在物联网的应用设计中如何用串行SRAM外扩RAM资源

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 楼主 | 2018-1-4 10:09 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 英尚微电子 于 2018-1-4 10:11 编辑

串行SRAM
串行SRAM是一款独立的非挥发性存储器芯片,能够以低成本且简单的方式被设计者向应用中添加更多RAM,8个引脚,低功耗,高性能的串行SRAM器件的擦写次数没有限制且写入时间为零,适合数据传输,缓存,数据记录,互联网,图形缓存以及其他数据功能的应用。容量可达64 Kb至1 Mb的容量,支持SPI、SDI和SQI总线模式。

串行NVSRAM
串行NVSRAM提供了一种非易失性RAM存储方案,非常适合需要经常向存储器写入数据的应用。 该器件的成本大大低于其他非易失性RAM器件,通过外部电池来备份数据。 该8引脚SPI器件支持对存储阵列执行无限次瞬时写入操作,是计量、数据采集器、数据记录器和黑盒子等应用的理想之选。 这些器件可提供512 Kb和1 Mb容量。

串行sram

串行sram

串行NVSRAM对于经常需要向存储器写入数据的应用提供了一种非易失性的RAM的存储方案,成本远远低于其他非易失性RAM器件,通过外部电池来备份数据,该器件还支持对存储无限次瞬时写入操作,可以应用于数据采集器,计量,黑盒子和数据记录器,容量可提供512 Kb和1 Mb容量。
GSMain-SRAM-3.jpg
串行SRAM为向应用添加RAM提供了一种简单低成本的方式,这些器件采用8引脚的封装并同时有SPI接口,可以在设计中提供更多灵活性,串行NVSRAM器件提供了低成本的非易失性SRAM或者FRAM存储解决方案,串行NVSRAM除了有低功耗的设计还支持对存储阵列执行无限次瞬时写入操作,并且断电时可以通过外部电池自动备份存储数据。
扩展RAM的方式
1.    使用RAM资源更大的单片机,如果是为了获取更大的RAM资源,会增加不必要的成本,
2.    使用外部并行RAM,但是并行RAM一般封装都比较大,至少需要16-20个I/O。占用了单片机的资源。
3.    串行SRAM现在支持向设计中灵活添加RAM,而不会带来大型单片机或并行RAM的缺点,它使用简单的4引脚SPI接口。 SDI和SQI接口可将数据速率提高4倍,这些器件还会通过这两个接口来提升性能。 GSMain-SRAM-2.jpg
与其他存储器技术相比的优势:
GSMain-SRAM-4.jpg
串行SRAM为客户提供了成本最低的RAM扩展解决方案。 串行SRAM器件支持5V电压,具有易于使用的SPI接口并采用小型8引脚封装,非常适合需要额外RAM的应用或是可将数据缓冲、数据记录、图形、数学、音频和视频等重复的数据密集型功能交由片外存储器处理的应用。 串行SRAM可提供64 Kb至1 Mb的容量。
串行NVSRAM的成本明显低于其他任何并行、串行的NVSRAM或FRAM。 串行NVSRAM使用外部电池来实现非易失性存储。 这对于计量、黑盒子和其他数据记录等应用非常有益,这些应用需要擦写次数没有限制或需要瞬时写入以及非易失性存储。 串行NVSRAM可提供512 Kb至1 Mb的容量。
GSMain-SRAM-5.jpg
串行SRAM和NVSRAM在尺寸、电压、速度、功耗和成本等方面带来了诸多优势。
串行SRAM总线模式——SPI、SDI和SQI:
串行SRAM器件设计用于通过标准SPI接口以20 MHz的频率工作。 在512 Kb和1 Mb器件上,SO和SI(引脚2和引脚5)与SIO2和SIO3(引脚4和引脚7)设计用作双向I/O引脚。
在SQI模式下,全部4个引脚(引脚2、4、5和7)均配置为可随时高效进行读或写操作,确保在一个时钟周期内通过总线传输4位,这实际上会获得4倍数据速率。例如,标准SPI模式下需花费40个时钟周期才能完成的任务现在可以在40/4 = 10个时钟周期内完成。 需要快速传输大量数据时,该功能十分有用。
在SDI模式下,只有两个引脚(引脚2和引脚5)配置为双向I/O引脚,可获得最高2倍的数据速率。 我们的标准512 Kb和1 Mb SRAM器件可在SDI和SQI模式下使用。 GSMain-SRAM-6.jpg
相同尺寸的相同器件可用于SDI和SQI。
GSMain-SRAM-7.jpg
下图给出了在SPI、SDI和SQI模式下以20 MHz向23LC1024 1 Mb SPI SRAM写入128 KB存储内容所需的时间。 从中可看出,SQI比标准SPI快75%。

 楼主 | 2018-1-4 10:49 | 显示全部楼层
以下是串行SRAM的型号参考:
BRAND        Density        Part number        Voltage        Speed(MHz)        Temp.-Range        PKG
MICROCHIP        1Mb        23A1024        1.7 - 2.2V        20        -40℃ to +125℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        1Mb        23LC1024        2.5 - 5.5V        20        -40℃ to +125℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        1Mbit        23LCV1024        2.5 - 5.5        20        -40°C to +85°C        SPI,SDI
MICROCHIP        512Kb        23A512        1.7 - 2.2V        20        -40℃ to +125℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        512Kb        23LC512        2.5 - 5.5V        20        -40℃ to +125℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        512Kbit        23LCV512        2.5 - 5.5        20        -40°C to +85°C        SPI,SDI
MICROCHIP        256Kb        23A256        1.7-1.95V        16        -40℃ to +85℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        256Kb        23K256        2.7-3.6V        20        -40℃ to +85℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        64Kb        23A640        1.7-1.95V        16        -40℃ to +85℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        64Kb        23K640        2.7-3.6V        20        -40℃ to +85℃        SOIC, PDIP, TSSOP
VTI        64Mbit        VTI7064LSM        1.8        133        C,I        8-SOIC
VTI        64Mbit        VTI7064MSM        3        20        C,I        8-SOIC
VTI        64Mbit        VTI7064MSM        3        133        C,I        8-SOIC
VTI        64Mbit        VTI7064LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        32Mbit        VTI7032LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        32Mbit        VTI7032LSM        1.8        133        C,I        8-SOIC
VTI        16Mbit        VTI7016LSM        1.8        133        C,I        8-SOIC
VTI        16Mbit        VTI7016LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        1Mbit        VTI7001NSM        3.3        20        C,I        8-SOIC
VTI        1Mbit        VTI7001LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        512Kbit        VTI7512NSM        3.3        20        C,I        8-SOIC
VTI        512Kbit        VTI7512LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        256Kbit        VTI7256NSM        3.3        20        C,I        8-SOIC
VTI        256Kbit        VTI7256LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        128Kbit        VTI7128NSM        3.3        20        C,I        8-SOIC
VTI        128Kbit        VTI7128LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC

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 楼主 | 2018-5-14 10:13 | 显示全部楼层
SQPI PSRAM在STM32单片机的RAM资源扩展应用中提供了一种高效、灵活、高性价比的解决方案,为包括语音、图像处理在内的数据密集、算法密集类使用,提供了全新的解决方案。

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 楼主 | 2018-7-11 10:58 | 显示全部楼层
串行SRAM是一款独立的非挥发性存储器芯片,能够以低成本且简单的方式被设计者向应用中添加更多RAM,8个引脚,低功耗,高性能的串行SRAM器件的擦写次数没有限制且写入时间为零,适合数据传输,缓存,数据记录,互联网,图形缓存以及其他数据功能的应用。容量可达64 Kb至1 Mb的容量,支持SPI、SDI和SQI总线模式。

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 楼主 | 2018-8-8 10:26 | 显示全部楼层
以下是串行SRAM的型号参考:
BRAND        Density        Part number        Voltage        Speed(MHz)        Temp.-Range        PKG
MICROCHIP        1Mb        23A1024        1.7 - 2.2V        20        -40℃ to +125℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        1Mb        23LC1024        2.5 - 5.5V        20        -40℃ to +125℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        1Mbit        23LCV1024        2.5 - 5.5        20        -40°C to +85°C        SPI,SDI
MICROCHIP        512Kb        23A512        1.7 - 2.2V        20        -40℃ to +125℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        512Kb        23LC512        2.5 - 5.5V        20        -40℃ to +125℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        512Kbit        23LCV512        2.5 - 5.5        20        -40°C to +85°C        SPI,SDI
MICROCHIP        256Kb        23A256        1.7-1.95V        16        -40℃ to +85℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        256Kb        23K256        2.7-3.6V        20        -40℃ to +85℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        64Kb        23A640        1.7-1.95V        16        -40℃ to +85℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        64Kb        23K640        2.7-3.6V        20        -40℃ to +85℃        SOIC, PDIP, TSSOP
VTI        64Mbit        VTI7064LSM        1.8        133        C,I        8-SOIC
VTI        64Mbit        VTI7064MSM        3        20        C,I        8-SOIC
VTI        64Mbit        VTI7064MSM        3        133        C,I        8-SOIC
VTI        64Mbit        VTI7064LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        32Mbit        VTI7032LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        32Mbit        VTI7032LSM        1.8        133        C,I        8-SOIC
VTI        16Mbit        VTI7016LSM        1.8        133        C,I        8-SOIC
VTI        16Mbit        VTI7016LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        1Mbit        VTI7001NSM        3.3        20        C,I        8-SOIC
VTI        1Mbit        VTI7001LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        512Kbit        VTI7512NSM        3.3        20        C,I        8-SOIC
VTI        512Kbit        VTI7512LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        256Kbit        VTI7256NSM        3.3        20        C,I        8-SOIC
VTI        256Kbit        VTI7256LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        128Kbit        VTI7128NSM        3.3        20        C,I        8-SOIC
VTI        128Kbit        VTI7128LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC

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 楼主 | 2018-8-14 16:43 | 显示全部楼层
串行SRAM和NVSRAM在尺寸、电压、速度、功耗和成本等方面带来了诸多优势。
串行SRAM总线模式——SPI、SDI和SQI:
串行SRAM器件设计用于通过标准SPI接口以20 MHz的频率工作。 在512 Kb和1 Mb器件上,SO和SI(引脚2和引脚5)与SIO2和SIO3(引脚4和引脚7)设计用作双向I/O引脚。
在SQI模式下,全部4个引脚(引脚2、4、5和7)均配置为可随时高效进行读或写操作,确保在一个时钟周期内通过总线传输4位,这实际上会获得4倍数据速率。例如,标准SPI模式下需花费40个时钟周期才能完成的任务现在可以在40/4 = 10个时钟周期内完成。 需要快速传输大量数据时,该功能十分有用。
在SDI模式下,只有两个引脚(引脚2和引脚5)配置为双向I/O引脚,可获得最高2倍的数据速率。 我们的标准512 Kb和1 Mb SRAM器件可在SDI和SQI模式下使用。

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 楼主 | 2018-8-15 10:02 | 显示全部楼层
SQPI PSRAM在STM32单片机的RAM资源扩展应用中提供了一种高效、灵活、高性价比的解决方案,为包括语音、图像处理在内的数据密集、算法密集类使用,提供了全新的解决方案。

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 楼主 | 2018-9-6 11:42 | 显示全部楼层
串行SRAM是一款独立的非挥发性存储器芯片,能够以低成本且简单的方式被设计者向应用中添加更多RAM,8个引脚,低功耗,高性能的串行SRAM器件的擦写次数没有限制且写入时间为零,适合数据传输,缓存,数据记录,互联网,图形缓存以及其他数据功能的应用。容量可达64 Kb至1 Mb的容量,支持SPI、SDI和SQI总线模式。

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 楼主 | 2018-11-28 09:54 | 显示全部楼层
串行SRAM是一款独立的非挥发性存储器芯片,能够以低成本且简单的方式被设计者向应用中添加更多RAM,8个引脚,低功耗,高性能的串行SRAM器件的擦写次数没有限制且写入时间为零,适合数据传输,缓存,数据记录,互联网,图形缓存以及其他数据功能的应用。容量可达64 Kb至1 Mb的容量,支持SPI、SDI和SQI总线模式。

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 楼主 | 2019-3-4 10:38 | 显示全部楼层
扩展RAM的方式
1.    使用RAM资源更大的单片机,如果是为了获取更大的RAM资源,会增加不必要的成本,
2.    使用外部并行RAM,但是并行RAM一般封装都比较大,至少需要16-20个I/O。占用了单片机的资源。
3.    串行SRAM现在支持向设计中灵活添加RAM,而不会带来大型单片机或并行RAM的缺点,它使用简单的4引脚SPI接口。 SDI和SQI接口可将数据速率提高4倍,这些器件还会通过这两个接口来提升性能。

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| 2019-3-8 08:47 | 显示全部楼层

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 楼主 | 2019-3-12 15:53 | 显示全部楼层
以下是串行SRAM的型号参考:
BRAND        Density        Part number        Voltage        Speed(MHz)        Temp.-Range        PKG
MICROCHIP        1Mb        23A1024        1.7 - 2.2V        20        -40℃ to +125℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        1Mb        23LC1024        2.5 - 5.5V        20        -40℃ to +125℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        1Mbit        23LCV1024        2.5 - 5.5        20        -40°C to +85°C        SPI,SDI
MICROCHIP        512Kb        23A512        1.7 - 2.2V        20        -40℃ to +125℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        512Kb        23LC512        2.5 - 5.5V        20        -40℃ to +125℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        512Kbit        23LCV512        2.5 - 5.5        20        -40°C to +85°C        SPI,SDI
MICROCHIP        256Kb        23A256        1.7-1.95V        16        -40℃ to +85℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        256Kb        23K256        2.7-3.6V        20        -40℃ to +85℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        64Kb        23A640        1.7-1.95V        16        -40℃ to +85℃        SOIC, PDIP, TSSOP
MICROCHIP        64Kb        23K640        2.7-3.6V        20        -40℃ to +85℃        SOIC, PDIP, TSSOP
VTI        64Mbit        VTI7064LSM        1.8        133        C,I        8-SOIC
VTI        64Mbit        VTI7064MSM        3        20        C,I        8-SOIC
VTI        64Mbit        VTI7064MSM        3        133        C,I        8-SOIC
VTI        64Mbit        VTI7064LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        32Mbit        VTI7032LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        32Mbit        VTI7032LSM        1.8        133        C,I        8-SOIC
VTI        16Mbit        VTI7016LSM        1.8        133        C,I        8-SOIC
VTI        16Mbit        VTI7016LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        1Mbit        VTI7001NSM        3.3        20        C,I        8-SOIC
VTI        1Mbit        VTI7001LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        512Kbit        VTI7512NSM        3.3        20        C,I        8-SOIC
VTI        512Kbit        VTI7512LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        256Kbit        VTI7256NSM        3.3        20        C,I        8-SOIC
VTI        256Kbit        VTI7256LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC
VTI        128Kbit        VTI7128NSM        3.3        20        C,I        8-SOIC
VTI        128Kbit        VTI7128LSM        1.8        20        C,I        8-SOIC

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 楼主 | 2019-4-15 11:06 | 显示全部楼层
英尚微电子 发表于 2018-1-4 10:49
以下是串行SRAM的型号参考:
BRAND        Density        Part number        Voltage        Speed(MHz)        Temp.-Range        PKG
MICROCHIP        1M ...

有需要样品或者技术支持,3161422826Q, VX:sramsun_com

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| 2019-4-29 16:22 | 显示全部楼层
Netsol的前身为韩国Samsung SRAM事业部,分立出来后一直致力于
SRAM芯片的研发与创新,在SRAM领域拥有比较完整的产品线:
Quadruple / DDR SRAM , Synchronous SRAM(同步),
Asynchronous Fast SRAM(异步)。 现在使用Netsol产品的都为一些
电子工业巨头所使用,如3Com,CISCO,ZTE,HUAWEI等。我们的同
步高速SRAM产品可与 ISSI,Cypress,Lyontek之系列兼容替代,比如
Netsol的S7R161882M型号的产品可替代Cypress的CY7C1312KV18型
号的产品, 且在某些参数性能上有一定的优势。

SRAM产品分为低功耗SRAM和高速缓存SRAM,同步SRAM和异步SRAM
,容量从1Mb到144Mb.广泛应用于医疗工业设备,通讯,测试检测设备,
显示设备等,外置于STM32等MCU,Xilinx,Altera等FPGA周边电路,低延
时性,超低功耗。

NETSOL SRAM产品型号:
Density        Org.        Part Number        Vdd(V)        Access Time        Package        Availability               
1M bit        64Kx16        S6R1016W1A        1.65~3.6        8/10/12/15ns        44TSOP2        Now               
                S6R1016V1A        3.3        8/10ns        48FBGA        Now               
                S6R1016C1A        5        10ns                Now               
        128Kx8        S6R1008W1A        1.65~3.6        8/10/12/15ns        32sTSOP1        Now               
                S6R1008V1A        3.3        8/10ns        36FBGA        Now               
                S6R1008C1A        5        10ns                Now               
2M bit        128Kx16        S6R2016W1A        1.65~3.6        8/10/12/15ns        44TSOP2        Now               
                S6R2016V1A        3.3        8/10ns        48FBGA        Now               
                S6R2016C1A        5        10ns                Now               
        256Kx8        S6R2008W1A        1.65~3.6        8/10/12/15ns        44TSOP2        Now               
                S6R2008V1A        3.3        8/10ns        36FBGA        Now               
                S6R2008C1A        5        10ns                Now               
4M bit        256Kx16        S6R4016W1A        1.65~3.6        8/10/12/15ns        44TSOP2        Now               
                S6R4016V1A        3.3        8/10ns        48FBGA        Now               
                S6R4016C1A        5        10ns                Now               
        512Kx8        S6R4008W1A        1.65~3.6        8/10/12/15ns        44TSOP2        Now               
                S6R4008V1A        3.3        8/10ns        36FBGA        Now               
                S6R4008C1A        5        10ns                Now               
8M bit        512Kx16        S6R8016W1A        1.65~3.6        8/10/12/15ns        44TSOP2        Now               
                S6R8016C1A        5        10ns        48FBGA        Now               
        1Mx8        S6R8008W1A        1.65~3.6        8/10/12/15ns        44TSOP2        Now               
                S6R8008C1A        5        10ns        48FBGA        Now               
16M bit        1Mx16        S6R1616W1M        1.65~3.6        8/10/12/15ns        48TSOP1        Now               
                S6R1616V1M        3.3        8/10ns        48FBGA        Now               
                S6R1616C1M        5        10ns                Now               
        2Mx8        S6R1608W1M        1.65~3.6        8/10/12/15ns        44TSOP2        Now               
                S6R1608V1M        3.3        8/10ns        48FBGA        Now               
                S6R1608C1M        5        10ns                Now               
32M bit        2Mx16        S6R3216W1M        1.65~3.6        8/10/12/15ns        48FBGA        Now               
        4Mx8        S6R3208W1M        1.65~3.6        8/10/12/15ns                Now               
                                                               
2. ASYNC Low Power SRAM                                                               
Density        Org.        Part Number        Vdd(V)        C/S        Speed -tAA(ns)        Package        Availability       
                                Option                               
1M bit        64Kx16        S6L1016W1M        2.3~3.6        1 C/S        45/55/70ns        44TSOP2, 48FBGA        Now       
                S6L1016C1M        4.5~5.5        1 C/S                44TSOP2, 48FBGA        Now       
        128Kx8        S6L1008W2M        2.3~3.6        2 C/S        45/55/70ns        32sTSOP1, 2TSOP1, 32SOP        Now       
                S6L1008C2M        4.5~5.5        2 C/S                        Now       
2M bit        128Kx16        S6L2016W1M        2.3~3.6        1 C/S        45/55/70ns        44TSOP2,48FBGA        Now       
                S6L2016W2M        2.3~3.6        2 C/S                48FBGA        Now       
                S6L2016C1M        4.5~5.5        1 C/S                44TSOP2        Now       
        256Kx8        S6L2008W1M        2.3~3.6        1 C/S        45/55/70ns        36FBGA        Now       
                S6L2008W2M        2.3~3.6        2 C/S                32sTSOP1, 32TSOP1, 32TSOP2, 32SOP        Now       
                S6L2008C2M        4.5~5.5        2 C/S                        Now       
4M bit        256Kx16        S6L4016W1M        2.3~3.6        1 C/S        45/55/70ns        44TSOP2, 48FBGA        Now       
                S6L4016W2M        2.3~3.6        2 C/S                44TSOP2, 48FBGA        Now       
                S6L4016C1M        4.5~5.5        1 C/S                44TSOP2        Now       
                S6L4016C2M        4.5~5.5        2 C/S                44TSOP2        Now       
        512Kx8        S6L4008W1M        2.3~3.6        1 C/S        45/55/70ns        32sTSOP1, 32TSOP1, 32TSOP2, 32SOP        Now       
                S6L4008C1M        4.5~5.5        1 C/S                        Now       
8M bit        512Kx16        S6L8016W1M        2.3~3.6        1 C/S        45/55/70ns        44TSOP2, 48FBGA        Now       
                S6L8016W2M        2.3~3.6        2 C/S                44TSOP2, 48FBGA        Now       
                S6L8016C1M        4.5~5.5        1 C/S                44TSOP2, 48FBGA        Now       
                S6L8016C2M        4.5~5.5        2 C/S                48FBGA        Now       
        1Mx8        S6L8008W2M        2.3~3.6        2 C/S        45/55/70ns        44TSOP2, 48FBGA        Now       
                S6L8008C2M        4.5~5.5        2 C/S                44TSOP2, 48FBGA        Now       
                                                               
                                                               
3. Sync SRAM                                                               
                                                               
        (1) Synchronous Pipe Burst SRAM                                                       
Density        Org.        Part Number        Operating        VDD(V)        tCYC        Access Time        Package        Availability
4M bit        128Kx36        S7A403630M        SPB        2.3~3.5        250MHz        2.6ns        100TQFP        Now
        256Kx18        S7A401830M        SPB        2.3~3.5        250MHz        2.6ns        100TQFP        Now
9M bit        256Kx36        S7A803630M        SPB        2.3~3.5        250MHz        2.6ns        100TQFP        Now
        512Kx18        S7A801830M        SPB        2.3~3.5        250MHz        2.6ns        100TQFP        Now
18M bit        512Kx36        S7A163630M        SPB        2.3~3.5        250MHz        2.6ns        100TQFP        Now
        1Mx18        S7A161830M        SPB        2.3~3.5        250MHz        2.6ns        100TQFP        Now
36M bit        1Mx36        S7A323630M        SPB        2.3~3.5        250MHz        2.6ns        100TQFP        Now
        2Mx18        S7A321830M        SPB        2.3~3.5        250MHz        2.6ns        100TQFP        Now
72M bit        2Mx36        S7A643630M        SPB        2.3~3.5        250MHz        2.6ns        100TQFP        Now
        4Mx18        S7A641830M        SPB        2.3~3.5        250MHz        2.6ns        100TQFP        Now
                                                               
        (2) Synchronous Flow Through SRAM                                                       
Density        Org.        Part Number        Operating        VDD(V)        tCYC        Access Time        Package        Availability
4M bit        128Kx36        S7B403635M        FT        2.3~3.5        133MHz        6.5ns        100TQFP        Now
        256Kx18        S7B401835M        FT        2.3~3.5        133MHz        6.5ns        100TQFP        Now
9M bit        256Kx36        S7B803635M        FT        2.3~3.5        133MHz        6.5ns        100TQFP        Now
        512Kx18        S7B801835M        FT        2.3~3.5        133MHz        6.5ns        100TQFP        Now
18M bit        512Kx36        S7B163635M        FT        2.3~3.5        133MHz        6.5ns        100TQFP        Now
        1Mx18        S7B161835M        FT        2.3~3.5        133MHz        6.5ns        100TQFP        Now
36M bit        1Mx36        S7B323635M        FT        2.3~3.5        133MHz        6.5ns        100TQFP        Now
        2Mx18        S7B321835M        FT        2.3~3.5        133MHz        6.5ns        100LQFP        Now
72M bit        2Mx36        S7B643635M        FT        2.3~3.5        133MHz        6.5ns        100TQFP        Now
        4Mx18        S7B641835M        FT        2.3~3.5        133MHz        6.5ns        100LQFP        Now
                                                               
        (3) NT Pipe Burst SRAM                                                       
Density        Org.        Part Number        Operating        VDD(V)        tCYC        Access Time        Package        Availability
4M bit        128Kx36        S7N403631M        NT_SPB        2.3~3.5        250MHz        2.6ns        100TQFP        Now
        256Kx18        S7N401831M        NT_SPB        2.3~3.5        250MHz        2.6ns        100TQFP        Now
9M bit        256Kx36        S7N803631M        NT_SPB        2.3~3.5        250MHz        2.6ns        100TQFP        Now
        512Kx18        S7N801831M        NT_SPB        2.3~3.5        250MHz        2.6ns        100TQFP        Now
18M bit        512Kx36        S7N163631M        NT_SPB        2.3~3.5        250MHz        2.6ns        100TQFP        Now
        1Mx18        S7N161831M        NT_SPB        2.3~3.5        250MHz        2.6ns        165FBGA        Now
36M bit        1Mx36        S7N323631M        NT_SPB        2.3~3.5        250MHz        2.6ns        100TQFP        Now
        2Mx18        S7N321831M        NT_SPB        2.3~3.5        250MHz        2.6ns        165FBGA        Now
72M bit        2Mx36        S7N643631M        NT_SPB        2.3~3.5        250MHz        2.6ns        100TQFP        Now
        4Mx18        S7N641831M        NT_SPB        2.3~3.5        250MHz        2.6ns        165FBGA        Now
                                                               
        (4) NT Flow Through SRAM                                                       
Density        Org.        Part Number        Operating        VDD(V)        tCYC        Access Time        Package        Availability
4M bit        128Kx36        S7M403635M        NT_FT        2.3~3.5        133MHz        6.5ns        100TQFP        Now
        256Kx18        S7M401835M        NT_FT        2.3~3.5        133MHz        6.5ns        100TQFP        Now
9M bit        256Kx36        S7M803635M        NT_FT        2.3~3.5        133MHz        6.5ns        100TQFP        Now
        512Kx18        S7M801835M        NT_FT        2.3~3.5        133MHz        6.5ns        100TQFP        Now
18M bit        512Kx36        S7M163635M        NT_FT        2.3~3.5        133MHz        6.5ns        100TQFP        Now
        1Mx18        S7M161835M        NT_FT        2.3~3.5        133MHz        6.5ns        100TQFP        Now
36M bit        1Mx36        S7M323635M        NT_FT        2.3~3.5        133MHz        6.5ns        100TQFP        Now
        2Mx18        S7M321835M        NT_FT        2.3~3.5        133MHz        6.5ns        100TQFP        Now
72M bit        2Mx36        S7M643635M        NT_FT        2.3~3.5        133MHz        6.5ns        100TQFP        Now
        4Mx18        S7M641835M        NT_FT        2.3~3.5        133MHz        6.5ns        100TQFP        Now
                                                               
        (5) DDR Sync. SRAM                                                       
Density        Org.        Part Number        Operating        VDD        Cycle time        Burst        Clock        Package
                        Mode        (V)        (MHz)        Length        Latency       
18M bit        512Kx36(1Mx18)        S7I1636(18)82M        DDR II        1.8        333,300,250        2        1.5        165FBGA
        512Kx36(1Mx18)        S7K1636(18)T2M        DDR II+        1.8        450,400,333        2        2        165FBGA
        512Kx36(1Mx18)        S7K1636(18)U2M        DDR II+        1.8        550,450,400        2        2.5        165FBGA
        512Kx36(1Mx18)        S7L1636(18)T2M        DDR II+, ODT        1.8        450,400,333        2        2        165FBGA
        512Kx36(1Mx18)        S7L1636(18)U2M        DDR II+, ODT        1.8        550,450,400        2        2.5        165FBGA
        512Kx36(1Mx18)        S7J1636(18)82M        DDR II, SIO        1.8        333,300,250        2        1.5        165FBGA
        512Kx36(1Mx18)        S7I1636(18)84M        DDR II        1.8        333,300,250        4        1.5        165FBGA
36M bit        1Mx36(2Mx18)        S7I3236(18)82M        DDR II        1.8        333,300,250        2        1.5        165FBGA
        1Mx36(2Mx18)        S7K3236(18)T2M        DDR II+        1.8        450,400,333        2        2        165FBGA
        1Mx36(2Mx18)        S7K3236(18)U2M        DDR II+        1.8        550,450,400        2        2.5        165FBGA
        1Mx36(2Mx18)        S7L3236(18)T2M        DDR II+, ODT        1.8        450,400,333        2        2        165FBGA
        1Mx36(2Mx18)        S7L3236(18)U2M        DDR II+, ODT        1.8        550,450,400        2        2.5        165FBGA
        1Mx36(2Mx18)        S7I3236(18)84M        DDR II        1.8        333,300,250        4        1.5        165FBGA
        1Mx36(2Mx18)        S7J3236(18)82M        DDR II, SIO        1.8        333,300,250        2        1.5        165FBGA
72M bit        2Mx36(4Mx18)        S7I6436(18)82M        DDR II        1.8        333,300,250        2        1.5        165FBGA
        2Mx36(4Mx18)        S7K6436(18)T2M        DDR II+        1.8        450,400,333        2        2        165FBGA
        2Mx36(4Mx18)        S7K6436(18)U2M        DDR II+        1.8        550,450,400        2        2.5        165FBGA
        2Mx36(4Mx18)        S7L6436(18)T2M        DDR II+, ODT        1.8        450,400,333        2        2        165FBGA
        2Mx36(4Mx18)        S7L6436(18)U2M        DDR II+, ODT        1.8        550,450,400        2        2.5        165FBGA
        2Mx36(4Mx18)        S7J6436(18)82M        DDR II, SIO        1.8        333,300,250        2        1.5        165FBGA
        2Mx36(4Mx18)        S7I6436(18)84M        DDR II        1.8        333,300,250        4        1.5        165FBGA
                                                               
        (6) Quadruple Sync. SRAM                                                       
Density        Org.        Part Number        Operating        VDD        Cycle time        Burst        Clock        Package
                        Mode        (V)        (MHz)        Len.        Latency       
18M bit        512Kx36(1Mx18)        S7Q1636(18)62M        QDR I        1.8~2.5        167        2        1        165FBGA
        512Kx36(1Mx18)        S7R1636(18)82M        QDR II        1.8        333,300,250        2        1.5        165FBGA
        512Kx36(1Mx18)        S7Q1636(18)64M        QDR I        1.8~2.5        167        4        1        165FBGA
        512Kx36(1Mx18)        S7R1636(18)84M        QDR II        1.8        333,300,250        4        1.5        165FBGA
        512Kx36(1Mx18)        S7S1636(18)T4M        QDR II+        1.8        450,400,333        4        2        165FBGA
        512Kx36(1Mx18)        S7S1636(18)U4M        QDR II+        1.8        550,450,400        4        2.5        165FBGA
        512Kx36(1Mx18)        S7T1636(18)T4M        QDR II+, ODT        1.8        450,400,333        4        2        165FBGA
        512Kx36(1Mx18)        S7T1636(18)U4M        QDR II+, ODT        1.8        550,450,400        4        2.5        165FBGA
36M bit        1Mx36(2Mx18)        S7R3236(18)82M        QDR II        1.8        333,300,250        2        1.5        165FBGA
        4Mx9        S7R320982M        QDR II        1.8        333,300,250        2        1.5        165FBGA
        1Mx36(2Mx18)        S7S3236(18)U2M        QDR II+        1.8        450,400,366        2        2.5        165FBGA
        1Mx36(2Mx18)        S7R3236(18)84M        QDR II        1.8        333,300,250        4        1.5        165FBGA
        4Mx9        S7R320984M        QDR II        1.8        333,300,250        4        1.5        165FBGA
        1Mx36(2Mx18)        S7S3236(18)T4M        QDR II+        1.8        450,400,333        4        2        165FBGA
        1Mx36(2Mx18)        S7S3236(18)U4M        QDR II+        1.8        550,450,400        4        2.5        165FBGA
        1Mx36(2Mx18)        S7T3236(18)T4M        QDR II+, ODT        1.8        450,400,333        4        2        165FBGA
        1Mx36(2Mx18)        S7T3236(18)U4M        QDR II+, ODT        1.8        550,450,400        4        2.5        165FBGA
72M bit        2Mx36(4Mx18)        S7R6436(18)82M        QDR II        1.8        333,300,250        2        1.5        165FBGA
        8Mx9        S7R640982M        QDR II        1.8        333,300,250        2        1.5        165FBGA
        2Mx36(4Mx18)        S7S6436(18)U2M        QDR II+        1.8        450,400,366        2        2.5        165FBGA
        2Mx36(4Mx18)        S7T6436(18)T2M        QDR II+, ODT        1.8        400,357,333        2        2        165FBGA
        2Mx36(4Mx18)        S7R6436(18)84M        QDR II        1.8        333,300,250        4        1.5        165FBGA
        2Mx36(4Mx18)        S7S6436(18)T4M        QDR II+        1.8        450,400,333        4        2        165FBGA
        2Mx36(4Mx18)        S7S6436(18)U4M        QDR II+        1.8        550,450,400        4        2.5        165FBGA
        2Mx36(4Mx18)        S7T6436(18)T4M        QDR II+, ODT        1.8        450,400,333        4        2        165FBGA
        2Mx36(4Mx18)        S7T6436(18)U4M        QDR II+, ODT        1.8        550,450,400        4        2.5        165FBGA
144M bit        4Mx36(8Mx18)        S7R4436(18)82M        QDR II        1.8        333,300,250        2        1.5        165FBGA
        16Mx9        S7R440982M        QDR II        1.8        333,300,250        2        1.5        165FBGA
        4Mx36(8Mx18)        S7S4436(18)U2M        QDR II+        1.8        450,400,366        2        2.5        165FBGA
        4Mx36(8Mx18)        S7T4436(18)T2M        QDR II+, ODT        1.8        400,357,333        2        2        165FBGA
        4Mx36(8Mx18)        S7R4436(18)84M        QDR II        1.8        333,300,250        4        1.5        165FBGA
        4Mx36(8Mx18)        S7S4436(18)T4M        QDR II+        1.8        450,400,333        4        2        165FBGA
        4Mx36(8Mx18)        S7S4436(18)U4M        QDR II+        1.8        550,450,400        4        2.5        165FBGA
        4Mx36(8Mx18)        S7T4436(18)T4M        QDR II+, ODT        1.8        450,400,333        4        2        165FBGA
        4Mx36(8Mx18)        S7T4436(18)U4M        QDR II+, ODT        1.8        550,450,400        4        2.5        165FBGA

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| 2019-4-29 16:23 | 显示全部楼层
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