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强信号干扰

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feiqi1|  楼主 | 2017-11-21 21:40 | 显示全部楼层 |阅读模式
FLASH存储瞬间貌似出现强信号
feiqi1|  楼主 | 2017-11-21 21:41 | 显示全部楼层
下面程序每1秒中断一次,每60秒存储一次,SIFCNT是单片机用来记数的计数器,记每秒的瞬时流量,Total_flow是总流量,结果写入FLASH正常,可是每过60秒FLASH写入后一秒左右One_T都会变的很大,不是正常的大但每次数都不一样没什么规律性,求大虾帮找找原因,为什么每次FLASH写入后一秒左右One_T都会变的很大????????忙了两天都没结果!!!!

void main(void)

{    SystemInit();   //初始化

     InitScanIF();

     LCD_Init();   

     cl_lcd();      //清屏



    Total_flow=ReadFloat((uint16 *)addr_T_F);   // 读累计流量



    WDTCTL = WDT_ADLY_1000;   //每1秒中断

    _EINT();

    IE1 |= WDTIE;         ///使能WDT中断



    while (1);

}  

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litengg| | 2017-11-21 21:46 | 显示全部楼层
检查程序有没有溢出之类

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qiangweii| | 2017-11-21 21:47 | 显示全部楼层
这个可以检查下程序结构部分的吧

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sky.sun.zz| | 2017-11-21 21:55 | 显示全部楼层
feiqi1 发表于 2017-11-21 21:41
下面程序每1秒中断一次,每60秒存储一次,SIFCNT是单片机用来记数的计数器,记每秒的瞬时流量,Total_flow ...

写FLASH时关中断

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shashaa| | 2017-11-21 21:56 | 显示全部楼层
flash存储的跟强信号的有啥关系的?

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xia00| | 2017-11-21 21:58 | 显示全部楼层
是flash所使用的总线的电平信号不稳么?

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hfdy01| | 2017-11-21 22:01 | 显示全部楼层
干扰信号有什么问题吗。。

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CallReceiver| | 2017-11-21 22:02 | 显示全部楼层
这个是什么Flash芯片呀?

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boy1990| | 2017-11-21 22:05 | 显示全部楼层
不影响存储器的读写就没有问题。

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sourceInsight| | 2017-11-21 22:07 | 显示全部楼层
没有看明白楼主说的强信号是什么,是电流过大造成的吧。

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戈卫东| | 2017-11-21 22:07 | 显示全部楼层
你的SystemInit()可能会被调用两次不知道有没有问题

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bbapple| | 2017-11-21 22:10 | 显示全部楼层

使用示波器测量电源电压。

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handleMessage| | 2017-11-21 22:16 | 显示全部楼层
这个干扰信号是怎么测量出来的?

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zhouhuanの| | 2017-11-21 22:20 | 显示全部楼层
存储器的问题,添加多个电容试试。

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wanglaojii| | 2017-11-21 22:22 | 显示全部楼层
Flash芯片的耗电非常大吗?

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laozhongyi| | 2017-11-21 22:25 | 显示全部楼层

楼主的意思是写flash的时候,有强电压?

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Edisons| | 2017-11-21 22:25 | 显示全部楼层
这个针对程序的设计思路还是不错啊

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_gege| | 2017-11-21 22:28 | 显示全部楼层
有什么强电流,对flash造成的什么影响?

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Mozarts| | 2017-11-21 22:29 | 显示全部楼层
这是在flash的读写时候被干扰了?

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