[DCDC]

2KW 48V-400V双向DCDC 全桥MOSFET Vds=2VBUS,请各位前辈指点。

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暗星归来|  楼主 | 2018-6-30 09:54 | 显示全部楼层 |阅读模式
使用TI参考设计TIDA-00951 2KW 48V-400V双向DC/DC做产品开发,在测试降压时,发现如下问题:
测试条件:高压侧VBUS=24VDC,低压侧VBAT加200Ω电阻假负载,两边全桥均是对角线相同驱动(纯全桥硬开关,Q6和Q8同时开关,Q9和Q7同时开关),高压侧H桥Q6~Q9提供驱动,低压侧Q1~Q5暂未提供驱动(暂未使用全控整流),开关频率f=100khz。
附上TIDA-00951原理图和链接:http://www.ti.com.cn/tool/cn/tida-00951?keyMatch=TIDA-00951&tisearch=Search-CN-Everything
整体图.png 局部.png
Q1:调节Q6~Q9的占空比从3%~35%,发现低压侧输出电压并未随着占空比的增大而增大,为何?
Q2:在Q6和Q8开通瞬间,Q9漏源极电压出现2倍于VBUS的电压尖峰,为何?管子漏源极尖峰不应该是在本体关断瞬间产生的吗?
Q3:当撤去VBUS上的电压时,驱动都是很完美的(Vgs从0上升到12V消耗40ns,并且无振铃),当在VBUS上施加50VDC电压后,桥臂Q6~Q9每个管子的驱动上升段均出现了振铃,而且幅度很大,Vgs几乎下降到0V,为何?
scope_88.png scope_89.png scope_90.png
Q4:为测试降压时变压器原边线圈电流,将变压器12/13脚到桥臂Q7/Q8的走线割断并串联一个100Ω电阻RL,测量RL两端电压发现,变压器原边电流在电流反向时发生震荡,为何?
scope_84.png scope_85.png scope_86.png scope_87.png

TIDA-00951 Reference design schematic.pdf

676.92 KB

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Siderlee| | 2018-6-30 18:11 | 显示全部楼层
Q1:调节Q6~Q9的占空比从3%~35%,发现低压侧输出电压并未随着占空比的增大而增大,为何?

为什么一定要随着占空比增加而增加?从占空比3-35,变压器低压侧峰值电压都没有变,输出整流电压怎么会变?


Q2:在Q6和Q8开通瞬间,Q9漏源极电压出现2倍于VBUS的电压尖峰,为何?管子漏源极尖峰不应该是在本体关断瞬间产生的吗?

估计你的测试方法的问题

Q3:当撤去VBUS上的电压时,驱动都是很完美的(Vgs从0上升到12V消耗40ns,并且无振铃),当在VBUS上施加50VDC电压后,桥臂Q6~Q9每个管子的驱动上升段均出现了振铃,而且幅度很大,Vgs几乎下降到0V,为何?

可能的原因1)测试方法2)PCB设计

Q4:为测试降压时变压器原边线圈电流,将变压器12/13脚到桥臂Q7/Q8的走线割断并串联一个100Ω电阻RL,测量RL两端电压发现,变压器原边电流在电流反向时发生震荡,为何?

需要更多的信息,比如,你测试使用的什么采样电阻,不要说多少欧姆,是材质;2)为什么选这么大

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戈卫东| | 2018-7-1 19:27 | 显示全部楼层
似乎是驱动能力不足,也可能是栅极电阻用的偏大了

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暗星归来|  楼主 | 2018-7-2 17:23 | 显示全部楼层
Siderlee 发表于 2018-6-30 18:11
Q1:调节Q6~Q9的占空比从3%~35%,发现低压侧输出电压并未随着占空比的增大而增大,为何?

为什么一定要随 ...

输出电压不随占空比变化而变化问题找到了,是假负载太轻了,换了个7.5Ω的就好了。
但是VBUS施加电压后驱动出现振铃以及变压器原边电流换向时震荡的原因还是不清楚。

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暗星归来|  楼主 | 2018-7-2 17:24 | 显示全部楼层
戈卫东 发表于 2018-7-1 19:27
似乎是驱动能力不足,也可能是栅极电阻用的偏大了

驱动电阻现在是10欧姆。如果是驱动能力不足,为何VBUS不加电压源的时候,驱动是好的没有振铃?

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戈卫东| | 2018-7-3 17:26 | 显示全部楼层
Cgd本来就比Cgs影响更大的。

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暗星归来|  楼主 | 2018-7-9 07:29 | 显示全部楼层
戈卫东 发表于 2018-7-3 17:26
Cgd本来就比Cgs影响更大的。

后来看了MOS相关的**,了解了,Cgd会随着VDS变化而变化,多谢指点。

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暗星归来|  楼主 | 2018-7-9 07:30 | 显示全部楼层
前面3个问题解决了,负载过轻会出现问题1和问题2,问题3加大驱动电源功率解决了。但是问题4电流换向过程中出现震荡,各位坛友、前辈怎么看啊!还是没弄明白啊

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戈卫东| | 2018-7-9 10:22 | 显示全部楼层
暗星归来 发表于 2018-7-9 07:29
后来看了MOS相关的**,了解了,Cgd会随着VDS变化而变化,多谢指点。

我的意思是,VGS电压,受Cgd的影响更大。。。
带负载与不带,栅极电压波形会相差很大

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暗星归来|  楼主 | 2018-7-9 15:24 | 显示全部楼层
戈卫东 发表于 2018-7-9 10:22
我的意思是,VGS电压,受Cgd的影响更大。。。
带负载与不带,栅极电压波形会相差很大 ...

我理解你的意思,我描述不太到位

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