buck电路输出电压不对,不能调

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 楼主 | 2018-7-27 20:52 | 显示全部楼层 |阅读模式
电路如下,pwm波由单片机产生,
MOS管GS波形

输出电压为8.5V,产生pwm波为20K,占空比为0.5。输入25v,


IMG_20180727_163618.jpg
IMG_20180727_163656.jpg
| 2018-7-27 21:25 | 显示全部楼层
驱动器需要自举供电吧

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| 2018-7-28 00:09 | 显示全部楼层
错误太多了。
首先,MOS管怎么并联一个0.1uF的电容?这还什么开关电源呢?
其次,N MOS管这样你驱BUCK线路是完全错误的。TLP250驱动是可以的,但是必须浮地,自举供电。TLP250的5脚必须接MOS管的源极,而8脚必须经过快恢复接12V,然后5--8间接一个1uf左右的电容。
再一个,栅极放电加速接二极管是常见手段,可你这里用的是4007,那是低频管,就没有效果了。

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| 2018-7-28 08:28 | 显示全部楼层
裁剪.gif 这样才能正确驱动BUCK降压开关电源。

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| 2018-8-7 07:44 | 显示全部楼层
可以考虑改用 pmos 管, 不用考虑自举升压.

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| 2019-4-11 14:05 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2018-7-28 08:28
这样才能正确驱动BUCK降压开关电源。

Q12的S级接地了,mos管导通就意味短路,你这图是认真地?

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| 2019-4-11 14:50 | 显示全部楼层
fucXU 发表于 2019-4-11 14:05
Q12的S级接地了,mos管导通就意味短路,你这图是认真地?

你怎么看出来的?

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| 2019-4-11 20:03 | 显示全部楼层
fucXU 发表于 2019-4-11 14:05
Q12的S级接地了,mos管导通就意味短路,你这图是认真地?

芯片标注的GND怎么就是接地了?
这就是所谓的浮地自举驱动。可看仔细了????

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| 2019-8-10 09:57 | 显示全部楼层
tianxj01 发表于 2019-4-11 20:03
芯片标注的GND怎么就是接地了?
这就是所谓的浮地自举驱动。可看仔细了???? ...

老弟,MCU那个引脚是接地。但是你看看那个mos,导通时,把它看成一根导线,直接是24V和地相连,不是直接电源短路是啥?!

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| 2019-8-10 10:14 | 显示全部楼层
fucXU 发表于 2019-8-10 09:57
老弟,MCU那个引脚是接地。但是你看看那个mos,导通时,把它看成一根导线,直接是24V和地相连,不是直接 ...

那是元件管脚的名字,但不等于它在电路中一定要连GND。。。

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| 2019-8-10 11:17 | 显示全部楼层
戈卫东 发表于 2019-8-10 10:14
那是元件管脚的名字,但不等于它在电路中一定要连GND。。。

老弟,你是认真的?那块mcu如果GND不接地,接在二极管负极,mos开关管工作时,会在二极管负极产生一个负电压,再考虑下电感传导过来的EMI,这样的mcu能产生正确的波形么?!

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| 2019-8-10 11:21 | 显示全部楼层
mos G-S之间的电容去掉,Vin和GND之间接一个0.1uf并一个47uf电容,PWM直接接到1N4007的负极,和这个二极管并联的电阻调整到22R,然后调整PWM值查看输出。

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| 2019-8-10 11:26 | 显示全部楼层
并上一个mos查看在mos上损耗的电压。

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| 2019-8-10 13:29 | 显示全部楼层
fucXU 发表于 2019-8-10 11:17
老弟,你是认真的?那块mcu如果GND不接地,接在二极管负极,mos开关管工作时,会在二极管负极产生一个负 ...

多看看书。

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18971591125 2019-8-12 13:44 回复TA
感觉你和tianxj01都比较专业,fucXU不仅不懂,还很暴躁 
| 2019-8-10 14:16 | 显示全部楼层

你还知道要多看看书?!不说buck电路的的ccm和dcm模型问题,单说你的TlP250 输入只有1路PWM,而TLP250的2、3引脚是内部光敏的输入输出引脚,你单PWM输入,是认真的么?!你有没有好好地看看规格书?

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| 2019-8-10 14:18 | 显示全部楼层

你把你的L值给一个,我就能算出来你mos开关频率是多少的时候,你的tlp芯片会被击穿。

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不亦心 2019-8-12 23:36 回复TA
让你多看看书,就老老实实去看看书, 别瞎算来算去 
| 2019-8-10 22:22 | 显示全部楼层
为什么都用个专用芯片?我用锂电池点LED,感觉直接PWM驱动MOS也还将就啊、、、、、、、、

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| 2019-8-10 22:38 | 显示全部楼层
本帖最后由 king5555 于 2019-8-10 22:47 编辑
fucXU 发表于 2019-8-10 14:18
你把你的L值给一个,我就能算出来你mos开关频率是多少的时候,你的tlp芯片会被击穿。 ...


各对一半。刚看了芯片资料,靜态VCC到GND耗电Icc十來mA.,因此降压后的输出电压必須大于Icc×RL,否則此芯片不适合自举(亦即GND必須是接地的)。
但若沒上述情形则可以如此自举,亦即芯片GND脚不必实際接地。不过芯片需要的供电电压也必須足夠,否則不保证能输出所需电压。
也就是在某特定范围是可以浮地自举,但若沒自举成功则变成共汲极只能得到Vout=Vcc-Vgs。总体而言不是良好的自举运用,主因是受限于芯片所需电压Vcc和耗电Icc都不小。

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| 2019-8-12 12:41 | 显示全部楼层
king5555 发表于 2019-8-10 22:38
各对一半。刚看了芯片资料,靜态VCC到GND耗电Icc十來mA.,因此降压后的输出电压必須大于Icc×RL,否則此 ...

我有点不理解您的意思,我不是专业做电源的,但是我看上面那个图,PWM关闭的时候,光耦驱动器OFF,也就是OUT=GND(6脚和5脚“短路”)也就是Q12的Vgs=0,MOS关闭,此时续流二极管工作,电感放电,MOS的Vs电压是-0.7V(假设二极管电压0.7),此时C3电容,上面是12v-0.7V(二极管压降),下面是-0.7V,即电容两端电压是12v充电。当PWM开通的时候,OUT=VCC,即11.3V,因为在开通之前是关闭状态,关闭状态的时候,Vs=-0.7V,所以当光耦开启的时候,Vgs是11.3-(-0.7)=12V,MOS管开启,在开启的过程中,Vs的电压慢慢的上升,导致C3上端电压被抬升,当MOS完全开启的时候,Vs=24V,此时VCC脚电压是36V,保证了MOS的开启,电容C3即可理解成自举电容,不过芯片工作会有最大11mA(30V)的电流,在PWM开启的时候,会导致C3电压缓慢下降,所以MOS不能长时间保持开启,可以算出保持开启的时间,应该比PWM高电平时间长,以上是个人愚见,不知您说的ICCxRL是什么原因造成的,如果有错误,还希望指正,虚心请教,勿喷,谢谢

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18971591125 2019-8-13 10:32 回复TA
@不亦心 :明了了,是最后的输出电压, 
18971591125 2019-8-13 10:17 回复TA
@不亦心 :是的,我其实知道这个到底,他上面写的是Vout。我以为是整个电源电路输出的Vout,所以产生了误解,因为电源最后的Vout,根Icc关系应该不是这么直接的,所以提出疑问,谢谢您们的解惑,如果说真的是最后电源电路输出的Vout ,那我还没有去深究,还望指点 
不亦心 2019-8-12 23:37 回复TA
要考虑PFM模式轻载,自举不起来 
| 2019-8-12 21:31 | 显示全部楼层
18971591125 发表于 2019-8-12 12:41
我有点不理解您的意思,我不是专业做电源的,但是我看上面那个图,PWM关闭的时候,光耦驱动器OFF,也就是 ...

我懶得看,只瞄一眼,感覺您十之**正确。针对4楼电路。芯片供电和输出Vout等于是串联的,由此当Vout越大时则芯片供电越小,要保证芯片供电能维持在所需电压,必須自举电容容量够大以应付放电时间。而自举电容是在电感续流时充电。那么问题來了!当输出轻载时,可能进入非连续导通模式,亦即占空比变得很小或者时而导通时而关闭,等于电感续流时间变得短暫或有停顿,那么自举电容会來不及充电,致使芯片欠压而失去开关作用,等待Vout下降后芯片才又恢复工作。
形成打嗝!因此Icc大了不利于正常运作,现在Icc需要11mA,对自举电容要快充而慢放是很吃力。在自举电容不足以胜任时,整体电路就是个隨耦器,变成隨耦器时Vout=Icc×RL。
所以芯片GND脚还是直接接地,要BUCK还是由芯片OUT去驱动和建构电路为佳。我也不做电源的,可能闸述有諛,仍以4楼先生观点为准。

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18971591125 2019-8-13 10:36 回复TA
@18971591125 :了解您的意思了,之前没去深究,学习了,膜拜 
18971591125 2019-8-13 10:14 回复TA
恩,其实您说的我明白,我之前看将您说的Vout理解成了整个电源的输出电压,造成误解,所以才会产生疑虑,实在不好意思,不过您上面写的“感觉您十之**正确”,有两个屏蔽字,不明白什么意思, 

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18971591125 + 2 很给力!
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