双向可控硅控制应用问题

只看该作者 · 2017-10-25 11:28

这个是电路图，可控硅下端接的是小负载（一个功率表）。

这个是可控硅门极波形，光耦输入端的信号低电平时间是500US（低电平导通）频率为100hz（通过过零进行控制的），然后光耦输出端的三个电阻都会打火花烧掉，封装是1206的，造成电阻烧掉是不是因为可控硅不可靠导通引起的？还有这波形也是可控硅不可靠导通引起的吗？

1万 · 2017-10-25 13:56

可能是R13。R14瞬态功率不足

1万 · 2017-10-25 22:05

估计这电阻耐压也不够. 300V 普通的 1206 是承受不了的.

只看该作者 · 2017-10-26 12:01

airwill 发表于 2017-10-25 22:05
估计这电阻耐压也不够. 300V 普通的 1206 是承受不了的.

会吗，很多市电的电路里有些还用的0805的电阻

只看该作者 · 2017-11-26 15:56

有没有试过换用更大封装的电阻，问题解决了吗

只看该作者 · 2017-11-29 10:45

华丽生活发表于 2017-11-26 15:56
有没有试过换用更大封装的电阻，问题解决了吗

负载接的类开关电源会有这现象，接电机和灯泡没有问题。