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M57957L/M57958LIGBT厚膜驱动器集成电路

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Peonys|  楼主 | 2018-7-18 17:03 | 显示全部楼层 |阅读模式
M57957L/M57958LIGBT厚膜驱动器集成电路

1引脚排列与名称、功能及用法

M57957L与M57958L均采用单列直插式标准8脚厚膜集成电路封装。其外形和引脚排列如图1所示,各引脚的名称、功能及用法可参见表1所列。

2内部结构及工作原理简述

M57957L与M57958L的内部结构和工作原理如图2所示。由图可知,它们的内部集成有光耦、接口及功放单元。其工作原理可简述为:来自脉冲形成单元的驱动信号为高电平时光耦导通,接口电路把该信号整形后由功放级的两级达林顿NPN晶体管放大后输出,驱动功率IGBT模块导通。在驱动信号为低电平时光耦截止,此时接口电路输出亦为低电平,功放输出级PNP晶体管导通,给被驱动的功率IGBT栅射极间施加以反向电压,使被驱动功率IGBT模块恢复关断状态。

引脚号符号名称或功能用法
1VIN-驱动脉冲输入负端使用中通过一反相器接用户脉冲形成电路的输出
2VIN+驱动脉冲输入正端使用中通过一电阻接用户脉冲形成部分电源
5GND驱动脉冲输出地端接驱动脉冲输出级电源地端,该端电位应与用户脉冲形成部分完全隔离
6VCC驱动功放级正电源端接用户提供的驱动脉冲功放级正电源端
7Vout驱动脉冲输出端直接接被驱动IGBT栅极
8VEE驱动功放级负电源端接用户提供的驱动脉冲功放级负电源端


表1M57957L/M57958L的引脚说明

Lh1.gif

图1M57957L/M57958L的引脚排列示图

(原图,未做格式转换)
Lh2.gif

图2M57957L/M57958L的内部结构及工作原理图

Lh3.gif

图3M57957L与M57958L的典型应用接线图

Lh4.gif

图4M57957L与M57958L的典型工作波形

3主要设计特点、极限参数、电参数及推荐工作条件

31主要设计特点
(1)功耗较小,可以采用密集型的单列直插式厚膜电路封装;
(2)单电源工作,供电极为简化;
(3)外接串联电阻可输入CMOS信号,输入信号与TTL电平兼容;
(4)内置高速光电耦合器,可隔离2500V、50Hz的交流电压。

32极限参数、电参数及推荐工作条件

M57957L与M57958L的极限工作参数如表2所列。

表2M57957L/M57958L的极限参数(Ta=25°C)
符号参数测试条件极限值单位
VCC电源电压直流18V
VEE-12V
VI输入电压加于引脚①-②之间-1~+7V
V0输出电压高电平输出电压VCCV
IOHP输出电流脉冲宽度2μs,f=30kHz-5A
IOLP+5A
IOH直流0.2A
Viso绝缘电压正弦波电压,60Hz,1分钟2500V
Tj结温 100
Topr工作温度 -20~+70
Tstg贮存温度 -25~+100
M57957L与M57958L的电性能参数完全相同,该部分参数如表3所列。


4应用技术

M57957L与M57958L的上述结构和原理,决定了它可以用于单管IGBT模块的驱动中。图3给出了这种应用的典型接线图,图4给出了其典型工作波形。
表3M57957L与M57958L的电性能参数(Ta=25°C、VCC=15V、VEE=-10V)

符号参数测试条件参数规范单位
最小典型最大
VCC电源电压推荐值范围1415V
VEE-9-10V
VIN输入上拉电压推荐值范围4.7555.25V
IIH高电平输入电流VIN=5V,R=185Ω16mA
VOH高电平输出电压 1314V
VOL低电平输出电压 -8-9V
tPLH“低电平→高电平”传输延迟时间VIN=0→4VTj=100℃11.5μs
tr“低电平→高电平”传输上升时间VIN=0→4VTj=100℃0.61μs
tPHL“高电平→低电平”传输延迟时间VIN=5→0VTj=100℃11.5μs
tf“高电平→低电平”传输下降时间VIN=5→0VTj=100℃0.41μs

应注意的是,栅极串联电阻Rext的值应与在有关IGBT模块数据表中推荐的栅极电阻值相同。

5结语
M57957L/M57958L内部集成有可在输入与输出之间实现良好电气隔离的光电隔离器,所以可对被驱动的IGBT模块实现可靠的驱动。M57957L可用来直接驱动Vces=600V系列的电流容量在200A以内的IGBT模块及Vces=1200V系列的电流容量在100A以内的IGBT模块;而M57958L可用来直接驱动Vces=600V系列的电流容量在400A以内的IGBT模块及Vces=1200V系列的电流容量在200A以内的IGBT模块。它们均采用双电源驱动技术,输入信号与TTL电平兼容,且采用单列直插式厚膜集成电路封装。


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Peonys|  楼主 | 2018-7-18 17:03 | 显示全部楼层
M57957L/M57958LIGBT厚膜驱动器集成电路

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angerbird| | 2018-7-21 11:42 | 显示全部楼层
外接串联电阻可输入CMOS信号,输入信号与TTL电平兼容

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comeon201208| | 2018-7-22 12:33 | 显示全部楼层
M57957L/M57958L内部集成有可在输入与输出之间实现良好电气隔离的光电隔离器,所以可对被驱动的IGBT模块实现可靠的驱动。

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smilingangel| | 2018-7-22 13:45 | 显示全部楼层
内部集成有光耦、接口及功放单元。其工作原理可简述为:来自脉冲形成单元的驱动信号为高电平时光耦导通,接口电路把该信号整形后由功放级的两级达林顿NPN晶体管放大后输出。

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tongbu2015| | 2018-7-22 18:04 | 显示全部楼层
在驱动信号为低电平时光耦截止,此时接口电路输出亦为低电平,功放输出级PNP晶体管导通,给被驱动的功率IGBT栅射极间施加以反向电压,使被驱动功率IGBT模块恢复关断状态。

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zhangbo1985| | 2018-7-22 21:03 | 显示全部楼层
来自脉冲形成单元的驱动信号为高电平时光耦导通,接口电路把该信号整形后由功放级的两级达林顿NPN晶体管放大后输出,驱动功率IGBT模块导通。

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