[技术问答]

M051系列BOD中断时是否可以写入DATAFLASH?

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fs_peng|  楼主 | 2018-7-18 00:15 | 显示全部楼层 |阅读模式
在新唐M058LDN芯片,设定BOD电压为4.4V,为中断模式,复压电压为2.4V。用示波器实测掉电时从4.4V降到2.4V有100多MS,我想在BOD掉电中断时,擦除内部DATAFLASH一个扇区,写入4个字节数据,但好像没有任何操作,但确定已经进入中断,而且平时可以擦除内部DATAFLASH和写上数据,请问是不是掉电BOD启动时,内部DATAFLASH已经锁定,不能擦除和写入?
jasontu| | 2018-7-18 09:56 | 显示全部楼层
请参考这一篇文件
AN_0013_Storing_The_Data_In_DataFlash_When_Power-_Loss_CHS_Rev1.00.pdf (1.16 MB)

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fs_peng|  楼主 | 2018-7-18 10:26 | 显示全部楼层
jasontu 发表于 2018-7-18 09:56
请参考这一篇文件

谢谢

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fs_peng|  楼主 | 2018-7-18 15:52 | 显示全部楼层

看过了这篇文件,跟我原来的写法差不多,现在还是不行,实测正常时擦除一扇区和写入4字节数据时间为2.3ms,但在BOB中断时,为18us,且DATAFLASH没有任为更改

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jiekou001| | 2018-7-18 19:52 | 显示全部楼层
如果按照这个方式做,还不行,那不知道哪儿的问题了。

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jiekou001| | 2018-7-18 19:53 | 显示全部楼层
寄存器要解除保护才能写。

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tianxj01| | 2018-7-19 09:02 | 显示全部楼层
fs_peng 发表于 2018-7-18 15:52
看过了这篇文件,跟我原来的写法差不多,现在还是不行,实测正常时擦除一扇区和写入4字节数据时间为2.3ms ...

写FLASH前,必须关闭其他所有中断,而且如果有看门狗,必须调整时间到超过写数据时间,这是写FLASH失败的最常见原因。

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fs_peng|  楼主 | 2018-7-19 12:30 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2018-7-19 09:02
写FLASH前,必须关闭其他所有中断,而且如果有看门狗,必须调整时间到超过写数据时间,这是写FLASH失败的 ...

测试时,看门狗都没开。最后做了个实验,把电源改成可调电源,发现只要开启BOD,不用开启中断,低于BOD电压时,写不进DATAFLASH,同样电压,关闭BOD,就可以写进DATAFLASH,感觉是只要芯片开启BOD模式,低于BOD电压时,芯片对DATAFLASH保护了,不能擦除和写。

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tianxj01| | 2018-7-19 16:24 | 显示全部楼层
本帖最后由 tianxj01 于 2018-7-19 16:29 编辑
fs_peng 发表于 2018-7-19 12:30
测试时,看门狗都没开。最后做了个实验,把电源改成可调电源,发现只要开启BOD,不用开启中断,低于BOD电 ...

官方就有BOD中断  写FLASH的,在官方AN0013这个说明文档里面,说的一个测试,是储能电容多少,才可以完整写完512字节数据的计算、测试,说明BOD中断写FLASH肯定是可行的,虽然测试时候芯片不是你这个系列的,但根据一般的情况,应该也是可以这样使用的。除非该系列本身不支持FLASH自编程。你不能写,应该是某个设置还是有冲突吧。

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liangbaixin| | 2018-8-3 16:19 | 显示全部楼层
和楼主遇到一样的情况,不知楼主是否解决了

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dongnanxibei| | 2018-8-4 20:29 | 显示全部楼层
试过了没,可以吗

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