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NV32Fxx 开发引导及注意事项

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LM莫|  楼主 | 2018-2-28 10:51 | 显示全部楼层
2.#关于 NMI引脚(对应 PB4)
NMI引脚又称不可屏蔽中断引脚,低电平有效。开发布板过程中,需留意此引脚,建议外接 4.7KΩ-10K Ω的上拉电阻。尽管在初始化过程后可以禁用 NMI,但是在上电复位前,检测到该脚为低电平,就会进入 NMI的中断程序。

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LM莫|  楼主 | 2018-2-28 10:52 | 显示全部楼层
3.#关于倍频系数
当前版本的默认倍频系数为 1280,不可选其它。下一版本增加 1024与其它系数,当前版本的时钟计算请 参照库函数中文说明-《系统初始化说明》及《内部时钟管理》。
E.g:FEE模式,外部 10M晶振,先分频 256,再倍频 1280 ,得到主频=10000000/256*1280 = 50000000

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LM莫|  楼主 | 2018-2-28 10:52 | 显示全部楼层
4.#关于用户使用库函数 ETM_SetETMEnhance();这个函数,为什么使用 ETM2可以,而使用 ETM1不行?
当前版本 ETM0,1是基础型,ETM2是增强型(寄存器较 0,1多)。访问不存在的寄存器地址会导致硬 故障,该函数为使能 ETM2_MODE_ETMEN位,而 ETM0,1 无该寄存器。
ETM0寄存器有效地址为 0x40038000-0x40038018(2 通道)
ETM1寄存器有效地址为 0x40039000-0x40039018(2 通道)
ETM2寄存器有效地址为 0x4003A000-0x4003A098(6 通道)
详细的寄存器说明请参照《NV32F100x-参考手册》-ETM模块

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LM莫|  楼主 | 2018-2-28 10:52 | 显示全部楼层
5.#关于内部上拉电阻的问题
内部上拉电阻 40-60K,如果需要强上拉,可以外接。上拉电阻在端口作为输入时有效,输出无效,配置 上拉电阻寄存器:PORT_PUEH/PORT_PUEL

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LM莫|  楼主 | 2018-2-28 10:53 | 显示全部楼层
6.#关于芯片无**常下载的现象
首先查看电源和地是否短路,排除这些因素外,尝试识别内核并解锁,详细信息查阅 NV32解锁教程(需 要使用 JLINK)。MCU进入低功耗模式后也会导致无法下载。

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LM莫|  楼主 | 2018-2-28 10:53 | 显示全部楼层
7.#时钟校准
芯片出厂时主频校准至 48M,使用内部 IRC最高可达 60M,但是建议使用主频在 55M范围内(联系管理员), 详细的时钟管理请见《内部时钟管理》。

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LM莫|  楼主 | 2018-2-28 10:53 | 显示全部楼层
8.#关于 TSSOP20的两个版本
使用 20 脚时应该注意版本,一种为有晶振版本,其 12、13脚为 PB6、PB7;一种为无晶振版本,编号为 NV32F100xT20B,其 12、13 脚为 PH0、PH1。详细说明请见《NV32F100_用户手册 V1.5》。

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LM莫|  楼主 | 2018-2-28 10:54 | 显示全部楼层
9.#关于开漏引脚 PA2、PA3
该引脚为真开漏引脚(true open-drain I/O),该引脚上复用 UART0需外部接上拉电阻进行数据传输, 注:UART0也可复用到 PB0、PB1引脚上(无须接外部上拉)。

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LM莫|  楼主 | 2018-2-28 10:54 | 显示全部楼层
10.#关于 ETM模块的时钟问题
ETM时钟可选外接时钟、总线时钟以及固定频率时钟(ICSFFCLK)。

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LM莫|  楼主 | 2018-2-28 10:54 | 显示全部楼层
11.#关于 NV32的 IO驱动
外接强电流外设,应当做好隔离保护电路。 IO 口的正常驱动能力为 3ma(3.3V),高驱动口为 6ma(5V),大电流引脚 8 个 20ma(需要手动开启,配置寄存器请见 PORT_HDRVE)。

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LM莫|  楼主 | 2018-2-28 10:55 | 显示全部楼层
12.#关于 FLASH命令加载函数 EFM_LaunchCMD(uint32_t EFM_CMD);
该函数需要放置在 SRAM 中运行,在 IAR 开发环境中使用__ramfunc,在 keil 中选定 flash.c 右击-Options-Memory Assignment-Code/Const-IRAM1

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LM莫|  楼主 | 2018-2-28 10:55 | 显示全部楼层
13.#关于 DEM0板上接 PH2上的 LED灯一直亮的问题
默认状态下 PH2 上接总线时钟输出,可在系统选项寄存器(SIM_SOPT)中配置。库函数中具体操作请 参考库函数中文说明系统初始化部分。

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LM莫|  楼主 | 2018-2-28 10:56 | 显示全部楼层
14.#DEMO 板上部分引脚接有电容使用时需注意。
15.#对第 7条的修正
后续芯片出厂时主频校准至 40M,建议批量跑 40M以内主频

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LM莫|  楼主 | 2018-2-28 10:57 | 显示全部楼层
16.#库函数工程以及自建工程修改
(1).sysinit.c中 sysinit ()里修改 EFMCR &=0xFFFF1103;
(2).flash.c中 Flash_Init ()里修改 EFMCR=(clkDIV<<24) + 0x00001103; //divide to 1M hz (3).flash.c中 EFM_LaunchCMD(uint32_t EFM_CMD)中添加 30.png

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LM莫|  楼主 | 2018-2-28 10:58 | 显示全部楼层
17.#在使用 EnableInterrupts;指令,需在后加__asm(“nop”);指令

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