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[整流与稳压]

BUCK中肖特基二极管的作用

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楼主: kissn123
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kissn123|  楼主 | 2017-8-27 16:06 | 显示全部楼层
HWM 发表于 2017-8-21 12:03
文中说的“导通状态很接近截止状态”,那是瞎扯!

瞎扯的是你吧,不要排斥别人的说法,不通意见可以讨论。

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maychang| | 2017-8-27 16:33 | 显示全部楼层
kissn123 发表于 2017-8-27 16:06
瞎扯的是你吧,不要排斥别人的说法,不通意见可以讨论。

你20楼贴出来的那段文字,是铃木雅臣《晶体管电路设计 下册》,从160页开始的。
我只想告诉你:这本书中瞎扯的地方绝不止一处。

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xukun977| | 2017-8-27 18:59 | 显示全部楼层
kissn123 发表于 2017-8-27 16:06
瞎扯的是你吧,不要排斥别人的说法,不通意见可以讨论。

上面说了,有阅读理解障碍的把这句话理解成导通就是截止了!从反驳过程(电压关系,电流关系!),很容易就能看出来了!

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xukun977| | 2017-8-27 19:41 | 显示全部楼层
关于20L那个电路图,为什么说可用加速电容提高开关速度?
原因很简单,激励突变时,IC和IB之间不是线性,而是某种数学关系(谁能从理论上推导一下该关系?),输入取该数学关系的逆,就完成了以毒攻毒的目标!

这样从基本机理入手解释,比常规的解释方法来的更简洁,更快!

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xukun977| | 2017-8-27 19:46 | 显示全部楼层
附录:网上啰哩巴嗦的常规解释方法!初学者看的一头雾水,很多老将不过是背诵了该解释过程。


△ 2、加速电容作用。

(1) 控制脉冲低电平时,电路达到稳态时,晶体管截至,电

容两端电压为零。

(2)控制脉冲高电平到来时,由于电容电压不能突变,电

容需继续保持零,这样,晶体管基极B电压突变到高电平,使

晶体管迅速导通;电容被充电到脉冲电平电压;进入到稳态,

电容电压为脉冲电平电压。

(3)此后,当控制脉冲低电平到来时,由于电容电压不能

突变,需继续保持脉冲电平电压,因此,基极电压从零(实际

为be压降)跳变到负的脉冲电平电压,时得晶体管迅速从饱和状

态转到截至状态;此后,电容通过R放电,达到稳态时,两端

电压为零。

(4)然后,重复以上过程。

1.

图3-69所示是脉冲放大器(一种放大脉冲信号的放大器)中

的加速电容电路。

电路中的VT1是三极管,是脉冲放大管,Cl并联在Rl上,Cl是

加速电容。Cl的作用是加快VT1导通和截止的转换速度,所以

称为加速电容。

2.

电路中的三极管VT1工作在开关状态下(相当于一个开关)

,Ui为加到三极管VT1基极的输入信号电压,是一个矩形脉冲

信号。当U为高电平时,三极管VT1饱和导通;当Ui为低电平时

,三极管VT1截止。

加速电容Cl与三极管VT1输入电阻Ri构成如图3-70 (a)所示的

等效电路。

(1)加速导通过程。当输入信号电压Ui从OV跳变到高电平时,

由于电容Cl两端的电压不能突变,加到VT1基极的电压为一个

尖顶脉冲,其电压幅值最大,如图3-70 (b)所示。这一尖顶脉

冲加到VT1基极,使VT1基极电流迅速从OA增大到很大,这样

VT1迅速从截止状态进入饱和状态,加速了VT1的饱和导通,

即缩短了VT1饱和导通时间(三极管从截止进入饱和所需要的

时间)。

(2)维持导通过程。在t0之后,对Cl的充电很快结束,这时输

入信号电压Ui加到VT1基极的电压比较小,维持VT1的饱和导

通状态。

(3)加速截止过程;当输入信号电压U从高电平突然跳变到OV

时,如图3-70 (b)所示的tl时刻,由于Cl上原先充到的电压极性

为左正右负,加到VT1基极的电压为负尖顶脉冲。由于加到VT

1基极的电压为负,加快了VT1从基区抽出电荷的过程,VT1以

更快的速度从饱和转换到截止状态,即缩短了VT1向截止转换

的时间。

由于接入电容Cl,VT1以更快的速度进入饱和状态,

是以更快的速度进入截止状态,可见电容Cl具有加速VT1工作

状转换的作用,所以将Cl称为加速电容。

这种加速电容电路主要出现在电子开关电路(用三极管作为

开关的电路)或脉冲放大器电路中,音频放大器不用这种电路

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HWM| | 2017-8-27 21:26 | 显示全部楼层
kissn123 发表于 2017-8-27 16:06
瞎扯的是你吧,不要排斥别人的说法,不通意见可以讨论。

我所言,并不排斥任何其他人的言论,我也没那个权力。至于讨论,我一直在以理论之。

你可以看看这个帖子:

以小见大之“输出特性”
https://bbs.21ic.com/icview-2063634-1-1.html

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HWM| | 2017-8-27 21:36 | 显示全部楼层
kissn123 发表于 2017-8-18 09:09
模电书中又讲 D1 D2在这里的作用的?
那一章节?我现在需要一个理论上的解释 ...

你想要个理论解释,那么告诉你,那是器件特性。

半导体器件特性,其理论是《半导体物理》,其基于《固体物理》。

你所学的《模拟电路》(如果学过的话),只是将相关器件的特性以外在的物理量显现出来而已。如果这些最基本的器件特性曲线都不能理解的话,那么就根本不可能正确分析模拟电路,更别谈什么设计了。

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HWM| | 2017-8-27 21:42 | 显示全部楼层
其实,此例从BJT的输出特性图中就可以找到答案,包括那个把二极管接到电阻前面去的说法。

各位自己想想,二极管接到电阻前面去(假设信号源是理想电压源),那么BJT会如何?

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shalixi| | 2017-8-27 22:16 | 显示全部楼层
有这两个二极管与没有这两个二极管有什么差别,你可以用示波器或仿真看看。这样,再根据这里说的,书上看到的,你能悟出结果了。

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