电路比较:
   
TTL                                            CMOS
TTL电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。
TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。
COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25--50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象

总体特性比较:
1.CMOS是场效应管构成,TTL为双极晶体管构成
2.COMS的逻辑电平范围比较大(5~15V),TTL只能在5V下工作
3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差
4.CMOS功耗很小,TTL功耗较大(1~5mA/门)
5.CMOS的工作频率较TTL略低,但是高速CMOS速度与TTL差不多相当。

3、COMS电路的锁定效应:
COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。
防御措施:
(1)、在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过不超过规定电压。
(2)、芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压。
(3)、在VDD和外电源之间加线流电阻,即使有大的电流也不让它进去。
(4)、当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路得电源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS电路的电源。
4、COMS电路的使用注意事项
(1)、COMS电路时电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。
(2)、输入端接低内组的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在1mA之内。
(3)、当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻。
(4)、当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻。电阻值为R=V0/1mA.V0是外界电容上的电压。
(5)、COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS。
5、TTL门电路中输入端负载特性(输入端带电阻特殊情况的处理):
1、悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。
2、在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平,输入端出呈现的是高电平而不是低电平。因为由TTL门电路的输入端负载特性可知,只有在输入端接的串联电阻小于910欧时,它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来,串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电平。这个一定要注意。
COMS门电路就不用考虑这些了。
6、TTL电路有集电极开路OC门,MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门,它的输出就叫做开漏输出。
QQ图片20160918171037.png
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xyz549040622| | 2016-9-20 08:19 | 显示全部楼层
确实是些基本的东西,学习了。

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