cy7c63813芯片程序被意外擦除

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pengf|  楼主 | 2018-9-6 18:46 | 显示全部楼层 |阅读模式
我最近在使用cy7c63813这款芯片,在反复加电断电数次后,芯片就不工作了,重新烧录又可以工作,问题芯片用PSoC Programmer读取checksum发现和写入的不一致了,去掉保护位,发现程序被部分擦除,不知是哪里设计有问题导致这种现象,有遇到类似现象的传授一下解决方法
dingy| | 2018-9-6 18:52 | 显示全部楼层
你的程序里是否有写单片机Flash的部分,如果有,检查这部分程序

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morrisk| | 2018-9-6 18:55 | 显示全部楼层
芯片有个寄存器可以设置掉电保护

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xxmmi| | 2018-9-6 18:58 | 显示全部楼层
对,把这个值设到最高的保护电压

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morrisk| | 2018-9-6 19:02 | 显示全部楼层
比如4.9V

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pengf|  楼主 | 2018-9-6 19:05 | 显示全部楼层
是指的这个吧
Low-voltage Control Register (LVDCR) [0x1E3] [R/W]
我去试试

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pengf|  楼主 | 2018-9-6 19:08 | 显示全部楼层
试过了,问题依旧……

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xxrs| | 2018-9-6 19:12 | 显示全部楼层
Low-voltage Control Register (LVDCR) 中
PORLEV = 10b
VM = 111b

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morrisk| | 2018-9-6 19:16 | 显示全部楼层
换个芯片试下

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pengf|  楼主 | 2018-9-6 19:19 | 显示全部楼层
按您说的参数值修改程序后一直在试验,目前还没试出问题。

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pengf|  楼主 | 2018-9-6 19:22 | 显示全部楼层
我是一次同时测试16片,出问题的芯片随机,所以应该不是某个芯片的问题。

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zyf部长| | 2018-9-6 19:25 | 显示全部楼层
这个是M8C核的缺陷,我专门联系过美国CY的技术支持,M8C核在电压低时会失步,导致执行的指令错乱,从而执行了SSC  00 之类的内部FLASH操作,导致程序丢失

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stly| | 2018-9-6 19:29 | 显示全部楼层
将掉电保护电压设置高点后,反复上电掉电测试就没问题了。。。

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pengf|  楼主 | 2018-9-6 19:35 | 显示全部楼层
我最初将LVDCR设置的14h,即PORLEV = 01b,VM = 100b,不行;
后来改成17h,即PORLEV = 01b,VM = 111b,出现问题的概率小了,但还是会出;
最后按您说的改成27h,即PORLEV = 10b,VM = 111b,就好了。

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xxmmi| | 2018-9-6 19:38 | 显示全部楼层
我专门看了你这个芯片的手册,里面提到当CPU运行于12M以上时,必须PORLEV = 01b,
但我看了以前我用的那个芯片,没有这个提示。。。

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pengf|  楼主 | 2018-9-6 19:41 | 显示全部楼层
我现在用的是内部24M,您看到当CPU运行于12M以上时,必须PORLEV = 01b,应该指的外部晶振吧

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kangzj| | 2018-9-6 19:45 | 显示全部楼层
我也遇上这问题,我是电脑usb口通过二极管起电过来,只有4.4V左右,又需要24MHZ,这下该怎么是好。LVDCR设置成27h,即PORLEV = 10b,VM = 111b。 才4.4V就无法工作了。

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pengf|  楼主 | 2018-9-6 19:49 | 显示全部楼层

嗯,预料中的结果,先结贴吧,多谢大家啦

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