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电源为什么要用BCD工艺

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Lewisnx| | 2018-6-25 20:19 | 显示全部楼层
在高压情况下,这主要是由power决定的,是用DMOS还是bipolar,目前DMOS用得多

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CCompton| | 2018-6-25 20:34 | 显示全部楼层
BCD  =single gate  .. vth 是低压 一般只须DRAIN 耐高压 特别是如driver .

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Richardd| | 2018-6-25 21:31 | 显示全部楼层
至於 厚oxide  dual get process 如耐 40v . vth 高  Lmin也大
一般 40v dual gate MOS vth =2~3v  Lmin=3um
40v BCD LDMOS  vth=0.7~0.9v  Lmin=0.2~0.4 (Ldmos Lmin很多都固定不能调整)
光 area 會差多少 ??

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Mattheww| | 2018-6-25 21:46 | 显示全部楼层
有种特别调低 low Rds_on 使用在BCD LDMOS
一般 BCD 可能 mOhm/mm^2 ex.  30 . 特别调低可能 10~20
至於非 switch LDMOS  可能 >300 如果 dual gate 那 >> 600~1000 上

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Thorald| | 2018-6-25 22:30 | 显示全部楼层
BCD主要还是考虑POWER MOSFET

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Bjorn| | 2018-6-25 22:40 | 显示全部楼层
Ron好啊,大部分的低壓gate控制都可以透過電路技巧解決。比起高壓gate麻煩一點

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Rollo| | 2018-6-25 22:48 | 显示全部楼层

成本与性能的折衷吧。 Ron 好省面积。多几层mask也OK。 不知道可不可以这么理解。

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