关于SRAM芯片功能失效的原因

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混子黄|  楼主 | 2018-1-10 10:26 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 混子黄 于 2018-1-10 10:34 编辑

芯片型号为ISSI的is62wv51216BLL

现在的现象是使用一段时间以后,数据位中的某一些位写死了为1或者0。
比如我想写个0X5555,但是最后得到的却是0X5551之类的数据,然后换一片就好了。
请问这里的原因可能是什么?读写操作需要注意什么?
谢谢大家了。

补充一下,是这一位不管写1还是写0,输出不变。

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jjjyufan| | 2018-1-10 11:29 | 显示全部楼层
多少时间写一次?

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混子黄 2018-1-11 09:25 回复TA
2S更新一次数据。 
chunyang| | 2018-1-10 20:20 | 显示全部楼层
如果是数据总线中的某一位输出值恒定,说明是数据总线IO锁死或损坏。掉电重启恢复为锁死,此为闩扣现象。与掉电重启无关,说明是损坏。这两种情况均与设计不良有关,需要分析具体电路查找原因。
如果是某一地址读出时某位输出值恒定,且写入数据确定正常,说明是存储器本身的问题,这跟元件质量有关,需分析是否为翻新件还是偶发情况。

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混子黄 2018-1-11 09:27 回复TA
属于第一种情况,数据总线的某一位输出恒定,每次的位置也不相同。 
redleaves| | 2018-1-10 22:05 | 显示全部楼层
可能是读写时序冲突。看真值表,I/O PIN为DOUT时以及之前和之后的一段时间,其它芯片连到I/O数据线的端口必须为High-Z或输入状态,不能为输出状态。否则其它芯片的输出可能与SRAM的输出冲突,烧坏SRAM的I/O PIN。

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混子黄 2018-1-11 09:33 回复TA
2片SRAM,片选肯定不会同时有效,其中一片肯定是High-Z。最关键的是大多数情况都是那一片坏的。 直接是DMA的方式通过指针读和写的,读和写存在2S差。  
chunyang| | 2018-1-11 12:37 | 显示全部楼层
注意,不要使用“评论”,应点击“回复”,论坛界面设计有问题,已跟站方说过,在未改之前,多留点心吧。

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chunyang| | 2018-1-11 12:39 | 显示全部楼层
前帖已说过,如果是IO损坏可以肯定是设计问题,楼主应给出电路图,所有与IO相连的回路必须给出,另观察是否为特定的某一IO损坏,还是总线任一IO都可能损坏。

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pecv| | 2018-12-12 14:05 | 显示全部楼层
最后结果是什么原因?外部总线冲突还是芯片本身问题导致的?

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