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【功率器件心得分享】+浅谈功率器件的发展、应用及设计...

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yaoyuanytu|  楼主 | 2016-10-6 08:55 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 yaoyuanytu 于 2016-10-6 08:59 编辑

       看到论坛的活动,的确如版主所述大部分都是玩MCU芯片,玩模拟电路的应该不太多,那么在功率器件方面肯定不得心应手我自己也很少涉及这样的电路器件,特别是新兴材料功率器件更是知之甚少,所以在下面这篇**,主要是从普及功率器件基础知识出发,再漫谈下在行业中的应用,最后再谈谈功率器件设计开发流程。
       首先我们先说传统的LDMOS功率器件和新兴材料GaNGaAs等功率器件的是什么?有什么区别?LDMOSLaterally Diffused Metal OxideSemiconductor缩写;意思是横向扩散金属氧化物半导体。作为一种RF 功率放大器的材料,主要用在900MHZ的无线电设计场合,之前伴随世界的无线电普及与蜂窝技术发展,与更传统的双极型晶体管BJT相比,LDMOS管的增益更高,LDMOS管的增益可达14dB以上,而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件,从而增大功放的可靠性。随着在射频方面的使用,LDMOS材料成为RF器件的主流。随着科技和通信行业的发展和市场需求,新兴材料GaNGaAs等出现,开启射频功率器件的新**。GaN是氮化镓由于带隙宽、发光光效率高、电子漂移饱和速度高、热导率高、硬度大、介电常数小、化学性质稳定以及抗辐射、耐高温等特点,在高亮度发光二极管、紫外—蓝光激光器和紫外探测器等光电子器件以及抗辐射、高频、高温、高压等电子器件领域有着巨大的应用潜力。其特性如下:GaN是一种极稳定,坚硬的高熔点材料,熔点约为1700℃。GaN具有高的电离度,在大气压下,GaN晶体一般是六方纤锌矿结构。它在一个晶胞中有4个原子。因为其硬度高,又可以作为良好的涂层保护材料。在室温下,GaN不溶于水、酸和碱,而在热的碱溶液中溶解速度又非常缓慢。GaN基材料是直接跃迁型半导体材料,具有优良的光学性能,可作出高效率的发光器件,GaN基LED的发光波长范围可从紫外到绿色光GaN的电学性质是决定器件性能的主要因素。目前GaN的电子室温迁移率可以达到900cm²/(V * s)。GaN材料所具有的禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和速度高是制作高温、大功率器件的最佳材料。我们在看看LDMOS与GaN的区别:从等效输出功率、稳定性、合成复合型放大器阶段等方面来说。输入与输出特性都要GaN器件都要优于LDMOS器件;从稳定性来说:如下图所示
1.png

可以知道:GaN与LDMOS关键区别在于,在7V-28V的情况下,GaN与LDMOS稳定性几乎相近,但是却存在较低电压下LDMOS不稳定因素。
    2.png

典型的电压-寄生电容(CV)特性如上图所示,更加紧凑的功率密度GaN产生更小的寄生电容值。
下面我们谈谈以GaN为代表的新兴材料器件的应用:
       GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场,是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前,随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破,成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管(MESFET)、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管(MODFET)等新型器件。调制掺杂的AlGaN/GaN结构具有高的电子迁移率(2000cm2/v·s)、高的饱和速度(1×107cm/s)、较低的介电常数,是制作微波器件的优先材料;GaN较宽的禁带宽度(3.4eV) 及蓝宝石等材料作衬底,散热性能好,有利于器件在大功率条件下工作。GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料,GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。在探测器方面,已研制出GaN紫外探测器,波长为369nm,其响应速度与Si探测器不相上下。GaN探测器将在火焰探测、导弹预警等方面有重要应用。
最后我们探讨下GaN器件RF功率放大电路基础设计,根据通讯系统的频率范围不同,运用不同的GaN产品来设计,可以根据不同厂家的参数来选取适合应用场合的RF器件.


3.png

上图为无线通信发射机的框图.功率放大电路的重要指标是饱和输出功率、效率、线性度、功率增益和频带外的寄生输出等.可以将功率放大电路分为A/B/C/D四类.
功率放大电路有几个要求和特点:
  • 输出功率尽可能大且不失真。
  • 转换效率要高。
  • 非线性失真要小,使晶体管工作在极限状态,所以晶体管特性引起的非线性失真不可避免。
  • 功放电路中晶体管的现在和散热问题。要输出最大功率,功放管结温和外壳温度升高,所以在外壳上加一定面积的散热片。
  • 4.png
  • 上图为一般的单级功率放大电路图。
  • 设计的主要工作有几个方面:
    1.设计功放匹配电路.在常规的频带范围内,对于中间级和末级功放晶体管进行稳定性分析和设置静态工作点,继而进行宽带阻抗匹配电路设计.静态工作点可以根据基础的三极管静态点设置方法参考设计,不在详细叙述.
    2.设计功放的偏置电源电路.电路根据器件的电源要求设计,对于有负压电源的,设计负压电源,应该设置过流保护功能,可以借助Orcad模拟电路仿真软件进行,方便修改设计出满足要求的电源电路.
    3.最后绘制功率放大电路和偏置电源电路PCB,通过对硬件电路调试,得到整体满足设计性能的电路.
  • 最后欣赏下设计完的高频天线电路板:

    射频天线板

    射频天线板
    IMG_20160930_164239.jpg IMG_20160930_164218.jpg
  • 本文完结,谢谢观赏。祝小伙伴们国庆节快乐!Work hard,play hard!


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