[技术问答]

关于N76E003 FLASH模拟EEPROM的问题

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liulcf2018|  楼主 | 2018-10-20 21:30 | 显示全部楼层 |阅读模式
用官方例程里的FLASH模拟EEPROM,可以读写数据,但读写数据时会改变XRAM里的原本数据的内容,不知是什么原因。看编译XRAM大概使用了200多个。看官方例程里,每次读写FLASH,先要把一页的内容读到XRAM中,例程中的
//Save APROM data to XRAM
        xd_tmp = 0x80;
是把FLASH中的数据暂时读到这个地址为起始的XRAM中吗,这样程序中如果用到了这段XRAM,这段XRAM的内容不就被读出的数据覆盖掉了吗?
mcu5i51| | 2018-10-21 11:44 | 显示全部楼层
如果 用的不多,可以只保存使用的数据

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598330983| | 2018-10-21 17:54 | 显示全部楼层
XRAM好像不是RAM,是特殊的RAM,程序运行不会用到这个地方,除非你通过指令操作。

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小明的同学| | 2018-10-21 20:38 | 显示全部楼层
编译器默认不会使用这个XRAM吧

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heisexingqisi| | 2018-10-21 22:38 | 显示全部楼层
官方的例子用的汇编吧

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jasontu| | 2018-10-22 10:13 | 显示全部楼层
8051要宣告资料型态。
有BIT, IDATA, XDATA, DATA这几个不同

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