[电子元器件]

求解释这个nmos的用法

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7756|  楼主 | 2018-7-13 18:37 | 显示全部楼层 |阅读模式
HWM| | 2018-7-13 19:08 | 显示全部楼层
这是一种“理想二极管”电路,其SHDN应该是用来使LTC4359进入到低功耗的“待机关闭”状态。

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戈卫东| | 2018-7-13 20:33 | 显示全部楼层
它是“理想二极管”,会阻断反向电流,不会阻断正向电流。关闭状态还可以扮演普通二极管。

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lin5674675| | 2018-7-14 22:01 | 显示全部楼层
规格书给你的参照是没有体二极管的,你在选择的时候,采用了具备体二极管的MOS,那就要反接了,不然没法体现理想二极管控制器的能力了

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gx_huang| | 2018-7-15 10:03 | 显示全部楼层
汽车电子的防反接电路,目的是反接时不导通,正接时导通,不仅是寄生二极管导通,还得MOS导通。
你这个电路,是NMOS吗?
普通电路,接正电源的是PMOS,接GND端的是NMOS,这样电路简单。
你这个带芯片的就不知道了,普通就PMOS+电阻+稳压二极管。

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lihui567| | 2018-7-16 08:48 | 显示全部楼层
用过一个TI的,GATE脚是通过内部升压的额,就类似于射级输出器一样,图中你的ds接反了

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7756|  楼主 | 2018-7-16 09:00 | 显示全部楼层
HWM 发表于 2018-7-13 19:08
这是一种“理想二极管”电路,其SHDN应该是用来使LTC4359进入到低功耗的“待机关闭”状态。
...

是的。上图是LTC4359的典型应用电路。我理解的mos应该是都会有寄生二极管吧,所以我一直怀疑这里用法。包括图中给出的这个英飞凌的nmos,一样有寄生二极管,总感觉不对。

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7756|  楼主 | 2018-7-16 09:03 | 显示全部楼层
lin5674675 发表于 2018-7-14 22:01
规格书给你的参照是没有体二极管的,你在选择的时候,采用了具备体二极管的MOS,那就要反接了,不然没法体 ...

上图是LTC4359的典型应用电路。我理解的mos应该是都会有寄生二极管吧,所以我一直怀疑这里用法。包括图中给出的这个英飞凌的nmos,一样有寄生二极管,总感觉不对 未命名1531702923.png 这个是bsc028那个nmos的手册中的截图

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lihui567 2018-7-16 09:47 回复TA
都有寄生二极管的 
7756|  楼主 | 2018-7-16 09:05 | 显示全部楼层
lihui567 发表于 2018-7-16 08:48
用过一个TI的,GATE脚是通过内部升压的额,就类似于射级输出器一样,图中你的ds接反了 ...

上图是LTC4359的典型应用电路。正常的话nmos应该接地的,要不然会有比较大的压降。我也说不出来,总觉得寄生二极管这个问题才是主要问题

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simbar0665| | 2018-7-16 09:18 | 显示全部楼层
你这里确实用错了,这里得用P-MOSFet。
S极接高电压,MOSFET不会导通,本体二极管正好导通。本体二极管未画出。

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coody| | 2018-7-16 10:47 | 显示全部楼层
提醒一下,测量时,还得看输出电流。

经常看到有人用数字万用表来测量大功率MOSFET关断时,依旧有电压,比如输出依旧有4V,但是万用表内阻是10M欧,则输出4V电流是0.4uA,对于大功率MOSFET有一点漏电流是正常的。

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