在物联网的应用设计中如何用串行SRAM外扩RAM资源

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 楼主 | 2018-1-4 10:09 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 英尚微电子 于 2018-1-4 10:11 编辑

串行SRAM
串行SRAM是一款独立的非挥发性存储器芯片,能够以低成本且简单的方式被设计者向应用中添加更多RAM,8个引脚,低功耗,高性能的串行SRAM器件的擦写次数没有限制且写入时间为零,适合数据传输,缓存,数据记录,互联网,图形缓存以及其他数据功能的应用。容量可达64 Kb至1 Mb的容量,支持SPI、SDI和SQI总线模式。

串行NVSRAM
串行NVSRAM提供了一种非易失性RAM存储方案,非常适合需要经常向存储器写入数据的应用。 该器件的成本大大低于其他非易失性RAM器件,通过外部电池来备份数据。 该8引脚SPI器件支持对存储阵列执行无限次瞬时写入操作,是计量、数据采集器、数据记录器和黑盒子等应用的理想之选。 这些器件可提供512 Kb和1 Mb容量。

串行NVSRAM对于经常需要向存储器写入数据的应用提供了一种非易失性的RAM的存储方案,成本远远低于其他非易失性RAM器件,通过外部电池来备份数据,该器件还支持对存储无限次瞬时写入操作,可以应用于数据采集器,计量,黑盒子和数据记录器,容量可提供512 Kb和1 Mb容量。

串行SRAM为向应用添加RAM提供了一种简单低成本的方式,这些器件采用8引脚的封装并同时有SPI接口,可以在设计中提供更多灵活性,串行NVSRAM器件提供了低成本的非易失性SRAM或者FRAM存储解决方案,串行NVSRAM除了有低功耗的设计还支持对存储阵列执行无限次瞬时写入操作,并且断电时可以通过外部电池自动备份存储数据。
扩展RAM的方式
1.    使用RAM资源更大的单片机,如果是为了获取更大的RAM资源,会增加不必要的成本,
2.    使用外部并行RAM,但是并行RAM一般封装都比较大,至少需要16-20个I/O。占用了单片机的资源。
3.    串行SRAM现在支持向设计中灵活添加RAM,而不会带来大型单片机或并行RAM的缺点,它使用简单的4引脚SPI接口。 SDI和SQI接口可将数据速率提高4倍,这些器件还会通过这两个接口来提升性能。
与其他存储器技术相比的优势:

串行SRAM为客户提供了成本最低的RAM扩展解决方案。 串行SRAM器件支持5V电压,具有易于使用的SPI接口并采用小型8引脚封装,非常适合需要额外RAM的应用或是可将数据缓冲、数据记录、图形、数学、音频和视频等重复的数据密集型功能交由片外存储器处理的应用。 串行SRAM可提供64 Kb至1 Mb的容量。
串行NVSRAM的成本明显低于其他任何并行、串行的NVSRAM或FRAM。 串行NVSRAM使用外部电池来实现非易失性存储。 这对于计量、黑盒子和其他数据记录等应用非常有益,这些应用需要擦写次数没有限制或需要瞬时写入以及非易失性存储。 串行NVSRAM可提供512 Kb至1 Mb的容量。

串行SRAM和NVSRAM在尺寸、电压、速度、功耗和成本等方面带来了诸多优势。
串行SRAM总线模式——SPI、SDI和SQI:
串行SRAM器件设计用于通过标准SPI接口以20 MHz的频率工作。 在512 Kb和1 Mb器件上,SO和SI(引脚2和引脚5)与SIO2和SIO3(引脚4和引脚7)设计用作双向I/O引脚。
在SQI模式下,全部4个引脚(引脚2、4、5和7)均配置为可随时高效进行读或写操作,确保在一个时钟周期内通过总线传输4位,这实际上会获得4倍数据速率。例如,标准SPI模式下需花费40个时钟周期才能完成的任务现在可以在40/4 = 10个时钟周期内完成。 需要快速传输大量数据时,该功能十分有用。
在SDI模式下,只有两个引脚(引脚2和引脚5)配置为双向I/O引脚,可获得最高2倍的数据速率。 我们的标准512 Kb和1 Mb SRAM器件可在SDI和SQI模式下使用。
相同尺寸的相同器件可用于SDI和SQI。

下图给出了在SPI、SDI和SQI模式下以20 MHz向23LC1024 1 Mb SPI SRAM写入128 KB存储内容所需的时间。 从中可看出,SQI比标准SPI快75%。

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 楼主 | 2018-1-4 10:49 | 显示全部楼层
以下是串行SRAM的型号参考:
BRAND        Density        Part number        Voltage        Speed(MHz)        Temp.-Range        PKG
MICROCHIP        1Mb        23A1024        1.7 - 2.2V        20        -40℃ to +125℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        1Mb        23LC1024        2.5 - 5.5V        20        -40℃ to +125℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        1Mbit        23LCV1024        2.5 - 5.5        20        -40°C to +85°C        SPI,SDI
MICROCHIP        512Kb        23A512        1.7 - 2.2V        20        -40℃ to +125℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        512Kb        23LC512        2.5 - 5.5V        20        -40℃ to +125℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        512Kbit        23LCV512        2.5 - 5.5        20        -40°C to +85°C        SPI,SDI
MICROCHIP        256Kb        23A256        1.7-1.95V        16        -40℃ to +85℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        256Kb        23K256        2.7-3.6V        20        -40℃ to +85℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        64Kb        23A640        1.7-1.95V        16        -40℃ to +85℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        64Kb        23K640        2.7-3.6V        20        -40℃ to +85℃        SOIC, PDIP, TSSOP
VTI        64Mbit        VTI7064LSM        1.8        133        C,I        8-SOIC
VTI        64Mbit        VTI7064MSM        3        20        C,I        8-SOIC
VTI        64Mbit        VTI7064MSM        3        133        C,I        8-SOIC
VTI        64Mbit        VTI7064LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        32Mbit        VTI7032LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        32Mbit        VTI7032LSM        1.8        133        C,I        8-SOIC
VTI        16Mbit        VTI7016LSM        1.8        133        C,I        8-SOIC
VTI        16Mbit        VTI7016LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        1Mbit        VTI7001NSM        3.3        20        C,I        8-SOIC
VTI        1Mbit        VTI7001LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        512Kbit        VTI7512NSM        3.3        20        C,I        8-SOIC
VTI        512Kbit        VTI7512LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        256Kbit        VTI7256NSM        3.3        20        C,I        8-SOIC
VTI        256Kbit        VTI7256LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        128Kbit        VTI7128NSM        3.3        20        C,I        8-SOIC
VTI        128Kbit        VTI7128LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
 楼主 | 2018-5-14 10:13 | 显示全部楼层
SQPI PSRAM在STM32单片机的RAM资源扩展应用中提供了一种高效、灵活、高性价比的解决方案,为包括语音、图像处理在内的数据密集、算法密集类使用,提供了全新的解决方案。
 楼主 | 2018-7-11 10:58 | 显示全部楼层
串行SRAM是一款独立的非挥发性存储器芯片,能够以低成本且简单的方式被设计者向应用中添加更多RAM,8个引脚,低功耗,高性能的串行SRAM器件的擦写次数没有限制且写入时间为零,适合数据传输,缓存,数据记录,互联网,图形缓存以及其他数据功能的应用。容量可达64 Kb至1 Mb的容量,支持SPI、SDI和SQI总线模式。
 楼主 | 2018-8-8 10:26 | 显示全部楼层
以下是串行SRAM的型号参考:
BRAND        Density        Part number        Voltage        Speed(MHz)        Temp.-Range        PKG
MICROCHIP        1Mb        23A1024        1.7 - 2.2V        20        -40℃ to +125℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        1Mb        23LC1024        2.5 - 5.5V        20        -40℃ to +125℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        1Mbit        23LCV1024        2.5 - 5.5        20        -40°C to +85°C        SPI,SDI
MICROCHIP        512Kb        23A512        1.7 - 2.2V        20        -40℃ to +125℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        512Kb        23LC512        2.5 - 5.5V        20        -40℃ to +125℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        512Kbit        23LCV512        2.5 - 5.5        20        -40°C to +85°C        SPI,SDI
MICROCHIP        256Kb        23A256        1.7-1.95V        16        -40℃ to +85℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        256Kb        23K256        2.7-3.6V        20        -40℃ to +85℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        64Kb        23A640        1.7-1.95V        16        -40℃ to +85℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        64Kb        23K640        2.7-3.6V        20        -40℃ to +85℃        SOIC, PDIP, TSSOP
VTI        64Mbit        VTI7064LSM        1.8        133        C,I        8-SOIC
VTI        64Mbit        VTI7064MSM        3        20        C,I        8-SOIC
VTI        64Mbit        VTI7064MSM        3        133        C,I        8-SOIC
VTI        64Mbit        VTI7064LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        32Mbit        VTI7032LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        32Mbit        VTI7032LSM        1.8        133        C,I        8-SOIC
VTI        16Mbit        VTI7016LSM        1.8        133        C,I        8-SOIC
VTI        16Mbit        VTI7016LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        1Mbit        VTI7001NSM        3.3        20        C,I        8-SOIC
VTI        1Mbit        VTI7001LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        512Kbit        VTI7512NSM        3.3        20        C,I        8-SOIC
VTI        512Kbit        VTI7512LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        256Kbit        VTI7256NSM        3.3        20        C,I        8-SOIC
VTI        256Kbit        VTI7256LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        128Kbit        VTI7128NSM        3.3        20        C,I        8-SOIC
VTI        128Kbit        VTI7128LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
 楼主 | 2018-8-14 16:43 | 显示全部楼层
串行SRAM和NVSRAM在尺寸、电压、速度、功耗和成本等方面带来了诸多优势。
串行SRAM总线模式——SPI、SDI和SQI:
串行SRAM器件设计用于通过标准SPI接口以20 MHz的频率工作。 在512 Kb和1 Mb器件上,SO和SI(引脚2和引脚5)与SIO2和SIO3(引脚4和引脚7)设计用作双向I/O引脚。
在SQI模式下,全部4个引脚(引脚2、4、5和7)均配置为可随时高效进行读或写操作,确保在一个时钟周期内通过总线传输4位,这实际上会获得4倍数据速率。例如,标准SPI模式下需花费40个时钟周期才能完成的任务现在可以在40/4 = 10个时钟周期内完成。 需要快速传输大量数据时,该功能十分有用。
在SDI模式下,只有两个引脚(引脚2和引脚5)配置为双向I/O引脚,可获得最高2倍的数据速率。 我们的标准512 Kb和1 Mb SRAM器件可在SDI和SQI模式下使用。
 楼主 | 2018-8-15 10:02 | 显示全部楼层
SQPI PSRAM在STM32单片机的RAM资源扩展应用中提供了一种高效、灵活、高性价比的解决方案,为包括语音、图像处理在内的数据密集、算法密集类使用,提供了全新的解决方案。
 楼主 | 2018-9-6 11:42 | 显示全部楼层
串行SRAM是一款独立的非挥发性存储器芯片,能够以低成本且简单的方式被设计者向应用中添加更多RAM,8个引脚,低功耗,高性能的串行SRAM器件的擦写次数没有限制且写入时间为零,适合数据传输,缓存,数据记录,互联网,图形缓存以及其他数据功能的应用。容量可达64 Kb至1 Mb的容量,支持SPI、SDI和SQI总线模式。
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