剖析《模拟电路》

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楼主: HWM
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HWM|  楼主 | 2018-8-10 15:24 | 显示全部楼层
实际输出
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HWM|  楼主 | 2018-8-10 15:25 | 显示全部楼层
去除直流成分,得如下三极管(BJT)的小信号线性模型

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HWM|  楼主 | 2018-8-10 15:26 | 显示全部楼层
小信号模型
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HWM|  楼主 | 2018-8-10 15:26 | 显示全部楼层
注意,上述模型忽略了输出对输入的影响。

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outstanding| | 2018-8-10 16:38 | 显示全部楼层
路过支持一下   

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HWM|  楼主 | 2018-8-17 11:20 | 显示全部楼层
负载线及其基本应用

负载线分输出和输入端两种情形,其都是含源的线性电路通过一个端口对接一个一般电路(可以是非线性电路)。若含源线性电路中存在动态元件,那么针对直流和交流成分相应的有静态负载线动态负载线

下面先看看输出端负载线。含源线性电路所对接的那个一般电路中可含有变化的电源,下图中其含一个电流源。

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HWM|  楼主 | 2018-8-17 11:22 | 显示全部楼层
负载线-1
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HWM|  楼主 | 2018-8-17 11:23 | 显示全部楼层
下面看看输入端负载线。含源线性电路中的电源可以是变化源,而其所对接的那个一般电路中通常不含变化源。

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HWM|  楼主 | 2018-8-17 11:24 | 显示全部楼层
负载线-2
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HWM|  楼主 | 2018-8-17 11:26 | 显示全部楼层
注意上述负载线在一定的条件下,其与所对接的那个一般电路几乎没有关系(这里的电流源和R3)。正是负载线的这个特性,其在图解和直观分析中起着重要的作用。

下面转入器件的具体特性和相关分析。先给两幅图,其说明了BJT的电流放大特性。

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HWM|  楼主 | 2018-8-17 11:27 | 显示全部楼层
BJT电流放大特性
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HWM|  楼主 | 2018-8-17 11:28 | 显示全部楼层
下面看看BJT的固定偏置及其负载线图解分析。

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HWM|  楼主 | 2018-8-17 11:29 | 显示全部楼层
图解分析
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HWM|  楼主 | 2018-8-17 11:30 | 显示全部楼层
实际工程技术中,任何器件的使用都必须考虑其限制特性,下面给个图示。

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HWM|  楼主 | 2018-8-17 11:31 | 显示全部楼层
功率和电压限制
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HWM|  楼主 | 2018-8-17 11:34 | 显示全部楼层
前面说的是BJT,下面简述一下FET。先看JFET,给几幅图。

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HWM|  楼主 | 2018-8-17 11:35 | 显示全部楼层
JFET
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HWM|  楼主 | 2018-8-17 11:36 | 显示全部楼层
本帖最后由 HWM 于 2018-8-18 14:57 编辑

JFET是利用PN结的耗尽层来夹断导电通路。PN结零偏下导通,而PN结反偏下其耗尽层增大致使导电通路变窄,甚至几乎完全阻塞。

对于某一固定的Vgs,若Vds增大则耗尽层也会增大(因Vgd增大),甚至是预夹断。在此情形下,JFET呈现为一个“电流源”,即继续增大Vds电流Id基本不变(或变化微小)。

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HWM|  楼主 | 2018-8-17 11:37 | 显示全部楼层
本帖最后由 HWM 于 2018-8-18 14:57 编辑

关于FET,有几个概念需要说明一下:

1)欧姆变阻区

在此区域内,FET的输出特性呈现欧姆电阻特性且其阻值可受Vgs控制。

2)有源工作区

此也称为饱和区,这个区别于BJT的饱和区,这点必须要分清楚。

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HWM|  楼主 | 2018-8-17 11:38 | 显示全部楼层
下面看看耗尽型MOSFET,注意其输入输出传递特性。

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