擦除和写入时间

1万 · 2017-7-8 20:02

Cy的芯片内部可以用Flash模拟为EEPROM使用.但是其有严格的擦除和写入时间要求,并且该时间是温度的函数.setting T to 0°C and using the hot value for B and M. This simplification is acceptable only if the total number of erase write ycles are kept to less than 10 and the operation is performed near room temperature.翻译为:设置温度T=0°C,并使用高温段的B和M参数计算擦除和写入时间.在芯片实际温度为室温时,芯片的擦除和写入寿命小于等于10次(不是100次也不是1000次,而是十次).
其内部的温度传感器误差为:Accuracy of ± 20°C with no calibration .没有校正的误差为± 20°C.
使用该温度计算出来的擦除和写入时间参数EEPROM的寿命会是多少?

1万 · 2017-7-8 20:03

难点是什么

1万 · 2017-7-8 20:06

校正温度传感器误差

1万 · 2017-7-8 20:10

不现实,生产量太大

2万 · 2017-7-8 20:13

使用外部温度传感器

1万 · 2017-7-8 20:15

成本太高

1万 · 2017-7-8 21:54

单个的传感器不贵吧

1万 · 2017-7-8 21:56

是，但是量变成质变啊

1万 · 2017-7-8 21:58

一般情况下，不要将FLASH当EEPROM用，也不要将EEPROM做RAM用。

1万 · 2017-7-8 21:59

对，尽管可以这样使用，但实际上存在问题，寿命和操作时间最突出。

1万 · 2017-7-8 22:04

只适合个别的，如只放一个固定的表格

1万 · 2017-7-8 22:05

嗯，或不会“频繁”操作使用的情况。

1万 · 2017-7-8 22:07

在常温下PSOC flash的块擦写寿命可达4万次,如果采用滚动写入算法寿命还要增加，
问题的关键在于擦写时必须保证电源的稳定性，我们用PSoc已经6年(200万片)，目前还未
出现您所怀疑的问题，请仔细阅读技术样本

1万 · 2017-7-8 22:09

哦，我再看看，先结贴了