HC89F0411P 是一颗采用高速低功耗 CMOS 工艺设计开发的增强型 8 位单片机，内部有 12K Bytes FLASH 程序存储器，256 Bytes IRAM 和 256 Bytes XRAM， 6 个双向 I/O 口，1 个外设功能引脚全映射 模块 PTM，5 个 16 位定时器/计数器，3 组 12 位带死区控制互补 PWM，1 个 8 位 PWM，2 个 UART， 1 个 SPI，6 个外部中断，6+2 路 12 位 ADC，四种系统工作模式（正常、低频、掉电和空闲）和 16 个中 断源。
功能特性
CPU：增强型1T 8051内核
ROM：12K Bytes FLASH IAP和ICP操作 灵活的代码保护模式
RAM：256 Bytes IRAM 256 Bytes XRAM
时钟：内部高精度 32MHz RC 内部 44KHz RC 多种时钟输出
多种复位方式：上电复位（POR） 多级低电压复位（BOR） - 4.2/3.9/3.6/3.0/2.6/2.4/2.0/1.8V 看门狗（WDT）复位 软件复位 堆栈溢出复位
I/O：6个双向I/O口 多种模式可配：输入、带上拉输入、 带下拉输入、施密特输入、模拟输 入、强推挽输出、开漏输出、开漏带 上拉输出 外设功能引脚全映射模块PTM
中断：16个中断源 4级中断优先级 6个外部中断
定时器/计数器：T0/T1兼容标准8051，16位自动重载 T3可以工作在掉电模式 T4可以使用外部信号触发定时 T5带捕获功能
PWM：最多3组12位带死区控制互补PWM - 可配置为 6 路独立输出 - 可当定时器使用 - 具有故障检测功能 1路8位单输出PWM
通讯模块：2 个 UART 1 个 SPI
ADC 检测电路：支持6+2 ch 12位ADC检测 ADC参考电压可选内部VREF、外部 VREF、VDD 具有省电唤醒功能（单通道）
低电压检测模块：VDD 多级电压检测，可中断 - 4.2/3.9/3.6/3.0/2.6/2.4/2.0/1.9V
循环冗余校验（CRC）
省电模式：空闲模式 掉电模式
工作条件： 宽电压 2.0V－5.5V 温度范围-40°C －+85°C
封装类型：SOP8 |
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