[电路/定理]

MOSFET被击穿问题点

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PPDDPPDD1234| | 2018-10-8 21:30 | 显示全部楼层
肯定在安全工作区范围外了。你仔细对比看看MOS管的那个图。

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勇俊| | 2018-10-8 21:49 | 显示全部楼层
PPDDPPDD1234 发表于 2018-10-8 21:30
肯定在安全工作区范围外了。你仔细对比看看MOS管的那个图。

同意

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airwill| | 2018-10-9 07:09 | 显示全部楼层
除了电流容量足够外, 还要考虑耐压足够和功耗及散热足够

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tianxj01| | 2018-10-9 09:10 | 显示全部楼层
同步整流的BOOST线路,理论上2管子总损耗是接近的,因此总是坏一个位置管子(Q9)肯定不是电流了功耗了超安全范围。
考虑到同步整流工作模式,损坏有可能下面2点:
死区不够,直通。在BOOST状态下,瞬间功耗可以按照升压比大致测算,升压大于42V的,上管更容易挂,否则就是下管容易挂,如果你的升压在比如30V左右,那么因为这个原因挂下管的可能性非常大。
虽然BOOST线路理论上不考虑主电感漏感,但是由于板子走线什么等原因,在不合理情况下,寄生参数在大电流条件下,也容易产生尖峰电压,吸收不够,或者驱动减速不够造成尖峰上升过快,这个过耐压只会直接烧下管,这个检测比较简单,直接测试下管DS波形就可以了解,如果测试波形非常好,没有毛刺,那么99.9%就是共通造成了。

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看样子是你电路的毛病,把FB的电容去掉,改接到输出R270,用来实现软启动和增加电源调整率,同时R270取样电阻是否取小一点,很多芯片是有偏置电流要求的,不要以为只耗电几个nA就可以不重视,那个电容在FB造成关掉延迟,也就是过调整

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king5555 + 6 对!该电容改到并联于R270。
kexigang|  楼主 | 2018-10-12 12:26 | 显示全部楼层
airwill 发表于 2018-10-9 07:09
除了电流容量足够外, 还要考虑耐压足够和功耗及散热足够

嗯 ,说的有理,开始考虑不周到,没有考虑耐压,VD只有30V,升到24V,P-P电压就在30V左右。谢谢。

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XZL| | 2018-10-12 16:09 | 显示全部楼层
安全裕量不够

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