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MOS管导通电阻Rds是不是可以这样计算?

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 楼主| 发表于 2017-9-13 16:08 | 显示全部楼层 |返回版面||阅读模式
本帖最后由 wozaihuayu 于 2017-9-13 17:32 编辑

比如我用的AOD403 PMOS管,我在GS端加-10V电压,则MOS管处于导通状态,电流表测得导通时电流Ids = 9.8A

此时我用万用表测量MOS管的 D脚和S脚电压,得出Vds = 0.13V

那么此时导通电阻Rds = Vds/Ids  = 0.13V/9.8A = 0.0133欧?@chunyang



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 楼主| 发表于 2017-9-13 16:29 | 显示全部楼层 |返回版面
那么手册上介绍的导通电阻是6.2毫欧


是不是我这芯片是假的?


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发表于 2017-9-13 18:48 | 显示全部楼层 |返回版面
不是,那个有个条件,是结温低于多少,结温变高,内阻会增加
     

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实习生

发表于 2017-9-13 21:14 | 显示全部楼层 |返回版面
除满足条件外还要用毫欧表
     

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坛主

发表于 2017-9-13 22:59 | 显示全部楼层 |返回版面
手册上的参数是有测试条件的,验证参数是否满足手册,应该在手册参数的测试条件下进行。
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 楼主| 发表于 2017-9-14 08:29 | 显示全部楼层 |返回版面
一事无成就是我 发表于 2017-9-13 18:48
不是,那个有个条件,是结温低于多少,结温变高,内阻会增加

是跟结温有关,手册也提到!但是我是刚上电测得呀!应该不会变化那么快吧!?
     

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 楼主| 发表于 2017-9-14 08:34 | 显示全部楼层 |返回版面
chunyang 发表于 2017-9-13 22:59
手册上的参数是有测试条件的,验证参数是否满足手册,应该在手册参数的测试条件下进行。 ...

没看到什么特别的条件,就是表头说明是在室温25℃情况下进行,电流说的是-20A,我是-10A!
     

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 楼主| 发表于 2017-9-14 08:35 | 显示全部楼层 |返回版面
zk55 发表于 2017-9-13 21:14
除满足条件外还要用毫欧表

MOS管导通时,毫欧表是测不准的!
     

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 楼主| 发表于 2017-9-14 08:45 | 显示全部楼层 |返回版面
chunyang 发表于 2017-9-13 22:59
手册上的参数是有测试条件的,验证参数是否满足手册,应该在手册参数的测试条件下进行。 ...

在问下chun哥,手册中这个表

是不是就是介绍MOS管温升和功率关系?

能不能科普下MOS管选型考虑温升时,如何关注这个表!

感谢!!!

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发表于 2017-9-14 11:35 | 显示全部楼层 |返回版面
没必要这么精确的,你肯定要留很大裕量的,况且还要加散热片
qq:641208111;技术交流群:377640799
欢迎去大赛专区交流:点我进入()
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发表于 2017-9-14 14:29 | 显示全部楼层 |返回版面
wozaihuayu 发表于 2017-9-14 08:45
在问下chun哥,手册中这个表

是不是就是介绍MOS管温升和功率关系?

节点到环境    开启时间小于10S      典型16    最大20      度/瓦
节点到环境    稳定状态...
节点到外壳...

环境应该指的节点和外壳之间的温度?
     

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 楼主| 发表于 2017-9-14 14:46 | 显示全部楼层 |返回版面
山东电子小菜鸟 发表于 2017-9-14 11:35
没必要这么精确的,你肯定要留很大裕量的,况且还要加散热片

关键没地方加散热片。。。。。
     

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发表于 2017-9-14 14:47 | 显示全部楼层 |返回版面
wozaihuayu 发表于 2017-9-14 08:29
是跟结温有关,手册也提到!但是我是刚上电测得呀!应该不会变化那么快吧!? ...

那只能说明是你想象的,你了解了工艺就明白了
     

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发表于 2017-9-14 15:27 | 显示全部楼层 |返回版面
wozaihuayu 发表于 2017-9-14 08:45
在问下chun哥,手册中这个表

是不是就是介绍MOS管温升和功率关系?

是的,但设计时需考虑的是极限值并留取余量。也就是说,假设内阻最大,然后采取措施散热,令内阻/温升不会过限.
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发表于 2017-9-14 15:28 | 显示全部楼层 |返回版面
wozaihuayu 发表于 2017-9-14 14:46
关键没地方加散热片。。。。。

对于功率器件,热设计必须考虑,否则就等着烧的一塌糊涂吧。
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发表于 2017-9-14 20:09 | 显示全部楼层 |返回版面
本帖最后由 ccmc 于 2017-9-14 20:10 编辑

你确定是原厂的ic吗,不是仿的或者别的品牌
     

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发表于 2017-9-14 21:40 | 显示全部楼层 |返回版面
手册 上应该还有个内阻跟温度 的曲线
     

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发表于 2017-9-16 12:54 | 显示全部楼层 |返回版面
MOS管的应用,你不能看手册上的那个电流去用,实际中不加散热片,靠自然导热,主要是PCB的导热,这就增加了热阻,手册上有关于热阻的参数。所以实际应用最终还是要看温升是不是能搞承受的了,比喻手册上的最大PD(max)是一个在特定环境温度 Ta下,和一定的热阻下得出的最大耗散功率,这个功率实际应用中根本达不到因为你的热阻达不到。 P = Tj - Ta / θr   ,      Tj 一般是125--150摄氏度, Ta环境温度,   θr为热阻,  P是你实际用到的功率
     

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发表于 2017-9-16 12:58 | 显示全部楼层 |返回版面
也就是一切以温升为准,不加散热片的话,可能就只有最大耗散功率的1/5--1/20可以用,根本就不能以手册上的那个电流去用
     

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发表于 2017-9-16 13:14 | 显示全部楼层 |返回版面
差的也不多,正常的;

你的测试方法也没错;
另外测试电阻的话,建议4线制测试;
引线上,管脚上也有压降的
ST、机器人、电路欣赏等版主;感谢大家的支持;

电子工程师群1:16519783;123768874;171897584;
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