EEPROM擦写寿命是按单个地址算还是按一个扇区算?

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 楼主 | 2017-3-3 18:11 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 幸福至上 于 2017-3-3 18:15 编辑

看到很多MCU芯片手册上都有这样描述其片上EEPROM:“ 擦写次数在10万次以上”。看到EEPROM存储区一般都是分扇区的,256或512个字节为一个扇区。那问题来了,如果我在扇区0的0x00 ~ 0x0A地址反复擦写数据,那么是整个扇区的擦写寿命缩短还是这几个反复擦写的地址空间寿命缩短了呢?因为一般看手册上说,要擦除数据,都是按扇区操作的。亦即是说在每次对那几个指定地址数据进行擦写时,都会将整个扇区擦除一遍,所以我就很疑问这样会缩短整个扇区其它未写数据的地址空间的寿命吗?亦或者说擦除操作对EEPROM寿命是否会有影响呢?能有明确文档说明最好,我在几款MCU的EEPROM章节都没找到关于这个寿命的具体解释,难道这是个很常识的东西。。。
| 2017-3-3 21:27 | 显示全部楼层
水桶原理啊,水桶的能装多少水,是有最短的那块木头决定的。
只要坏了一块,水桶的寿命也就到了。
| 2017-3-3 21:36 | 显示全部楼层
EEPROM不分什么扇区,以字节为操作单位,分扇区的是FLASH。MCU集成的EEPROM是专做非易失数据存储器的,占用地址是RAM空间。MCU集成的FLASH是程序存储器,支持IAP的话,可以利用FLASH程序存储器作为非易失数据存储器,但性质与EEPROM可不同。非易失存储器的可擦写寿命由最短寿的那一字节决定,不论EEPROM还是FLASH均如此。有些做数据存储的大容量FLASH则以坏块的百分比作为寿命判定依据,显然放宽了很多。
| 2017-3-4 08:06 | 显示全部楼层
EEPROM不分扇区的,分页,这是不同的概念。
担心存储器寿命可以用FRAM存储器,这个寿命长
| 2017-3-4 22:03 | 显示全部楼层
单个,可以用空间换寿命
| 2017-3-4 22:25 | 显示全部楼层
MCU上的EEPROM都是拿FLASH模拟的,所以都标称10万次擦除。

真正的EEPROM都是百万次擦除。
| 2017-3-4 23:46 | 显示全部楼层
得按扇区擦的是 假eeprom
 楼主 | 2017-3-5 13:43 | 显示全部楼层
dirtwillfly 发表于 2017-3-4 08:06
EEPROM不分扇区的,分页,这是不同的概念。
担心存储器寿命可以用FRAM存储器,这个寿命长 ...

哦,我就说用微芯的,是按地址擦写。宏晶的是按扇区擦写,感情不是真正意义上的eeprom.fram听说过,铁电存储,最开始在ti的芯片上看到。手册上说理论无使用寿命限制,实际使用真是如此吗?
 楼主 | 2017-3-5 13:44 | 显示全部楼层
mcuisp 发表于 2017-3-4 23:46
得按扇区擦的是 假eeprom

明白,这才搞清楚这点
 楼主 | 2017-3-5 13:47 | 显示全部楼层
dalarang 发表于 2017-3-4 22:25
MCU上的EEPROM都是拿FLASH模拟的,所以都标称10万次擦除。

真正的EEPROM都是百万次擦除。 ...

哦哦,谢谢。难怪我用微芯的芯片时,eeprom就那么点,也可以按地址操作。而国产宏晶的则要按扇区操作,原来宏晶的是用flash模拟的。这点之前还真没注意到。
 楼主 | 2017-3-5 13:48 | 显示全部楼层
wztoad 发表于 2017-3-4 22:03
单个,可以用空间换寿命

空间换寿命,有思路吗?
 楼主 | 2017-3-5 13:53 | 显示全部楼层
cjseng 发表于 2017-3-3 21:27
水桶原理啊,水桶的能装多少水,是有最短的那块木头决定的。
只要坏了一块,水桶的寿命也就到了。 ...

看后面大家的回复,真正意义上的eeprom可以按地址操作,那么写废了一个地址,应该还可以换下个地址。flash模拟的则是整个扇区报废。不知是这个意思吗
| 2017-3-5 16:16 | 显示全部楼层
幸福至上 发表于 2017-3-5 13:53
看后面大家的回复,真正意义上的eeprom可以按地址操作,那么写废了一个地址,应该还可以换下个地址。flas ...

FLASH也是按地址写入的,与EEPROM的差别在于擦除方式,FLASH必须先擦除,且是以扇区为单位擦除,然后再按地址写入。EEPROM则全部按地址操作,且写入前不需要先擦除,可以直接覆盖写入,所谓“擦除”操作其实就是写入全1的写操作。注意,对EEPROM进行擦除操作将浪费一次写入寿命。
为延长寿命,EERPOM可以在某个地址写入若干次后换个地址继续写入,而FLASH则必须换个扇区,同一扇区哪怕只坏了一个字节也得全扇区报废。
 楼主 | 2017-3-6 00:10 | 显示全部楼层
chunyang 发表于 2017-3-5 16:16
FLASH也是按地址写入的,与EEPROM的差别在于擦除方式,FLASH必须先擦除,且是以扇区为单位擦除,然后再按 ...

嗯,谢谢春阳大大讲解,终于是搞明白了,终于可以开工写一个延长eeprom寿命的均匀磨损算法了。
| 2017-3-6 07:05 | 显示全部楼层
幸福至上 发表于 2017-3-5 13:43
哦,我就说用微芯的,是按地址擦写。宏晶的是按扇区擦写,感情不是真正意义上的eeprom.fram听说过,铁电存 ...

是的,至少我还没听说谁的铁电存储器的msp430擦写坏
 楼主 | 2017-3-6 11:18 | 显示全部楼层
dirtwillfly 发表于 2017-3-6 07:05
是的,至少我还没听说谁的铁电存储器的msp430擦写坏

有机会试试,听说FRAM的操作功耗挺低的,很适合低功耗场景。
| 2017-3-6 17:07 | 显示全部楼层
幸福至上 发表于 2017-3-6 11:18
有机会试试,听说FRAM的操作功耗挺低的,很适合低功耗场景。

是的
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