MOS管

只看该作者 · 2017-11-8 08:24

请问这个MOS管的原理是什么，为什么G为高电平时导通，不是VGS大于Vt才导通吗。

与G接输入端，D接输出端，S接低电平，这样导通有什么区别吗。

3万 · 2017-11-8 09:17

“为什么G为高电平时导通”
没有这回事。
MOS管，总是门极(G)相对于源极(S)达到一定电压(电压极性由管子极性决定，大小由生产工艺决定)，MOS管导通。

1万 · 2017-11-8 10:19

竟然还要写字

只看该作者 · 2017-11-8 13:49

maychang 发表于 2017-11-8 09:17
“为什么G为高电平时导通”
没有这回事。
MOS管，总是门极(G)相对于源极(S)达到一定电压(电压极性由管子极 ...

我也认为是G级与S级电压进行比较，但这两幅图是实现电压通断的，按照图里的说法，在D级输入一个电压，当G级处于高电压时，S级产生一个D级电压；
当G级处于低电压时，S级为0V。
这不就是G级来一个高电压能导通NMOS管，然后将D级的电压传到S级，不是与S级无关吗？
这里不是很明白。

3万 · 2017-11-8 15:21

混子黄发表于 2017-11-8 13:49
我也认为是G级与S级电压进行比较，但这两幅图是实现电压通断的，按照图里的说法，在D级输入一个电压，当G ...

“这不就是G级来一个高电压能导通NMOS管，然后将D级的电压传到S级，不是与S级无关吗？”
显然与S有关。只不过源极(S)升高并不多(1.5V)，因此门极(G)仍然比源极(S)高很多，足够保持MOS管导通。

只看该作者 · 2017-11-8 15:47

maychang 发表于 2017-11-8 15:21
“这不就是G级来一个高电压能导通NMOS管，然后将D级的电压传到S级，不是与S级无关吗？”
显然与S有关。只 ...

我觉得是我一开始的方向就弄错了，图上一个是MOSFET，一个是JFET，我给你发的那两张图我觉得应该是JFET的。
上了一课，一开始已经场效应管就是MOS管。

3万 · 2017-11-8 16:07

混子黄发表于 2017-11-8 15:47
我觉得是我一开始的方向就弄错了，图上一个是MOSFET，一个是JFET，我给你发的那两张图我觉得应该是JFET的 ...

首帖和4楼图中，就没有出现过JFET。

只看该作者 · 2017-11-8 16:36

maychang 发表于 2017-11-8 16:07
首帖和4楼图中，就没有出现过JFET。

我错了，现在好晕。

现在我的理解是当G端加入高电平时，DS会导通，然后将D端电压送到S端，但是此时如果VGS小于VTH的话，此时DS断开，但是S级的电压已经变成D级电压了，是这样吗？
还是DS断开，S级处于高阻态。
请赐教。

3万 · 2017-11-8 16:51

本帖最后由 maychang 于 2017-11-8 16:53 编辑

混子黄发表于 2017-11-8 16:36
我错了，现在好晕。

现在我的理解是当G端加入高电平时，DS会导通，然后将D端电压送到S端，但是此时如果V ...

“现在我的理解是当G端加入高电平时，DS会导通，然后将D端电压送到S端，但是此时如果VGS小于VTH的话，此时DS断开，但是S级的电压已经变成D级电压了”此时DS并未断开，因为“如果”的事情(VGS小于VTH)没有发生。

只看该作者 · 2017-11-8 17:35

maychang 发表于 2017-11-8 16:51
“现在我的理解是当G端加入高电平时，DS会导通，然后将D端电压送到S端，但是此时如果VGS小于VTH的话，此时 ...

也就是说G级加了高电平，如果D的电压与G级很近，假设G为10V，D为8V，假设VTH为4V，如此，DS就不能导通是吧，那此时的S级应该处于高阻态吧。
其实也就是看VGD是否大于VTH是这样吗。

3万 · 2017-11-8 17:36

混子黄发表于 2017-11-8 17:35
也就是说G级加了高电平，如果D的电压与G级很近，假设G为10V，D为8V，假设VTH为4V，如此，DS就不能导通是 ...

“……如此，DS就不能导通是吧”
是。

3万 · 2017-11-8 17:37

混子黄发表于 2017-11-8 17:35
也就是说G级加了高电平，如果D的电压与G级很近，假设G为10V，D为8V，假设VTH为4V，如此，DS就不能导通是 ...

“其实也就是看VGD是否大于VTH是这样吗。”
说过多少次了，看门极对源极电压，不是看对漏极电压。

只看该作者 · 2017-11-8 17:43

maychang 发表于 2017-11-8 17:37
“其实也就是看VGD是否大于VTH是这样吗。”
说过多少次了，看门极对源极电压，不是看对漏极电压。 ...

不是，我的意思是一开始不是只知道门级和漏极电压吗，这样不就是比较门级和漏极电压吗？

只看该作者 · 2017-11-9 14:32

不是漏极，是源极。
之所以是源极，是因为源极是和衬底接在一起的。实际上比较的是栅极和衬底的电压。
由于体二极管的关系，即便MOS管断开了，源极电压也不可能比漏极高，所以源极电压也是确定的。

只看该作者 · 2017-11-10 10:53

QuakeGod 发表于 2017-11-9 14:32
不是漏极，是源极。
之所以是源极，是因为源极是和衬底接在一起的。实际上比较的是栅极和衬底的 ...

因为体二极管的存在，导致源极电压小于漏极电压，漏极电压已知为5V，栅极电压为10V的话，源极电压就要小于5V，那么VGS就要大于5V小于10V，这样就导通了。
如果导通电压VTH为4V，此时源极电压设为VS。
VGS=10-VS，VDS=5-VS,VTH=4，VGS大于5V。
可以得到VGS大于VTH
并且VGS-VTH=10-VS-4=6-VS大于VDS
所以处于可变电阻区。
我这样的分析有问题吗？

MOS管

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