[开关电源]

氮化镓GaN功率MOS在电源设计中的应用-TPH3202与TPH3206

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elibin|  楼主 | 2017-7-7 14:23 | 显示全部楼层 |阅读模式
    第三代 半导体材料——氮化镓( GaN),作为时下新兴的半导体工艺技术,提供超越硅的多种优势。与硅器件相比,GaN在 电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃,广泛应用于 功率因数校正(PFC)、软开关 DC-DC等电源系统设计,以及电源适配器、光伏 逆变器或 太阳能逆变器、服务器及通信电源等终端领域。
    目前电源设计中主要运用的还是Cool-mosfet设计;随着GaN  MOS的普及,GaN  MOSFET将革新在电源/光伏,逆变,汽车,电机控制方面的应用;GaN的主要优势在于更高的工作温度。GaN提供高电子迁移率;更高的开关频率;而低损耗加上宽带宽器件的高结温特性,可降低散热量,高开关频率可减少滤波器和无源器件如变压器、电容、电感等的使用,最终减小系统尺寸和重量,提升功率密度,有助于设计人员实现紧凑的高能效电源方案.
   在开关电源设计中采用Transhporm(全球第一家认证过的GaN企业)的TPH3202与TPH3206,适用于在100-1200W的开关电源;
   
   

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elibin|  楼主 | 2017-7-7 14:38 | 显示全部楼层
适合于大功率的GaN器件可选TPH3205WS或TPH3207WS(2500-6000W)
参考设计与Demo开发中;
关于样品.选型代理支持 :QQ1718890231

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