关于ram寿命的问题

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 楼主 | 2017-12-4 17:38 | 显示全部楼层 |阅读模式
看到很多地方写单片机ram寿命是100万次读写。
然后我想到一个问题:
如果我用ad口进行adc转换,对“外部”数据进行读取,然后再通过一系列运算,那不是会严重降低单片机寿命吗?如果1秒一次读取,一台成品机器寿命也就277小时。如果0.5秒那么就只有150个小时不到了!即使你ram空间不是一个字节,但是运算呀,读取呀等这些,在兆级的晶振面前,如果稍微复杂一些的程序,感觉刷完你100万次夸张点说真的是分分钟的事。这样看起来好像很恐怖,但是看一些厂品用个6-7年也没见说芯片坏了又是什么原因呢?
还是说我在哪些地方进入了误区?希望大神指点下。
| 2017-12-4 17:40 | 显示全部楼层
你确认是ram寿命?
| 2017-12-4 17:59 | 显示全部楼层
nand flash 寿命是 100万次
| 2017-12-4 19:03 | 显示全部楼层
ram 没有寿命的说法
| 2017-12-4 19:31 | 显示全部楼层
那是I2C的24系列存储
| 2017-12-4 20:13 | 显示全部楼层
电脑里的RAM,1秒钟就上亿次读写。要是1百万次寿命,那岂不是还不到0.01秒就挂了?
| 2017-12-4 20:15 | 显示全部楼层
另外,即便说单片机里面,一直访问同一个地址也是很平常的事,一个简单延时,就是不停在读写同一个地址。
一个 for (i=0;i<1000000;i++); 单片机就挂了,那岂不是不能愉快的玩耍了。
| 2017-12-4 20:18 | 显示全部楼层
eeprom吧 100w次
flash 10w次
| 2017-12-4 21:29 | 显示全部楼层
ram的寿命不止100万次的
| 2017-12-4 21:53 | 显示全部楼层
RAM 一般没有寿命一说,不过某些 DRAM 在连续集中以特定方式访问一小块内存区域的时候可能会波及到物理临近的内存区域中存储的数据(Row Hammer)但这种现象不影响 DRAM 的长期寿命。Flash 读取也没有寿命一说。Flash 擦写倒是有擦写寿命限制,不过一般都在百万次以上(当然也有 TI 某些 LM3S 只有 100 次的)结合的损耗均衡算法和坏块管理就可以控制住。(很多时候程序里面甚至看不到损耗均衡和坏块管理,譬如说 eMMC 的控制器就内建了这两个算法,你就尽管当块设备访问就是了。)
| 2017-12-5 00:02 | 显示全部楼层
实际应用中,这个问题我觉得不用考虑,一般都是其他元件先挂了。
| 2017-12-5 08:30 | 显示全部楼层
RAM没有寿命之忧。只要你供电稳定,它就干活。
| 2017-12-5 09:01 | 显示全部楼层
RAM没有次数限制。
EEPROM才是100万次擦写。
 楼主 | 2017-12-5 13:30 | 显示全部楼层
dalarang 发表于 2017-12-5 09:01
RAM没有次数限制。
EEPROM才是100万次擦写。

这样呀?!3q
| 2017-12-5 16:46 | 显示全部楼层
如果RAM有寿命问题计算机专业可能就不存在了
| 2017-12-5 18:07 | 显示全部楼层
RAM有寿命的吧,比如连续访问30年
| 2017-12-5 22:42 | 显示全部楼层
电脑的ram颗粒倒是见过不少坏的。
| 2017-12-6 10:24 | 显示全部楼层
谁家单片机写RAM寿命100万次? 一般FLASH的寿命1万次,EEP寿命10万次,这几年FLASH技术也在慢慢进步,老芯片以及部分台系芯片,其实FLASH寿命只有1000次
| 2017-12-6 11:11 | 显示全部楼层
感觉一脸懵啊
| 2017-12-6 11:23 | 显示全部楼层
一脸懵
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