使用特权
鸟鸟 发表于 2018-1-21 09:39 线性区时间太长
qq543592229 发表于 2018-1-22 14:07 电路更改成这样的可以吗? 我设计的时候根本没考虑过Eas和Qs。 Eas怎么计算呢?用E=1/2V*I*T大概计算可以吗 ...
tjzyh 发表于 2018-1-22 15:32 26A放电压降1.8V,MOS内阻没那么大,估计是没有完全打开导致。你这个电路既需要考虑可靠性又需要低功耗的。 ...
jimsboy 发表于 2018-1-21 22:58 开关损耗过大。 也就是从完全截至到完全导通时间太长,这时管子发热是很严重的。要提高驱动能力,加图腾柱 ...
xcvista 发表于 2018-1-21 11:59 同意。建议换用一颗专门的 MOS 驱动芯片试试,至少是用图腾柱来驱动,不要这样电阻上下拉。 ...
xch 发表于 2018-1-22 16:34 用这个速度快。你的驱动电路需求限制静态功耗吗?
qq543592229 发表于 2018-1-27 18:08 这个图有问题。
发表回复 本版积分规则 回帖后跳转到最后一页
等级类勋章
发帖类勋章
时间类勋章
人才类勋章
22
87
2
扫码关注 21ic 官方微信
扫码关注嵌入式微处理器
扫码关注电源系统设计
扫码关注21ic项目外包
扫码浏览21ic手机版
本站介绍 | 申请友情链接 | 欢迎投稿 | 隐私声明 | 广告业务 | 网站地图 | 联系我们 | 诚聘英才
京公网安备 11010802024343号
还有就算你把开关速度提升,但是mosfet 两端没有过压保护,很难说不被击穿。
你这驱动内阻太高了。MOSFET在开关瞬间,可以看成是一个个逐渐导通或者关闭的。小电流时过载不明显,26A加在一个管子受不了
串联用的4.7M,太小了 功耗就增加了。