功率MOS管损坏原因分析

2018-1-14 20:52

本帖最后由 whtwhtw 于 2018-1-15 09:04 编辑

小和尚520 发表于 2018-1-14 18:00
机理是1M的栅极泻放电阻与栅极电容（8115pf）构成的电荷泻放回路时间常数较大，由15v下降到3.3v持续12ms
...

当电容充满电后，将电源Vu短路，电容C会通过R放电，则任意时刻t，电容上的电压为：
Vt = Vu * exp( -t/RC) （放电公式）

3.3=15*e^(-t*10^6/8115)
t=-8115*10^-6*ln(3.3/15)
=12.3ms

2018-1-15 08:54

小和尚520 发表于 2018-1-14 18:25
关闭时间内，通过1M欧的电阻放电的电流基本全部流过Cgd，Cgs电压不放电

请问Cgd的放电回路是哪里?

V4的S→D→G→S, MOSFET管开启关闭的本质就是Cgd的充放电，也就是米勒平台的持续时间

2018-1-15 16:02

06007507 发表于 2018-1-8 14:20
通过负载仪限流到6A？
可以测试一下是在哪个过程中烧毁的，打开还是关断V4。
我觉得应该是关断，

您好，刚才又测试了一下；是在关断时损坏MOS管的（可以听到声音），MOS管很烫，就是过热损坏。谢谢了，您分析的很详细

2018-1-15 16:05

steelen 发表于 2018-1-8 16:21
MOS管关断前GS间电容需通过R67放电，R67太大放电时间长导致MOS管关闭缓慢，开启时间长，功率大，发热大。加 ...

又测试了下，确实是关断时过热损坏

2018-1-15 16:19

06007507 发表于 2018-1-8 14:20
通过负载仪限流到6A？
可以测试一下是在哪个过程中烧毁的，打开还是关断V4。
我觉得应该是关断，

这个就是SOA曲线图吧，能给我讲解下啥意思吗？我看不懂

2018-2-18 12:24

用示波器测一下，应该是VGS太小，MOS管没有完全导通。