这几种常用可控硅驱法有大佬给懂的吗?

2018-10-24 22:50

本帖最后由 hwpga 于 2018-10-26 16:45 编辑

....

2018-10-24 22:58

不完整。不知道对不对。

2018-10-25 07:43

上面两个好像是负压驱动的，要求可控硅支持；
下面的这个就是正压驱动的了；
相同点就是全是非隔离的；
和有没有过零没有关系

2018-10-25 10:21

没啥区别，双规的GK只要满足开启电位差，且驱动功率足够，就会导通，加电阻电容都是为了提高抗干扰能力，避免误触发

2018-10-25 19:36

本帖最后由 hwpga 于 2018-10-25 19:46 编辑

谢谢楼上的朋友能回复
T2的可控硅需要过零,只能工作在切相模式
每交流正负周期给个1MS的高电平触发信号
可控硅交流过零截至后,都要给导通角重新触发信号
直接一直给高电平的话，可控硅导通一下就一直截至了
T1的可控硅接法,感性负载RC保护都不用上。 T3的可控硅接法，我也没用过只在阻性负载里见过

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