关于这个再说一下，毕竟帖子半年多了，还是想将结果说一下的：
1、增加了电感（并没有去掉2n2）好像稳定不少，但是也发现原来焊接中没有注意到的细节问题等，因此现在看结果较好是因为串入电感、焊接工艺提升、元气件质量综合提升的结果，但是看增加电感还是有效果的。
2、在这个过程中，参考国外的（商用成熟的（当然很稳定）），来看整个可控硅及外围电路都跟现有最终是一样的（不一样的光耦国外是moc3083,自己使用moc3061；国外可控硅bta12-700 ，自己使用bta41-600（原来也用过bta12-700）），因此说整体电路应该没什么问题，而且是有2n2接地的，但是国外的在2、3角的启动4μf电容中还串了0.47欧姆2瓦的电阻，这个电阻的作用后来学习其实与串入的电感作用差不多。
3、在参考国内一些案例，发现使用moc3062，bta12-700，也是有2n2接地，没有在启动电容串0.47欧姆2瓦的电阻，但是国内外的bta12-700都有大的散热片，后来学习中发现bta的散热也非常关键，如果工作温度高于70度，故障及软性故障就会增多。
4、还有一个关键点，国外没有在T1\T2间并压敏电阻，但是国内的都并了压敏电阻，原来大多使用10D621k、10D821k，参考国内的使用了2个串联1.5KE400CA（查了一下参数一个1.5KE400CA可以将电压控制在（360~440v），我感觉2个串联相当于一个14D821k 可以将电压控制在《738~902v》？不知道对不对），我将自己的由原来的10D621k可以将电压控制在《558~682v》、10D821k可以将电压控制在《738~902v》改为14D431K，实验上看功能没问题（至少连续工作20天），我感觉这个是不是也很关键，因为14D431K可以将电压控制在（387~473v），可以远远保护bta41-600.
5、总之吧，在通过实践，以及在网上不断地寻找资料，以及相同的问题，以及部分热心人士的解答基础上，还是让我了解了一些可控硅的知识和使用注意事项，不能说是掌握，只能说是了解。看来自己还得继续**，只有**才能进步，才能向成功更近一步
算是一点贡献吧，，，，，，，，，，，，，，，，，，，， |
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