buck电路输出电压不对，不能调

2018-7-27 20:52

电路如下，pwm波由单片机产生，

MOS管GS波形

输出电压为8.5V，产生pwm波为20K,占空比为0.5。输入25v，

2018-7-27 21:25

驱动器需要自举供电吧

2018-7-28 00:09

错误太多了。
首先，MOS管怎么并联一个0.1uF的电容？这还什么开关电源呢？
其次，N MOS管这样你驱BUCK线路是完全错误的。TLP250驱动是可以的，但是必须浮地，自举供电。TLP250的5脚必须接MOS管的源极，而8脚必须经过快恢复接12V，然后5--8间接一个1uf左右的电容。
再一个，栅极放电加速接二极管是常见手段，可你这里用的是4007，那是低频管，就没有效果了。

2018-7-28 08:28

这样才能正确驱动BUCK降压开关电源。

2018-8-7 07:44

可以考虑改用 pmos 管, 不用考虑自举升压.

2019-4-11 14:05

tianxj01 发表于 2018-7-28 08:28
这样才能正确驱动BUCK降压开关电源。

Q12的S级接地了，mos管导通就意味短路，你这图是认真地？

2019-4-11 14:50

fucXU 发表于 2019-4-11 14:05
Q12的S级接地了，mos管导通就意味短路，你这图是认真地？

你怎么看出来的？

2019-4-11 20:03

fucXU 发表于 2019-4-11 14:05
Q12的S级接地了，mos管导通就意味短路，你这图是认真地？

芯片标注的GND怎么就是接地了？
这就是所谓的浮地自举驱动。可看仔细了？？？？

2019-8-10 09:57

tianxj01 发表于 2019-4-11 20:03
芯片标注的GND怎么就是接地了？
这就是所谓的浮地自举驱动。可看仔细了？？？？ ...

老弟，MCU那个引脚是接地。但是你看看那个mos，导通时，把它看成一根导线，直接是24V和地相连，不是直接电源短路是啥？！

2019-8-10 10:14

fucXU 发表于 2019-8-10 09:57
老弟，MCU那个引脚是接地。但是你看看那个mos，导通时，把它看成一根导线，直接是24V和地相连，不是直接 ...

那是元件管脚的名字，但不等于它在电路中一定要连GND。。。

2019-8-10 11:17

戈卫东发表于 2019-8-10 10:14
那是元件管脚的名字，但不等于它在电路中一定要连GND。。。

老弟，你是认真的？那块mcu如果GND不接地，接在二极管负极，mos开关管工作时，会在二极管负极产生一个负电压，再考虑下电感传导过来的EMI，这样的mcu能产生正确的波形么？！

2019-8-10 11:21

mos G-S之间的电容去掉，Vin和GND之间接一个0.1uf并一个47uf电容，PWM直接接到1N4007的负极，和这个二极管并联的电阻调整到22R，然后调整PWM值查看输出。

2019-8-10 11:26

并上一个mos查看在mos上损耗的电压。

2019-8-10 13:29

fucXU 发表于 2019-8-10 11:17
老弟，你是认真的？那块mcu如果GND不接地，接在二极管负极，mos开关管工作时，会在二极管负极产生一个负 ...

多看看书。

2019-8-10 14:16

戈卫东发表于 2019-8-10 13:29
多看看书。

你还知道要多看看书？！不说buck电路的的ccm和dcm模型问题，单说你的TlP250 输入只有1路PWM，而TLP250的2、3引脚是内部光敏的输入输出引脚，你单PWM输入，是认真的么？！你有没有好好地看看规格书？

2019-8-10 14:18

戈卫东发表于 2019-8-10 13:29
多看看书。

你把你的L值给一个，我就能算出来你mos开关频率是多少的时候，你的tlp芯片会被击穿。

2019-8-10 22:22

为什么都用个专用芯片？我用锂电池点LED，感觉直接PWM驱动MOS也还将就啊、、、、、、、、

**@不亦心** · 2019-8-12 12:41

king5555 发表于 2019-8-10 22:38
各对一半。刚看了芯片资料，靜态VCC到GND耗电Icc十來mA.，因此降压后的输出电压必須大于Icc×RL，否則此 ...

我有点不理解您的意思，我不是专业做电源的，但是我看上面那个图，PWM关闭的时候，光耦驱动器OFF，也就是OUT=GND（6脚和5脚“短路”）也就是Q12的Vgs=0，MOS关闭，此时续流二极管工作，电感放电，MOS的Vs电压是-0.7V(假设二极管电压0.7)，此时C3电容，上面是12v-0.7V（二极管压降），下面是-0.7V，即电容两端电压是12v充电。当PWM开通的时候，OUT=VCC,即11.3V，因为在开通之前是关闭状态，关闭状态的时候，Vs=-0.7V，所以当光耦开启的时候，Vgs是11.3-（-0.7）=12V，MOS管开启，在开启的过程中，Vs的电压慢慢的上升，导致C3上端电压被抬升，当MOS完全开启的时候，Vs=24V，此时VCC脚电压是36V，保证了MOS的开启，电容C3即可理解成自举电容，不过芯片工作会有最大11mA（30V）的电流，在PWM开启的时候，会导致C3电压缓慢下降，所以MOS不能长时间保持开启，可以算出保持开启的时间，应该比PWM高电平时间长，以上是个人愚见，不知您说的ICCxRL是什么原因造成的，如果有错误，还希望指正，虚心请教，勿喷，谢谢