打印
[电子元器件]

电平转换只用上拉电阻不用三极管可以吗?

[复制链接]
楼主: plplpo
手机看帖
扫描二维码
随时随地手机跟帖
21
plplpo|  楼主 | 2017-10-13 10:54 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览
gujiamao12345 发表于 2017-10-13 08:58
你的意思不是说,不要三极管,只要一个上拉电阻到5v就可以实现电平转换么? ...

对啊,像3楼那个图那样接

使用特权

评论回复
22
plplpo|  楼主 | 2017-10-13 10:56 | 只看该作者
xmar 发表于 2017-10-13 08:46
注意:保护二极管阴极接VDD(3.3V)改为VDD_FET(接5V)。

恩。。有道理。。不过这个是内部的结构改不了了,看来只能是外接三极管防止对内部产生影响了

使用特权

评论回复
23
like811207| | 2017-10-13 11:01 | 只看该作者
STM32的IO口设置为开漏输出,外接上拉电阻到5V,可以实现3.3-5V的电平转换,具体如下:
1. IO口设置为开漏输出;
2. 选择具有5V耐压功能的IO;
这样输出为1时片内IO上的NMOS关闭,IO可以作为输入使用,这样子就实现了双向IO口的功能。

使用特权

评论回复
24
gujiamao12345| | 2017-10-13 11:15 | 只看该作者
plplpo 发表于 2017-10-13 10:54
对啊,像3楼那个图那样接

三楼的图是可以的。
但是一般IO口都有上下MOS管,可以实现设置开漏,实现只用下MOS,
这样的效果是:输出0/5V逻辑,但是,你不是要3.3v转5v这样的效果嘛。

使用特权

评论回复
25
zyj9490| | 2017-10-13 12:42 | 只看该作者
相位,VIH,VOH

使用特权

评论回复
26
zyj9490| | 2017-10-13 12:45 | 只看该作者
对于OD输出的完全可以,对于PP输出的就不可以了,那这种失去了一般性了。

使用特权

评论回复
27
zyj9490| | 2017-10-13 12:46 | 只看该作者
对于普通的GPIO或许可以这样做,对于外设接口不可以这样做的。

使用特权

评论回复
28
delin17| | 2017-10-13 12:54 | 只看该作者
开漏输出是可以的。

使用特权

评论回复
29
plplpo|  楼主 | 2017-10-13 13:11 | 只看该作者
gujiamao12345 发表于 2017-10-13 11:15
三楼的图是可以的。
但是一般IO口都有上下MOS管,可以实现设置开漏,实现只用下MOS,
这样的效果是:输出 ...

哦哦,那是我没表达清楚啦,就是要实现输出0/5V逻辑

使用特权

评论回复
30
plplpo|  楼主 | 2017-10-13 13:13 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2017-10-13 12:45
对于OD输出的完全可以,对于PP输出的就不可以了,那这种失去了一般性了。

哦哦,是不是可以这么理解,OD输出的话就用3楼的图(1楼的不行),PP输出的话就用1楼的图(3楼的不行)

使用特权

评论回复
31
zyj9490| | 2017-10-13 13:35 | 只看该作者
plplpo 发表于 2017-10-13 13:13
哦哦,是不是可以这么理解,OD输出的话就用3楼的图(1楼的不行),PP输出的话就用1楼的图(3楼的不行) ...

是的,OD输出 只有低电平是确定,高电平是不确定的(高阻状态),必须外加或内置上拉电阻才能确认高电平输出。

使用特权

评论回复
32
zyj9490| | 2017-10-13 13:40 | 只看该作者
plplpo 发表于 2017-10-13 13:11
哦哦,那是我没表达清楚啦,就是要实现输出0/5V逻辑

3楼的有一个小问题,当高电平时,实际输出是3.3V+0.6V,不是5V,前后级糸统的高低电平的相符性,即VOH>VIH,不符合此条件,高电平1,有不确定性。

使用特权

评论回复
33
zyj9490| | 2017-10-13 13:42 | 只看该作者
plplpo 发表于 2017-10-13 13:13
哦哦,是不是可以这么理解,OD输出的话就用3楼的图(1楼的不行),PP输出的话就用1楼的图(3楼的不行) ...

1楼如果在端口上拉一个3.3V的上拉电阻,这样,对OD,PP都适用。并且不会产生32楼说的问题。

使用特权

评论回复
34
cliffboy| | 2017-10-13 15:25 | 只看该作者
亲,要隔离连个电压源

使用特权

评论回复
35
xbyu520| | 2017-10-13 15:44 | 只看该作者
收藏

使用特权

评论回复
36
plplpo|  楼主 | 2017-10-13 16:18 | 只看该作者
zyj9490 发表于 2017-10-13 13:40
3楼的有一个小问题,当高电平时,实际输出是3.3V+0.6V,不是5V,前后级糸统的高低电平的相符性,即VOH>VI ...

这个3.3V+0.6V是咋来的呢?如果换成11楼的图是不是就能输出5V了呢?

使用特权

评论回复
37
shcshc1234| | 2017-10-13 17:12 | 只看该作者
xmar 发表于 2017-10-12 17:11
如果STM32的I/O出脚是开漏输出,用一个上拉电阻把NMOS管的漏极D接5V电源没问题。开漏输出很方便电平转换的 ...

32是有几个真开漏的

使用特权

评论回复
38
zyj9490| | 2017-10-13 20:06 | 只看该作者
本帖最后由 zyj9490 于 2017-10-13 20:09 编辑
plplpo 发表于 2017-10-13 16:18
这个3.3V+0.6V是咋来的呢?如果换成11楼的图是不是就能输出5V了呢?

端口各有上下二个TVS管起端口保护用,为何说兼容TTL电平,当外部5V通过上拉电阻加进时,上边TVS管正向导通,此时3.3V+TVS的正向压降。看14楼的端口内部原理图就明白了。

使用特权

评论回复
39
onz| | 2017-10-13 21:31 | 只看该作者
本帖最后由 onz 于 2017-10-13 22:25 编辑

不用想太复杂。
IO抗静电几千V,实际应用中IO的损坏主要是因电流过大。3.3V单片机IO串连1个100k的电阻到20v电源也没事,倒灌电流也就0.2mA而已,不会烧坏IO内部的钳位二极管。
3.3V器件的IO驱动5V器件的IO的话,直接串联1k电阻限流,3.3V的IO可设置为推挽输出即可。
如果5V的IO已经有内部弱上拉电阻,3.3V的IO也可设置为开漏输出。
这是因为此时5V的IO是高阻输入,内部浮空或弱上拉或弱下拉电阻。即使直接短路到3.3V的IO,灌进的电流已经没有或者很小,不会烧坏3.3V的IO的内的二极管。
串联的电阻值越大驱动速度越慢,值小了对3.3V器件的保护能力也小了。
1k是比较通用的,值过大无法达到有内部上拉的5V器件的低电平阀值。

使用特权

评论回复
40
山东电子小菜鸟| | 2017-10-13 22:17 | 只看该作者
增加驱动能力

使用特权

评论回复
发新帖 我要提问
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则