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[STM32F2]

数据写入EEPROM

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楼主
feiqi1|  楼主 | 2017-11-11 18:55 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
EEPROM, EPROM, ROM
一个数组uchar buf[100]，想把里面100个字节依次写入EEPROM，应该怎么实现？如果一次写一个字节，每次都要将地址写入吗，可不可以实现地址的自动偏移？

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沙发
androidbus| | 2017-11-11 18:56 | 只看该作者
这个要看EEPROM的手册，有的EEPROM支持连续写的功能

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板凳
qiangweii| | 2017-11-11 19:00 | 只看该作者
这个需要进行地址的偏移处理的

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地板
shashaa| | 2017-11-11 19:00 | 只看该作者

EEPROM一般支持页写的，写一次地址就可以写一页，速度更快。

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5楼
xia00| | 2017-11-11 19:04 | 只看该作者
这个只能是地址自++才行。

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6楼
hfdy01| | 2017-11-11 19:05 | 只看该作者
iic写入的地址+1偏移。

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7楼
CallReceiver| | 2017-11-11 19:07 | 只看该作者
EEPROM有偏移的方式的啊。

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8楼
boy1990| | 2017-11-11 19:08 | 只看该作者
这个不是很容易吗？每次写完地址加一。

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9楼
handleMessage| | 2017-11-11 19:14 | 只看该作者

连续写入数据是需要有时间间隔的。

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10楼
zhouhuanの| | 2017-11-11 19:15 | 只看该作者
每次都需要写入保存到数据地址。定位之后，存储地址定位。

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11楼
bbapple| | 2017-11-11 19:16 | 只看该作者
可以连续写入多个字节试试。

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12楼
Edisons| | 2017-11-11 19:19 | 只看该作者
进行页写操作,要先进行单字节

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13楼
Edisons| | 2017-11-11 19:20 | 只看该作者
eeprom没有批量烧写吧，Flash有批量的写入方式。

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14楼
_gege| | 2017-11-11 19:21 | 只看该作者
这个记得每次地址要加一的就可以吧

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15楼
junpeng324| | 2017-11-11 22:14 | 只看该作者
写入更多数据要看EEPROM的手册，需要页的概念。

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16楼
Rospiers| | 2017-11-14 10:41 | 只看该作者
需要地址偏移

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