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[电路/定理]

N沟道mos管,输出上升缓慢呈弧形

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楼主: wangyisnen007
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xiaxingxing| | 2017-12-16 22:20 | 显示全部楼层
whtwhtw 发表于 2017-12-15 15:09
栅极电荷泻放太慢导致

这个电路,栅漏间的电容的充放电对输出有影响吗?当栅极电压为0时,Csd之间的电压为12V,当栅极电压为3.3V时,Csd为为0V,所以栅极电压的变化,Csd不是有一个充放电的过程吗?怎么没在曲线上体现出来呢?

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xiaxingxing| | 2017-12-16 22:21 | 显示全部楼层
linqing171 发表于 2017-12-15 20:27
只有下管,没有上管.
充电是1k ohm给负载电容充电, 放电是MOS导通1ohm 给负载寄生电容放电.
充电和放电的速 ...

mos管里面有三个寄生电容,你是指哪个电容的充放电呢?求指导,谢谢!

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xiaxingxing| | 2017-12-16 22:50 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2017-12-13 17:18
此电路,就怕漏极电位下不来。

前辈,能详细解释一下这个题中,栅漏极之间寄生电容Cgd之间的充放电过程吗?谢谢!

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king5555 + 1 同三极管的密勒效应,可查H大师帖子。
maychang| | 2017-12-17 08:58 | 显示全部楼层
xiaxingxing 发表于 2017-12-16 22:50
前辈,能详细解释一下这个题中,栅漏极之间寄生电容Cgd之间的充放电过程吗?谢谢! ...

“能详细解释一下这个题中,栅漏极之间寄生电容Cgd之间的充放电过程吗?”

“这个题”是哪个题?

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linqing171| | 2017-12-17 09:40 | 显示全部楼层
xiaxingxing 发表于 2017-12-16 22:21
mos管里面有三个寄生电容,你是指哪个电容的充放电呢?求指导,谢谢!

负载的寄生电容.  加上DS之间的.
Cgd如果是决定作用的话, 波形不应该是这样.
你在仿真软件里分别在DS和GS之间并联电容, 看看哪个波形和这个一致.

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xiaxingxing| | 2017-12-17 14:53 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2017-12-17 08:58
“能详细解释一下这个题中,栅漏极之间寄生电容Cgd之间的充放电过程吗?”

“这个题”是哪个题? ...

就是楼主的的这个图,栅极加题中所示的脉冲的时候。

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maychang| | 2017-12-17 15:09 | 显示全部楼层
xiaxingxing 发表于 2017-12-17 14:53
就是楼主的的这个图,栅极加题中所示的脉冲的时候。

“就是楼主的的这个图,栅极加题中所示的脉冲的时候。”
楼主首帖图,并未画出驱动电路,仅在文字中说明“蓝色波形是我搞错了,电阻不是1K而是5.1K”,所以“栅漏极之间寄生电容Cgd之间的充放电过程”也无从谈起。
从波形看(注意黄色是驱动波形),上升沿缓慢,可以推断驱动电路输出低电平时吸收电流能力不足。下降沿比较陡,说明驱动电路输出高电平时有足够的电流输出能力。

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maychang| | 2017-12-17 15:12 | 显示全部楼层
xiaxingxing 发表于 2017-12-17 14:53
就是楼主的的这个图,栅极加题中所示的脉冲的时候。

我猜测你是想问米勒电容。米勒电容并不是Cgd,而是要比Cgd大很多倍。米勒电容比Cgd大的倍数,恰恰就是该放大电路的电压放大倍数。

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xiaxingxing| | 2017-12-17 18:00 | 显示全部楼层
maychang 发表于 2017-12-17 15:12
我猜测你是想问米勒电容。米勒电容并不是Cgd,而是要比Cgd大很多倍。米勒电容比Cgd大的倍数,恰恰就是该 ...

恩,明白了,谢谢指导!但是我还有一点疑问,栅极为高电平时,Cgd=9V(因为漏极一直为12V,12V-3V=9V),而栅极为低电平时,Cgd=12V,这样来看,Cgd不是也有一个充放电的过场吗?所以说,栅极高电平变成低电平的时候,Cgd充电,栅极低电平变成高电平的时候,Cgd放电??

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maychang| | 2017-12-17 18:28 | 显示全部楼层
xiaxingxing 发表于 2017-12-17 18:00
恩,明白了,谢谢指导!但是我还有一点疑问,栅极为高电平时,Cgd=9V(因为漏极一直为12V,12V-3V=9V), ...

“栅极为低电平时,Cgd=12V”是对的,但“栅极为高电平时,Cgd=9V(因为漏极一直为12V,12V-3V=9V)”是错的。门极为高电平时,漏极电位几乎为零。

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maychang| | 2017-12-17 18:36 | 显示全部楼层
xiaxingxing 发表于 2017-12-17 18:00
恩,明白了,谢谢指导!但是我还有一点疑问,栅极为高电平时,Cgd=9V(因为漏极一直为12V,12V-3V=9V), ...

这样来看,Cgd不是也有一个充放电的过场吗?所以说,栅极高电平变成低电平的时候,Cgd充电,栅极低电平变成高电平的时候,Cgd放电??

一点错也没有。
正是因为 Cgd 有这样的充电放电过程,才使得 Cgd 对驱动信号源来说,好像变大了若干倍。这是因为测量 Cgd 是不施加电源(当然管子也不可能放大)时测量的,是令源极开路,漏极接地,门极施加一个交流电压,测量此交流电源输出的电流。现在管子接成放大电路,漏极与门极电压相位相反,而且漏极电压变化比门极电压变化大得多。你想想交流信号源对门极输入电流会变大?变小?还是不变?

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ZG11211| | 2017-12-19 20:14 | 显示全部楼层
在高速电路里只采用一个1K电阻做上拉明显是跟不上的。

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shirl| | 2017-12-20 15:24 | 显示全部楼层
G 没有放电回路

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心升明月1992| | 2017-12-22 10:35 | 显示全部楼层
N沟道mos,门极加下拉电阻,达到快速关断mos

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gxs64| | 2017-12-22 11:23 | 显示全部楼层
G串一个电阻,同时并上一个小电容。

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