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[技术讨论]

又扯不清了,大家来投票:这个场效应管

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楼主: xwj
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各位能否说说选3或4的原因....?

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42
ljhtj| | 2012-6-28 09:29 | 只看该作者
第四

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xxlin1984| | 2012-6-28 09:44 | 只看该作者
D和S,一直傻傻分不清楚。
-- 所以,一直当三极管认(寄生二极管都是反向的),NPN管;P

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44
291355171| | 2012-6-28 11:53 | 只看该作者
果断选四。正好看到这里。电子学书上这样写的。也是这样画的。。:lol

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45
ff8zgs| | 2012-6-28 13:48 | 只看该作者
其实有微电子知识还是很容易知道的,一般都是S极和衬底做在一起的,所以控制沟道开断的本来应该是G极对衬底电压,可以写成VGS

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46
江枫渔火| | 2012-6-28 15:43 | 只看该作者
这是问题么?

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hawksabre| | 2012-6-30 19:46 | 只看该作者
狂晕  什么水准

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DONGXU| | 2012-7-1 14:21 | 只看该作者
依据国标《GB/T4728》 此管为“增强型,单栅,N沟道和衬底与源极在内部连接的绝缘栅场效应半导体管
但是!!!此图的栅极绘制不符标准

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lnak| | 2014-8-5 16:53 | 只看该作者
分呢?

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hjp1199| | 2015-7-4 16:25 | 只看该作者
是第4个啊

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chunk| | 2015-7-21 01:15 | 只看该作者
既然挖了坟,就选一下吧。

其实有些人画图经常乱用符号。

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52
oldzhang| | 2015-9-29 17:16 | 只看该作者
本帖最后由 oldzhang 于 2015-9-29 17:19 编辑

挖出老帖了,难怪扯不清楚呢,IRF3315的资料里面找不到管脚排列

3315.GIF (13.43 KB )

3315.GIF

IRF3315_datasheet.pdf

126.83 KB

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皈依| | 2016-2-26 09:46 | 只看该作者
G投错了不太好吧~

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ligoxyz| | 2016-6-28 18:00 | 只看该作者
楼主,你想表达的是什么,错与不错,是要看你的功能的。

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senzh01| | 2016-8-2 17:11 | 只看该作者
还好选得4

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ANDY-张| | 2016-8-2 17:17 | 只看该作者
MOS由衬底指向沟道的位NMOS,反之;Nmos电流是从D-S,体二极管防止反向高压,故有S极与二极管阳极相连,PMOS反之。

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charrijon| | 2016-8-2 17:19 | 只看该作者
看到这种有实力的投票,我只能夹着尾巴逃走了。

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Amigo_cai| | 2016-8-3 09:40 | 只看该作者
有人投选项3可以理解是n沟道p沟道记混了,但选其他的也太过分了吧

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59
wf.yang| | 2016-8-3 10:50 | 只看该作者
这有意思吗?

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60
JLennon| | 2016-8-30 11:29 | 只看该作者
源极接衬底。

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