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[电子元器件]

BJT的分压偏置

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楼主
HWM|  楼主 | 2018-8-23 12:03 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
电阻, 发射极
之前说了BJT的发射极（电阻）偏置，下面进一步考虑其分压偏置。

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相关帖子
沙发
HWM|  楼主 | 2018-8-23 12:04 | 只看该作者
分压偏置-1

4C0A22B3-16B0-4B47-BE1C-52B4FBEC00D0.png (36.01 KB )

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板凳
HWM|  楼主 | 2018-8-23 12:07 | 只看该作者
注意上面利用了《电路分析》中的戴维南等效。

下面，继续采用《电路分析》中的网孔电流法。

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地板
HWM|  楼主 | 2018-8-23 12:08 | 只看该作者
分压偏置-2

DC8FBE24-049D-48E7-BDB9-AF4679755816.png (34.21 KB )

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5楼
HWM|  楼主 | 2018-8-23 12:14 | 只看该作者
在一定条件下，BJT若采用分压偏置，则其电路特性（包括静态工作点和增益）近似与BJT的具体参数无关。这点，使得分压偏置在BJT放大电路中使用很广。

下面，为了能近似得到其输出的最大摆幅，给个大致的关系。

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参与人数 1威望 +1 收起 理由
king5555 + 1 赞。若考虑温度变动时，最佳R2的偏置电流为Ib的十至十五倍。
6楼
HWM|  楼主 | 2018-8-23 12:16 | 只看该作者
电阻关系

1EEEB02A-416C-402A-BBA4-FA581948A1F7.png (15.69 KB )

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