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想了解非易失性SRAM

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实习生

 楼主| 发表于 2017-8-11 10:38 | 显示全部楼层 |返回版面||阅读模式
我们最近在做一个新的项目,需要用到非易失性存储器,知道有mram fram不太清楚两者在实际上应用如何?
      

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中级技术员

发表于 2017-8-11 10:41 | 显示全部楼层 |返回版面
以下三款类型算容量比较大的高速非易失性存储器,可以了解一下哦
1、NVSRAM,是一种双体结构的非易失性SRAM,这种存储器内部包含两个存储体:一个是供用户读写的普通SRAM,另一个是与SRAM容量相同、供数据备份用的EEPROM(或Quantum Trap)。正常工作状态下,微处理器访问NVSRAM时,所操作的是SRAM,只有在电源断电时,芯片自动把SRAM中的内容快备份到EEPROM(或Quantum Trap)中,使内容不会丢失;在下次电源加电时,它又把EEPROM中保留的备份内容自动恢复到SRAM中。大容量NVSRAM比较典型的有Cypress的CY14B104(512Kx8/256Kx16)、CY14B108(1Mx8/512Kx16),读写周期高达20ns。这种芯片有一个小小缺陷是必须外接一只大容量的电容,用于掉电备份数据时缓冲电源供电。此外,在国内市场不易买的。

2、FRAM,即“铁电存储器”。其核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储器同时拥有RAM和ROM的特性。晶阵中的每个自由浮动的原子只有两个稳定状态,一个用来记忆逻辑“0”,另一个用来记忆逻辑“1”。数据状态可保持100年以上。FRAM产品具备一系列超级特性。比如,高速随机读写(存取时间只有55ns)、

超低功耗(只有EEPROM的1/2500)和几乎无限次的读写周期(可达10的14方次)。RAMTRON公司是FRAM的发明和生产者,目前面市的大容量型号有;FM21L16(256Kx8/128Kx16)、FM22L16(512Kx8/256Kx16)。与NVSRAM不同,FRAM的数据写入与备份是同步进行的,因此也不存在恢复操作。

3、MRAM,即“磁阻RAM”,是Freescale公司的专利产品,采用磁隧道结(MTJ)结构来进行数据存储。MRAM利用磁性材料和传统的硅电路在单个器件中提供了SRAM的高速度和闪存的非易失性,它的寿命几乎是没有限制的 。MRAM器件可以用于高速缓冲器、配置内存和其他要求高速、耐用和非易失性的商业应用。目前的产品型号有:MR0A16~MR2A16,容量为:128Kx8/64Kx16~512Kx8/256Kx16,读写周期为35 ns。

值得注意的是,由于都采用RAM结构,FRAM和MRAM引脚完全兼容,NVRAM除有外接电容引脚和地址线编号不太一样外(如果处理器通过FPGA与其相连则可重定义),基本兼容。 
访问wwww.sramsun.com,更多存储芯片SRAM资讯等着您!

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中级技术员

发表于 2017-8-11 21:24 | 显示全部楼层 |返回版面
我们产品用铁电多一点
     

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实习生

 楼主| 发表于 2017-8-14 14:36 | 显示全部楼层 |返回版面
英尚微电子 发表于 2017-8-11 10:41
以下三款类型算容量比较大的高速非易失性存储器,可以了解一下哦
1、NVSRAM,是一种双体结构的非易失性SRAM ...

好的,谢谢,我看看
     

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实习生

 楼主| 发表于 2017-8-14 14:36 | 显示全部楼层 |返回版面
剑倾、天下 发表于 2017-8-11 21:24
我们产品用铁电多一点

我也看一下铁电的产品,谢谢哦

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坛主

发表于 2017-8-14 16:02 | 显示全部楼层 |返回版面
一是用非易失的高速存储器,比如铁电等,2楼所及除铁电外很少用到,因为实在太贵了。用铁电的话,务必注意速度指标是否满足。二是用常规SRAM,再自行搭建后备电池系统,实现掉电数据维持,也有这样的存储器模块成品卖。
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高级技术员

发表于 2017-8-18 17:10 | 显示全部楼层 |返回版面
做FRAM最大的RAMTRON已经被CYPRESS收了,cypress在推他自己的NVRAM,MRAM怕磁场,看实际应用场合,一般服务器用的多,因为大容量相对成本便宜点。
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