如何延迟FLASH的读写寿命?

2018-9-20 15:23

如题：如何延长FLASH的读写寿命。

现如今在做一个东西，读写次数较多且使用时间较长。

需要考虑到FLASH的使用寿命，且要考虑断电后如何找到断电前写到的位置

有大佬知道怎么做的吗？

指点一下。。。

2018-9-25 21:27

qq5782098 发表于 2018-9-25 10:35
文档的名字是什么，我去找找

AN4061 应用笔记 STM32F0xx 微控制器中的
EEPROM 仿真

2018-9-20 15:30

尽量少擦,轮番写到各个扇区.如果是频繁写某个几个字节可以考虑写到备份寄存器

断电恢复也是用备份寄存器,在备份寄存器里保留一个指针.

2018-9-20 16:21

寿命是固定的无法延长

只能采用优化算法，使之循环读写不同的扇区

或者换铁电存储

2018-9-20 20:58

ST官网上有一个**，专门说用FLASH做E2PROM的，就是循环使用

2018-9-21 08:37

是的，参考楼上的说法，每个扇区循环读写，增加寿命。st官方是有文档和代码的。

2018-9-21 08:38

可以用空间换取，每次存不同的地方

2018-9-21 10:31

磨损均衡，少擦，实在没有空间了再擦除。

2018-9-25 10:33

huzi2099 发表于 2018-9-20 15:30
尽量少擦,轮番写到各个扇区.如果是频繁写某个几个字节可以考虑写到备份寄存器

断电恢复也是用备份寄存器, ...

这个我有想过，不过我存的数据比较多，所以没有办法

2018-9-25 10:34

ningling_21 发表于 2018-9-20 16:21
寿命是固定的无法延长

只能采用优化算法，使之循环读写不同的扇区

就是想知道这个优化算法是怎样的

2018-9-25 10:35

lb342 发表于 2018-9-20 20:58
ST官网上有一个**，专门说用FLASH做E2PROM的，就是循环使用

文档的名字是什么，我去找找

2018-9-25 21:30

qq5782098 发表于 2018-9-25 10:35
文档的名字是什么，我去找找

起始可以做一个断电检测，每次断电才写入FLASH。设备一般断电次数应该不多。特殊设备除外。

2018-9-25 21:41

换FRAM

2018-9-26 08:56

huzi2099 发表于 2018-9-20 15:30
尽量少擦,轮番写到各个扇区.如果是频繁写某个几个字节可以考虑写到备份寄存器

断电恢复也是用备份寄存器, ...

这个备份寄存器必须要加电池吧，貌似没有电池也保存不了。

2018-9-26 18:05

lb342 发表于 2018-9-25 21:27
AN4061 应用笔记 STM32F0xx 微控制器中的
EEPROM 仿真

这是正是我要的，谢谢

2018-9-27 12:34

740071911 发表于 2018-9-26 08:56
这个备份寄存器必须要加电池吧，貌似没有电池也保存不了。

是的,又快又大又不需要电...恐怕没有,你多大的数据量啊

2018-9-28 21:16

采用优化算法，使之循环读写不同的扇区

2018-10-10 10:02

这个还真没关心过